Варисторы
Отличительные особенности и параметры варисторов – полупроводниковых резисторов с симметричной вольт-амперной характеристикой. Их виды - низковольтные и высоковольтные. Преимущества и недостатки дисковых оксидно-цинковых варисторов серии TVR(FNR).
Подобные документы
Применение резисторов специального назначения в измерительных приборах, системах автоматики, счетно-решающих устройствах. Сопротивление подстрочных резисторов. Устройство пленочного резистора. Характеристики резисторов. Система условных обозначений.
контрольная работа, добавлен 06.02.2012Паразитная емкость резистора, индуктивность и нелинейность вольт-амперной характеристики. Высокоомные малогабаритные проволочные резисторы и нулевого сопротивления. Кодирование буква-цифра-цифра. Основные характеристики и классификация конденсаторов.
контрольная работа, добавлен 07.11.2012Расчет амплитудного и фазового спектра заданного колебания, определение мощности в спектре. Выбор несущей частоты. Расчёт и модель избирательной цепи. Кусочно-линейная аппроксимация вольт-амперной характеристики безинерционного нелинейного элемента.
контрольная работа, добавлен 06.08.2013- 29. Разработка технологического маршрута очистки полупроводниковых пластин для микроэлектронных изделий
Факторы влияния на электрические и оптические параметры электронных полупроводниковых приборов и их стабильность. Основные этапы очистки кристаллов в зависимости от вида загрязнения. Анализ проблем обработки поверхности пластин полупроводников.
статья, добавлен 03.06.2016 Физические основы работы твердотельных, газовых, жидкостных и полупроводниковых лазеров. Типы лазеров, примененных в оптоэлектронных приборах. Структура, параметры, достоинства и деградация полупроводниковых лазеров. Оптический передающий модуль.
лекция, добавлен 17.08.2014Принципы компьютерного моделирования схем на базе метода узловых потенциалов с использованием ступенчатой аппроксимации вольт-амперной характеристики диода. Разработка визуального обучающего конструктора. Пример моделирования диодно-резистивной схемы.
статья, добавлен 21.06.2018Результаты экспериментальных исследований влияния подгонки сопротивления и топологических параметров мощных высокочастотных планарных резисторов на их частотные характеристики, разработка рекомендаций по способам подгонки и оптимизации топологии.
статья, добавлен 07.11.2018Технологический цикл изготовления структур транзисторов, резисторов и конденсаторов при производстве полупроводниковых интегральных схем. Пример профиля структуры полупроводниковой ИС. Применение ИС вместо дискретных элементов электронных устройств.
презентация, добавлен 23.09.2016Методика расчета дискретного силового тиристора. Выбор материала и расчет параметров конструкции. Расчет диаметра тиристорного элемента и вольт-амперной характеристикии, выбор конструкции корпуса. Технологическая реализация проектируемого тиристора.
курсовая работа, добавлен 18.05.2012Расчет параметров полупроводникового лазера. Определение дифференциального квантового выхода, ширины спектра излучения, скорости модуляции и потерь в волноводном световоде. Построение ватт-амперной характеристики. Виды дисперсии в волоконных световодах.
контрольная работа, добавлен 15.12.2012Измерение температуры корпуса диода. Изготовление паза для размещения проводов. Изучение общего вида электронного термометра ТМ-977. Схема 20-ти ступенчатого источника стабильных токов. Сборка экспериментальной установки. Получение математической модели.
лабораторная работа, добавлен 02.05.2015Контакты с участием полупроводниковых материалов. Средства управления потоками носителей в полупроводниках, применяемые при проектировании и изготовлении диодов и в частности – диодов Шоттки. Эффект поля и поверхностная концентрация электронов и дырок.
курсовая работа, добавлен 08.10.2017Физические основы полупроводников. Виды пробоев электронно-дырочного перехода. Собственная проводимость полупроводников i-типа. Основные параметры полупроводниковых диодов и их маркировка. Принцип действия биполярного транзистора, схемы включения.
курс лекций, добавлен 04.03.2017Методика исследования вольтамперных характеристик диодов. Анализ результатов измерения стабилитрона. Типовые схемы включения полупроводниковых диодов и области их применения. Порядок определения параметров исследованных полупроводниковых приборов.
лабораторная работа, добавлен 22.05.2022Понятие и виды радиопередающих устройств. Изучение строения и принципа работы радиопередающего устройства на полупроводниковых приборах. Характеристика основных принципов построения передатчиков коммерческой связи, реализующих частотную модуляцию.
курсовая работа, добавлен 16.02.2016Основы полупроводниковой техники, принцип работы диодов, транзисторов, полупроводниковых резисторов. Характеристика оптоэлектронных устройств. Аналоговые и цифровые интегральные микросхемы, их схемы, принцип работы и основные логические функции.
методичка, добавлен 30.10.2015Свойства и виды (простые и сложные) полупроводниковых материалов. Основные методы промышленного получения монокристаллов соединений: метод Чохральского, направленная кристаллизация. Классификация и общая характеристика полупроводниковых соединений.
доклад, добавлен 15.10.2011Теоретические сведения об основных элементах радиоэлектронной аппаратуры. Расчет и схема фильтра Чебышева. Ключевые характеристики конденсаторов, рабочие параметры резисторов, разновидности катушек индуктивности, технические особенности их применения.
курсовая работа, добавлен 14.01.2016Назначение и принцип работы микрополосоквых антенн, их основные параметры. Выбор материала антенной решетки и ориентировочное определение конструктивных размеров микрополоскового излучателя. Преимущества и недостатки микрополосковых излучателей.
контрольная работа, добавлен 23.12.2018Электронно-дырочный переход, его получение в едином кристалле полупроводника. Структура и графики распределения потенциала, вольтамперная характеристика (ВАХ) p-n-перехода, виды электронно-дырочного перехода. Принцип действия и параметры стабилитрона.
реферат, добавлен 02.08.2009Полярность напряжения, приложенного между выводами базы. Структура неуправляемого тиристора. Основные параметры динистора. Схема включения n-p-n-фототранзистора с оборванной базой. Условное обозначение (маркировка) полупроводниковых приборов, их виды.
лекция, добавлен 04.10.2013Классификация полупроводниковых диодов по функциональному назначению: выпрямительные и специальные. Вольтамперная характеристика, основные параметры и допустимые режимы использования диодов, понятие пробоя тока. Свойства германиевых и кремниевых приборов.
реферат, добавлен 27.12.2010Знакомство с классификацией полупроводниковых приборов по признаку их функционального назначения в радиоэлектронных схемах. Варикап как полупроводниковый нелинейный управляемый конденсатор. Особенности параметрических и полупроводниковых диодов.
дипломная работа, добавлен 21.08.2015Кодирование чисел с помощью электронно-вычислительных машин. Виды преобразователей кодов. Дешифраторы в системах цифровой индикации. Основные параметры серии микросхем на основе ТТЛШ технологий. Расчет электрической принципиальной схемы устройства.
контрольная работа, добавлен 10.12.2013Состав базового микропроцессорного комплекта серии КР580, его основные параметры. Операции, задаваемые управляющими сигналами программируемого параллельного интерфейса. Основные электрические параметры микросхемы КР580ВВ55, ее графическое обозначение.
реферат, добавлен 26.10.2015