Измерение скорости роста кристалла, растущего из водного раствора
Характеристика особенностей атомно-шероховатых поверхностей и атомно-гладких граней роста кристалла. Изучение вида объекта-микрометра под микроскопом. Рассмотрение снимков роста кристалла, полученных с помощью цифрового микроскопа Intel Play QX-3.
Подобные документы
Принцип работы прибора неразрушающего контроля электрофизических параметров полупроводников. Принципы построения генератора управляемого напряжением. Выбор и разработка квадратичного детектора. Методика измерения удельного сопротивления кристалла кремния.
дипломная работа, добавлен 30.05.2014Сущность гипотезы де Бройля, по которой всякую частицу надо одновременно рассматривать как волну, а волну – как частицу. Понятие принципа Оккама, его соотнесение с законами квантовой механики. Физика дифракции молекулярных пучков на поверхности кристалла.
статья, добавлен 15.11.2018Измерение размеров микроструктур в субмикронном диапазоне. Измерение профиля полупроводниковых структур. Образование методической погрешности при контроле профиля элемента методом атомно-силовой микроскопии. Калибровки с применением мер малой длины.
реферат, добавлен 29.03.2020Решение уравнения Шредингера для идеального кристалла. Причины возникновения проводимости в собственном полупроводнике. Концентрация электронов и дырок в зонах. Положение уровня Ферми в собственном полупроводнике. Электрон в идеальном кристалле.
курсовая работа, добавлен 19.11.2017История развития лазерной физики и волоконных лазеров. Преимущества и недостатки волоконных лазеров. Использование нелинейно-оптических кристаллов для генерации второй гармоники, оптические схемы. Фазовый и квазифазовый синхронизм. Эффект фоторефракции.
контрольная работа, добавлен 12.06.2012Построение системы уравнений для нахождения коэффициента отражения спиновых волн от полубесконечного магнетика с дефектным слоем на основе метода матриц преобразований. Выявление зависимости коэффициента отражения от параметров материала и частоты волны.
статья, добавлен 22.01.2017Определение сущности спектрального анализа. Характеристика особенностей атомно-эмиссионного спектрального анализа. Рассмотрение источников возбуждения спектров: пламени, электрической дуги постоянного тока, высокочастотной индуктивно-связанной плазмы.
курсовая работа, добавлен 05.06.2016Определение внутренней энергии и полного числа фотонов. Закон Дюлонга и Пти. Тепловые колебания в решетке. Электроны проводимости в металле. Полная энергия газа. Уравнение состояния идеального газа. Теплоемкость электронного газа. Основное состояние ядра.
лекция, добавлен 01.10.2014Техническое описание метода определения удельного электрического сопротивления графита в диапазоне высоких температур от 1000 до 3300 K (ниже температуры сублимации) с использованием электротермического атомизатора атомно-абсорбционного комплекса.
статья, добавлен 26.10.2010Проблеми встановлення закономірностей фізичних процесів низькотемпературного формування структури приповерхневих шарів твердих тіл під впливом атомно-іонних потоків. Комплекс математичних моделей для комп’ютерного моделювання процесів структуроутворення.
автореферат, добавлен 29.01.2016Рассмотрение нано- и микроструктуры поверхностей кристаллов NaCl и глюкозы, полученных из растворов, подвергшихся воздействиям, которые не меняли их химический состав. Изучение особенностей изменения свойств воды после ее омагничивания, замораживания.
статья, добавлен 24.02.2015- 112. Комп’ютерне моделювання зображень поверхонь i контактних взаємодiй в атомно-силовому мiкроскопi
Розроблення методики комп`ютерної побудови зображень поверхонь з дефектами в атомно-силовому мiкроскопi в режимах постiйної сили i висоти сканування. Вивчення впливу радiуса вiстря i режимiв на роздiльну здатнiсть, контраст зображень та висоти зближення.
автореферат, добавлен 15.07.2014 Роль конкурирующих взаимодействий в формировании магнитной структуры кристалла. Особенности магнитного резонанса в кристаллах оксокупратов и редкоземельных ферроборатов. Влияние внешнего магнитного поля. Построение магнитных фазовых диаграмм кристаллов.
автореферат, добавлен 02.03.2018Знакомство с входными и выходными характеристиками транзистора. Анализ причин роста тока эмиттера. Особенности транзисторов, работающих при высокой плотности тока. Основные причины роста коллекторного напряжения. Этапы расчета транзисторных схем.
реферат, добавлен 21.07.2013Характеристика механизмов возникновения и параметров кавитационных пузырьков. Исследование особенностей тепловой и механической кавитации. Рассмотрение термодинамики кавитационных пузырьков. Изучение асимметрии роста и схлопывания данных пузырьков.
реферат, добавлен 29.05.2015Физическая модель возникновения сил внешнего трения. Расчет молекулярной и механическая составляющих сил трения. Суммарный коэффициент трения для единичного контакта. Коэффициент трения шероховатых поверхностей. Расчет внешнего трения шероховатых тел.
реферат, добавлен 15.09.2009Полупроводниковый лазер как лазер с активной средой полупроводникового кристалла. Структура лазера и его активная среда. Резонатор и система накачки. Условие лазерной генерации и порог возбуждения. Применение полупроводникового лазера в лазерной арфе.
курсовая работа, добавлен 18.02.2016Анализ физических механизмов, приводящих к формированию дискретных изменений магнитных моментов атомов. Формирование в атомах, имеющих одинаковый заряд ядра, нескольких возможных дискретных значений магнитных моментов. Анализ формы кристалла ядра атома.
статья, добавлен 29.09.2012Рассмотрение возможных путей возбуждения атомов. Расчет интенсивности спектральной линии. Изучение закона Больцмана. Характеристика принципиальной схемы спектрального прибора. Анализ конструкции светофильтра - устройства, меняющего спектральный состав.
контрольная работа, добавлен 04.10.2014Знакомство с особенностями использования кристаллографических индексов граней. Общая характеристика закона рациональности отношения параметров. Анализ основных способов определения символов граней. Рассмотрение ключевых правил написания символов.
презентация, добавлен 23.09.2013История возникновения, применение и предназначение микроскопа, характеристика и отличительные черты его видов. Принцип построения простого и сложного микроскопа, ход лучей в приборе. Замечание о максимальном увеличении микроскопа, предел его разрешения.
реферат, добавлен 23.04.2017- 122. Установка для облучения твердых тел плазмой емкостного высокочастотного разряда низкого давления
Описана экспериментальная установка, предназначенная для облучения твердых тел плазмой емкостного высокочастотного разряда низкого давления в воздухе. Результаты применения данной установки для плазменной обработки одноосного кристалла ниобата лития.
статья, добавлен 30.08.2021 Основные эксплуатационные характеристики для атомно-абсорбционных спектрометров (ААС). Способ определения границ аналитического времени жизни (АВЖ) графитовых трубчатых печей. Пределы аналитического времени жизни на примере элемента медь и печей.
реферат, добавлен 23.10.2010Полимерные кантилеверы и сенсоры на их основе. Метод создания тонких полимерных пленок. Точность определения кантилеверного отклонения. Сканирующая зондовая атомно-силовая микроскопия, как мощный инструмент изучения поверхностей исследуемых объектов.
курсовая работа, добавлен 25.12.2015Рассмотрение истории создания сканирующего зондового микроскопа. Изучение микрофлоры воды с помощью микроскопии. Туннельный эффект зонда - квантовое явление проникновения микрочастицы из одной доступной области движения в другую, отделённую барьером.
реферат, добавлен 14.12.2015