Характеристика полевых транзисторов
Проведение исследования полупроводниковых приборов со встроенным и индуцированным каналом. Характеристика температурных свойств полевых транзисторов. Особенность большого входного сопротивления устройства на постоянном токе и высокой технологичности.
Подобные документы
Методика исследования вольтамперных характеристик диодов. Анализ результатов измерения стабилитрона. Типовые схемы включения полупроводниковых диодов и области их применения. Порядок определения параметров исследованных полупроводниковых приборов.
лабораторная работа, добавлен 22.05.2022Устройство и принципы работы приборов наноэлектроники: транзисторов на резонансном туннелировании и эффекте кулоновской блокады, цифровых переключающих приборов на атомных и молекулярных шнурах. Усовершенствование традиционной элементной базы электроники.
презентация, добавлен 24.05.2014Оценка коэффициента полезного действия компенсационных стабилизаторов и габаритной мощности силового трансформатора. Расчёт выходного сопротивления, элементов схем защиты от перегрузок по току, оптимизация конструкции охладителей для силовых транзисторов.
курсовая работа, добавлен 01.10.2017Электрические и физические свойства области расположения элементов интегральных транзисторов и значение изоляции. Характеристика операций технологического процесса производства биполярных полупроводниковых ИМС с диэлектрической изоляцией элементов.
реферат, добавлен 22.02.2009Выбор функциональной схемы электронного блока. Основание выбора элементарной базы замкнутой САУ с токовым контуром. Выбор транзисторов и диодов. Драйверы силовых транзисторов. Расчет тепловых потерь мощного ключа. Задатчик на базе терморезисторов.
курсовая работа, добавлен 24.12.2018- 106. Интегральные схемы
Технологический цикл изготовления структур транзисторов, резисторов и конденсаторов при производстве полупроводниковых интегральных схем. Пример профиля структуры полупроводниковой ИС. Применение ИС вместо дискретных элементов электронных устройств.
презентация, добавлен 23.09.2016 Изготовление твердотельных интегральных транзисторов методами планарной или изопланарной технологий. Материалы, необходимых для изготовления планарного транзистора. Расчет профиля легирования примесей и количества диффузанта при загонке примеси.
контрольная работа, добавлен 02.02.2016Рассмотрение основных способов определения дифференциального сопротивления RCT стабилитрона. Общая характеристика особенностей полупроводниковых приборов. Знакомство с формулой, по которой рассчитывается дифференциальное сопротивление стабилитрона.
контрольная работа, добавлен 13.01.2020Полевой транзистор - плоский конденсатор, между обкладками которого в диэлектрике помещён полупроводник, который является токопроводящим каналом. Зондовая станция - инструмент для непосредственного электрического подключения к тестовым транзисторам.
дипломная работа, добавлен 30.06.2017Возникновение ЭВМ на радиолампах. Исследование влияния полупроводниковых диодов. Переход от точечной и сплавной технологий создания транзисторов к диффузионной. Сущность процесса фотолитографии. Этапы изготовления микросхемы. Интенсивность ее отказов.
лекция, добавлен 01.09.2013- 111. Полевые транзисторы
Срок службы полупроводниковых триодов и их экономичность. Преимущества транзисторов по сравнению с электронными лампами. Чувствительность к повышению температуры, электрическим перегрузкам. Устройство полевого транзистора, схемы включения и параметры.
реферат, добавлен 10.03.2016 Производственный процесс по изготовлению транзисторов, диодов, микросхем, процессоров, микроконтроллеров. Технологические и контрольные операции при производстве полупроводниковых изделий. Использование фотолитографии и литографического оборудования.
презентация, добавлен 21.03.2022Фундамент развития электроники и создания электронных приборов. Изобретение лампы накаливания. Создание электровакуумного диода и приемо-усилительных радиоламп. Предпосылки появления транзисторов, интегральных микросхем. Этапы развития микроэлектроники.
дипломная работа, добавлен 07.07.2014Требования к монтажу кристаллов MOS-транзисторов. Технологии пайки эвтектическим сплавом золото-кремний и припоями из сплавов металлов. Особенности монтажа на токопроводящую клеевую композицию. Подготовка поверхности для обеспечения процесса пайки.
дипломная работа, добавлен 28.08.2018Изучение влияния ионизирующего излучения на МОП-транзисторы. Генерация электронно-дырочных пар. Измерение и анализ характеристик схем после воздействия ионизирующего излучения. Описание среды моделирования LTSpice. Анализ характеристик транзисторов.
дипломная работа, добавлен 01.12.2019Транзистор, его функциональные особенности. Возникновение транзисторов, их классификация и применение. Полевые транзисторы, расчёт и построение нагрузочной прямой. Биполярные транзисторы, расчёт усилительного каскада. Общие сведения об электронных ключах.
курсовая работа, добавлен 21.11.2013Структура, типы и параметры полупроводниковых транзисторов. Типы проводимости и управляющих переходов. Способы изоляции элементов интегральных микросхем. Схемы включения и режимы работы трёхполюсников. Измерение коэффициента передачи тока и напряжения.
курс лекций, добавлен 03.03.2018Использование эффекта значительного увеличения входного сопротивления усилителя для получения большого сопротивления. Оценка эффекта компенсации емкости соединительного кабеля при использовании усилителя. Измерение выходного напряжения милливольтметром.
лабораторная работа, добавлен 10.09.2015- 119. Полярные транзисторы
Срок службы полупроводниковых триодов и их экономичность по сравнению с электронными лампами. Типы транзисторов: биполярные и полевые. Основные материалы, из которых изготовляют транзисторы. Максимально допустимые параметры полевого транзистора.
реферат, добавлен 11.01.2012 - 120. Электронная техника
Движение электронов в электрических и магнитных полях, электропроводность полупроводников. Устройство, классификация и основные параметры полупроводниковых диодов. Устройство, классификация, схемы включения и принцип действия биполярных транзисторов.
учебное пособие, добавлен 16.04.2015 Обзор принципа действия устройства звукового оповещения. Обоснование элементной базы. Выбор головки динамической, конденсаторов, микросхем, резисторов и транзисторов. Расчет печатной платы и надежности устройства. Описание конструкции электронного звонка.
курсовая работа, добавлен 14.02.2015Конструкция и принципы классификации полупроводниковых диодов. Преобразование переменного тока с помощью выпрямительного диода; работа в импульсных цепях. Изучение основных особенностей транзисторов. Расчет и основные характеристики МДП-транзистора.
курсовая работа, добавлен 30.11.2013Анализ прогресса в изготовлении транзисторов. Влияние попадания тяжелых заряженных частиц на работу транзисторов и КМОП-ячейки памяти. Моделирование воздействия заряженных частиц при разных размерах и разной температуре. Влияние радиации на транзисторы.
дипломная работа, добавлен 28.11.2019Особенность применения пневмоприводов в робототехнике. Проведение исследования структурной схемы микроконтроллерной системы управления манипулятора МП-9С. Характеристика измерения частоты входного сигнала с датчика методом частотного заполнения.
статья, добавлен 27.11.2018Зависимость проводимости полупроводников от температуры. Терморезисторы, датчики Холла. Классификация полупроводниковых приборов. Вольт-амперная характеристика полупроводникового диода. Однополупериодные выпрямители на полупроводниковых диодах.
реферат, добавлен 31.03.2015