Полупроводниковые диоды
Диод как двухэлектродный полупроводниковый прибор, состоящий из одного p-n перехода. Вольт-амперная характеристика p-n перехода. Синтез схемы для снятия ВАХ прямой ветви диода в Мультисим 14. Схема для снятия ВАХ обратной ветви диода. Поиск пробоя.
Подобные документы
Электронно-дырочный переход, его получение в едином кристалле полупроводника. Структура и графики распределения потенциала, вольтамперная характеристика (ВАХ) p-n-перехода, виды электронно-дырочного перехода. Принцип действия и параметры стабилитрона.
реферат, добавлен 02.08.2009Полевой транзистор с цифровым интерфейсом. Схема, реализующая возможность снятия крутизны полевого транзистора. Требования к цифровому устройству, реализующему процедуру снятия зависимости крутизны полевого транзистора. Управляемый источник напряжения.
курсовая работа, добавлен 07.08.2013Создание инверсной населенности в полупроводниках. Типы структур переходов. Особенности инжекционных лазеров. Параметры лазерного диода. Многослойные структуры. Искусственные квантовые ящики. Характеристики светодиодов, фотодиодов, фототранзисторов.
курсовая работа, добавлен 22.02.2015Свойства каскада с общим эмиттером. Вольт-амперная характеристика эмиттерного повторителя. Анализ работы схемы с общей базой. Определение коэффициентов усиления по напряжению, току и мощности. Виды смещения транзисторов, влияние на фазу входного сигнала.
реферат, добавлен 01.06.2014Характеристики полупроводниковых приборов, имеющих два p-n перехода, пригодных для усиления мощности электрических сигналов. Принцип инжекции носителей в базу транзистора. Свойства коллекторного перехода. Отличия кремниевого и германиевого транзисторов.
реферат, добавлен 24.04.2017Изучение математических моделей полупроводниковых выпрямительных диодов. Исследование вольтамперной характеристики выпрямительного диода в зависимости от температуры. Графоаналитический метод расчета электрической цепи с нелинейными элементами (диодами).
лабораторная работа, добавлен 04.12.2017Электропроводность полупроводников, действие полупроводниковых приборов. Рекомбинация электронов и дырок в полупроводнике и их роль в установлении равновесных концентраций. Нелинейные полупроводниковые резисторы. Верхние разрешенные энергетические зоны.
лекция, добавлен 04.10.2013Исследование полупроводникового диода, биполярных транзисторов и транзисторных усилителей, неуправляемых однофазных выпрямителей, управляемых однофазных выпрямителей. Расчет динамического сопротивления стабилитрона, коэффициента нестабильности.
лабораторная работа, добавлен 16.12.2015Влияние тепловых флуктуаций тока нормальных электронов на переход, резонансные свойства антенны и меняющуюся с частотой часть импеданса, связанную с электродинамическим окружением перехода и дающую вклад на данных частотах. Параметры эквивалентной схемы.
статья, добавлен 03.11.2018Строение и принцип действия резонансно-туннельного диода. Изучение резонансного туннелирования в двухбарьерной структуре. Влияние параметров концепции на вольтамперные характеристики. Расчет коэффициента прохождения в полупроводниковых наноструктурах.
курсовая работа, добавлен 11.01.2016История изобретения полупроводниковых приборов диода и транзистора, принципы их работы и дальнейшее применение. Разработка и появление интегральных микросхем, особенности их применения. Технологии изготовления элементной базы для электронной техники.
реферат, добавлен 09.12.2015Оптоэлектронные приборы, их определение, устройство и принцип работы. Выпрямительные диоды, их определение и устройство. Работа транзистора в режиме насыщения. Принципиальные особенности оптоэлектронных устройств. Распространение световых лучей.
контрольная работа, добавлен 09.01.2011Моделирование электрооптического преобразователя. Параметры и характеристики светодиодов. Принцип осуществления цифровой модуляции лазерного диода. Математическая модель электрооптического преобразователя. Уменьшение материальной дисперсии диодом.
реферат, добавлен 27.02.2013Характеристика истории создания гетеродинного приемника и анализ его принципа действия. Описание схемы телеграфной радиолинии. Вольтамперная характеристика детектора. Определение крутизны и кривизны для современного диода Д2 по вольтамперной зависимости.
курсовая работа, добавлен 28.05.2014- 90. СВЧ-диоды
Рассмотрены СВЧ-диоды как устройства, используемые в СВЧ-технологиях для генерации, управления и детектирования сигналов высоких частот. Они имеют специальную конструкцию и материалы, которые позволяют им работать в диапазоне сверхвысоких частот.
статья, добавлен 11.09.2024 - 91. Прибор тиристор
Тиристор – полупроводниковый прибор с двумя устойчивыми состояниями (включён или выключен). Основные элементы в силовых устройствах электроники. Динисторы и их использование в слаботочных импульсных устройствах. Коэффициенты передачи токов и их расчет.
презентация, добавлен 23.09.2016 - 92. Р-п переходы
Структура, содержащая дырочную и электронную области полупроводника. Носители заряда (электроны и дырки). Понятие области объёмного заряда. Контактная разность потенциалов. Выявление отличий реальных характеристик от идеальных. Паразитная ёмкость диода.
лекция, добавлен 26.10.2013 Контакты с участием полупроводниковых материалов. Средства управления потоками носителей в полупроводниках, применяемые при проектировании и изготовлении диодов и в частности – диодов Шоттки. Эффект поля и поверхностная концентрация электронов и дырок.
курсовая работа, добавлен 08.10.2017Схематическое изображение структуры диода на основе контакта полупроводников. Анализ изменения соотношения между диффузионными и дрейфовыми составляющими потоков электронов и дырок при прямом и обратном напряжениях на электронно-дырочной структуре.
учебное пособие, добавлен 05.12.2016Области применения и технические характеристики датчиков температуры. Особенности полупроводниковых температурных датчиков. Преимущества и недостатки датчиков на основе диодов и транзисторов, терморезисторов и пленочных полупроводниковых приборов.
реферат, добавлен 06.08.2010Изучение устройства и назначения пассивных элементов электрических цепей: резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности. Техническая характеристика полупроводниковых приборов с p–n переходом: диоды, стабилизаторы, варикап. Операционные схемы усилителей.
курс лекций, добавлен 05.07.2013Свойства электронно-дырочного или p-n-перехода. Диод как электронный элемент, обладающий различной проводимостью в зависимости от направления электрического поля, свойства и применение транзистора и тиристора. Однокаскадные и двухкаскадные усилители.
курсовая работа, добавлен 18.05.2014Структура и параметры p-i-n диода. Сопротивление i-слоя при подаче прямого СВЧ тока. Технология производства p-i-n диодов. Брак, связанный с технологией изготовления структуры, на сборочных операциях. Причины брака при основных технологических операциях.
дипломная работа, добавлен 23.09.2018Анализ особенностей создания инверсной населенности в полупроводниках. Характеристика идеальной зонной схемы для гетероперехода в условиях равновесия. Энергетическая диаграмма активных структур инжекционного лазера. Спектр излучения лазерного диода.
курсовая работа, добавлен 22.12.2014- 100. Электронная техника
Физические основы полупроводников. Виды пробоев электронно-дырочного перехода. Собственная проводимость полупроводников i-типа. Основные параметры полупроводниковых диодов и их маркировка. Принцип действия биполярного транзистора, схемы включения.
курс лекций, добавлен 04.03.2017