Полупроводниковый инжекционный лазер для применения в лазерной арфе
Полупроводниковый лазер как лазер с активной средой полупроводникового кристалла. Структура лазера и его активная среда. Резонатор и система накачки. Условие лазерной генерации и порог возбуждения. Применение полупроводникового лазера в лазерной арфе.
Подобные документы
Изучение устройства полупроводникового диода, а также физических процессов, происходящих в нем. Исследование параметров полупроводниковых диодов. Приведение вольтамперной характеристики идеализированного р-п перехода и стабилитрона общего назначения.
лабораторная работа, добавлен 07.02.2016Сведения о технологических лазерах и параметрах лазерного излучения. Критерии выбора технологических лазеров для реализации теплового воздействия лазерного излучения. Физическая модель лазерной обработки – феноменологический подход, уравнения теплофизики.
лекция, добавлен 02.05.2014Особенности лазерного излучения, лазерные технологии. Технология газовых лазеров. Краткий исторический обзор развития лазеров. Принцип работы, область применения и перспективы развития магнитно-оптических накопителей. Применение лазеров в военной технике.
реферат, добавлен 08.06.2015Наблюдение нелинейных оптических явлений, где происходит нарушение принципа суперпозиции световых волн. Методика генерации второй гармоники излучения лазера. Рассмотрение теории эффекта. Измерение энергетических параметров и угловой структуры излучения.
методичка, добавлен 30.04.2016- 80. Физика лазеров
Функциональная роль лазеров в процессах вынужденного испускания в генераторах и усилителях конгерентного света. Принцип действия и основные свойства лазера. Применение твердотельных, жидкостных, фотодиссоционных, газоразрядных и химических лазеров.
курсовая работа, добавлен 09.10.2015 Диод как простейший полупроводниковый прибор, обозначение диода. Краткое рассмотрение способов создания p-n перехода. Характеристика основных недостатков полупроводникового диода. Анализ энергетических диаграмм для легированных акцепторной примесью.
контрольная работа, добавлен 08.06.2012Описание особенностей производства, общих свойств и области применения полупроводниковых лазеров. Изучение принципа создания инверсной населенности в полупроводниках. Анализ твердотельных лазеров нового поколения. Характеристика их нелинейной динамики.
отчет по практике, добавлен 13.04.2017- 83. Принцип лазера
Роль М. Планта, Н. Бора, А. Эйнштейна и В.А. Фабриканта в истории изучения электромагнитных волн и создании квантовых генераторов. Принцип работы лазеров, виды и применение в медицине, воспроизведении дисков, производстве, науке, военной промышленности.
презентация, добавлен 16.04.2014 Понятие, сущность, принцип работы, устройство и области применения полупроводниковых лазеров. Особенности создания инверсной населенности в полупроводниках. Анализ параметров и структуры лазерного диода. Характеристика основных свойств лазерного луча.
курсовая работа, добавлен 23.07.2010Характеристика физической основы работы лазера. Основные виды оптических квантовых генераторов. Особенность применения усилений света посредством вынужденного испускания. Существенный анализ изучения взаимодействия лазерного излучения с веществом.
реферат, добавлен 09.11.2015Общая характеристика жидкостных лазеров, их функциональные особенности и сферы практического применения. Внутреннее устройство и принцип работы. Отличия неорганических жидкостных лазеров и лазеров на красителях. Способы их возбуждения (накачки).
контрольная работа, добавлен 06.04.2021Использование р-п перехода (полупроводникового диода) в большинстве полупроводниковых приборов, его реальные свойства. Понятие р-п перехода как структуры, содержащей дырочную и электронную области полупроводника. Приложение к р-п переходу напряжения.
лекция, добавлен 30.07.2013Лазер - источник монохроматического когерентного света с высокой направленностью светового луча. Варианты получения лазерного луча и принципы действия устройства, уникальные свойства этого излучения. Сферы применения и использования лазерных технологий.
реферат, добавлен 20.10.2011Измерение "фиолетового смещения" монохроматического излучения лазера непрерывного действия, направленного на земную поверхность с искусственного спутника, неподвижно расположенного над данной точкой земной поверхности, обусловленного действием гравитации.
научная работа, добавлен 10.03.2014Первые шаги на пути к лазеру, история развития. Лазер на рубине как первый образец. Усилители и генераторы, принцип их действия. Диапазон длин волн, коэффициент полезного действия. Область применения лазеров в науке и технике: в геодезии, агропроме.
реферат, добавлен 09.05.2012Причины возникновения временной нестабильности в чувствительных элементах датчиков давлений на основе карбида кремния. Рассмотрение схемы температурной компенсации высокоомного терморезистора. Характеристики полупроводникового чувствительного элемента.
статья, добавлен 06.05.2018Спонтанное и индуцированное излучение. Устройство оптического квантового генератора. Основные направления использования лазера в медицине. Электронный парамагнитный резонанс. ЯМР-интроскопия. Расщепление энергетических уровней атомов в магнитном поле.
контрольная работа, добавлен 28.04.2013Обзор оснащения двухчастотной схемы лазера со стабилизированной разностной частотой. Характеристика принципов работы оптоэлектронного измерительного интерферометра. Очерк стабилизации частоты излучаемой лазером, и его использование в машиностроении.
лекция, добавлен 28.10.2013Розрахунок оптимальних оптичних параметрів дифракціно-рефракційних ахроматичних мікропризмових пристроїв. Аналіз структури поверхонь і профілів рельєфу виготовлених мікропризм. Дифракційна структура розподілу інтенсивності заломленого променя лазера.
статья, добавлен 30.08.2016Анализ принципа действия и основных типов лазера. Изучение особенностей лазерного излучения. Изменения свойств ткани и ее температуры под действием непрерывного мощного лазерного излучения. Характеристики лазерного излучения, применяемого в медицине.
реферат, добавлен 19.03.2017Классификация полупроводников и структур на их основе. Применение гетероструктур в электронике. Гетеропереходные биполярные транзисторы на основе GaAs. Типы взаимодействия между фотонами и электронами в твердом теле. Структура полупроводникового лазера.
презентация, добавлен 10.12.2021Лазери з посилюючим середовищем на основі напівпровідників, де генерація відбувається за рахунок вимушеного випромінювання фотонів. Міжзонний оптичний перехід в напівпровідниках. Використання оптичного або електронно-променевого накачування лазера.
контрольная работа, добавлен 15.05.2014Описание структурной схемы индуктивно-полупроводникового балласта. Экспериментальные значения отклонений параметров ламп ДРИ-2000 и ДНаТ-400 при питании через индуктивно-полупроводниковый балласт. Синхронизация работы электронного блока с сетью.
реферат, добавлен 18.03.2019Принципиальная электрическая схема полупроводникового преобразователя электрической энергии, временные диаграммы его работы. Расчет элементов пассивной защиты преобразователя от аварийных токов. Системы управления силовыми полупроводниковыми приборами.
курсовая работа, добавлен 09.04.2012Свойства лазерного луча, принцип действия полупроводникового, химического, жидкостного лазеров и лазера на красителях. Применение лазерного луча в промышленности, технике и медицине. Возникновение и применение голографии, способы голографирования.
курсовая работа, добавлен 20.12.2017