Рабочий режим биполярных транзисторов
Наблюдение небольших нелинейных искажений. Процесс усиления сигнала в классе А. Определение четырех параметров данного каскада (четырехполюсника). Влияние температуры. Зависимость от соотношения входного сопротивления транзистора. Синусоидальная ЭДС.
Подобные документы
Разработка структурной схемы передатчика с амплитудной модуляцией на транзисторах. Выбор транзистора оконечного каскада. Расчет первого и второго промежуточного каскада усиления, питания и смещения, коллекторной цепи, коэффициента фильтрации гармоник.
курсовая работа, добавлен 20.01.2016Расчет параметров и характеристик МОП-транзисторов на основе дырочного кремния, со встроенным каналом. Изучение понятия и сущности транзисторов, анализ их основных видов. Классификация полевых транзисторов. Анализ концентрации легирующей примеси в канале.
курсовая работа, добавлен 14.06.2020Определение значения сопротивления, режима работы транзистора. Напряжение между коллектором и эмиттером. Амплитуда тока нагрузки. Параметры режима покоя транзистора. Падение напряжения на сопротивлениях. Коэффициент нестабильности работы каскада.
контрольная работа, добавлен 25.04.2013Осуществление управления током в выходной цепи за счет изменения входного напряжения или тока. Характеристика принципа действия и способов применения транзисторов. Улучшение параметров транзисторов BISS за счет изменения конструкции зоны эмиттера.
реферат, добавлен 08.06.2021Расчет и выбор транзисторов. Максимальный ток коллектора. Мощность, рассеиваемая на коллекторе транзистора. Минимальные нелинейные искажения для малых сигналов. Расчет общего входного сопротивления схемы. Расчет эмиттерного повторителя и элементов схемы.
курсовая работа, добавлен 10.03.2015Многолучевой прием сигнала цифрового телевизионного вещания. Искажение сигнала в частотно-селективном канале. СOFDM-модуляция при формировании радиосигнала. Компромисс между отношением сигнал/шум и уровнем нелинейных искажений в канале передачи сигнала.
курсовая работа, добавлен 13.07.2015Построение схемы оконечного каскада на комплиментарной паре. Использование RC-каскада на биполярном транзисторе. Расчет амплитуды выходного тока и сопротивления в цепи эмиттера. Вычисление усилителя на интегральных микросхемах и источника питания.
курсовая работа, добавлен 06.12.2012Понятие электродов биполярных транзисторов. Полярность напряжения на коллекторе относительно эмиттера необходимая для работы биполярных n-p-n транзисторов. Особенность выбора величины постоянного напряжения на коллекторе при резистивной нагрузке.
контрольная работа, добавлен 28.12.2014Конструкция, строение и принцип действия транзисторов. Анализ их работы с разной схемой включения. Виды параметров транзисторов. Типы приборов и их системы обозначений. Расчет маломощного биполярного транзистора на основе германия, усиление его мощности.
курсовая работа, добавлен 18.12.2012Схема усилительного каскада. Максимально допустимый постоянный ток коллектора. Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой. Напряжение между базой и эмиттером, входное сопротивление каскада.
контрольная работа, добавлен 24.12.2012Фильтрация входного квазидетерминированного сигнала. Определение его математического ожидания. Корреляции импульсного отклика фильтра. Оценка спектра мощности и дисперсии сигнала на выходе. Расчет коэффициента усиления шумов и функции когерентности.
статья, добавлен 15.11.2018Методика расчета основных параметров, характеризующих работу каскадных усилителей: коэффициент усиления по напряжению, частотных искажений каскада. Напряжение смещения в транзисторном каскаде при использовании схемы эмиттерной температурной стабилизации.
методичка, добавлен 12.11.2013Основная классификация полупроводников и структур на их основе. Улучшение параметров транзисторов с помощью явления сверхинжекции. Проведение исследования гетеропереходных биполярных транзисторов на основе GaAs. Характеристика оптоэлектронных приборов.
презентация, добавлен 20.01.2022Проведение исследования полупроводниковых приборов со встроенным и индуцированным каналом. Характеристика температурных свойств полевых транзисторов. Особенность большого входного сопротивления устройства на постоянном токе и высокой технологичности.
лекция, добавлен 23.09.2016Параметры цифровых интегральных микросхем К561ЛА7 и К561ТМ2, маломощных кремниевых транзисторов КТ315 и КТ3102, кремниевого эпитаксиально-планарного транзистора КТ815. Время задержки распространения сигнала. Цветовая маркировка транзисторов КТ3102.
контрольная работа, добавлен 22.01.2015- 116. Телевидение
Изучение основных принципов формирования полного телевизионного сигнала и измерение его параметров. Исследование линейных искажений ТВ сигнала и формирование сигналов первичных цветов передачи. Оценка параметров ЖК мониторов по испытательной программе.
методичка, добавлен 16.09.2014 Электрическая принципиальная схема регулятора сигнала, восьмиразрядный аттенюатор с дискретным управлением, служащий для оперативного изменения коэффициента передачи входного высокочастотного сигнала. Расчёт толстоплёночных резисторов и конденсаторов.
курсовая работа, добавлен 17.11.2012Условия согласования интегрального малошумящего усилителя с источником сигнала, результаты моделирования зависимостей коэффициента передачи по напряжению и коэффициента шума от длины эмиттера биполярного транзистора и ширины затвора МОП транзистора.
статья, добавлен 15.08.2013Принципиальная схема резисторного каскада усиления на биполярном транзисторе. Исследование частотных характеристик резисторного каскада усиления с использованием САПР Multisim. Разработка усилителя на биполярном транзисторе с заданными характеристиками.
курсовая работа, добавлен 27.04.2016Расчёт импульсного усилителя в транзисторном варианте и на операционном усилителе. Выбор транзистора для выходного каскада и микросхемы операционного усилителя. Определение параметров транзистора на основе рабочей точки, приращение в ней тока, напряжения.
курсовая работа, добавлен 18.01.2016Области применения транзисторов в современной электронике. Интегральные микросхемы усиления мощности. Главные недостатки транзисторов на широкозонных полупроводниках. Влияние технологии выращивания кристаллов и подложек на себестоимость транзисторов.
статья, добавлен 08.06.2018Ознакомление с предварительными данными для расчета усилителя. Характеристика процесса выбора транзистора и напряжения источника питания. Расчет режима транзистора по постоянному току, а также элементов, обеспечивающих рабочий режим транзистора.
контрольная работа, добавлен 31.10.2014Принцип действия, типы и схемы включения биполярных транзисторов. Причины инжекции электронов из эмиттера в базу. Определение коэффициента усиления по току и напряжению. Усиление света в полупроводниках. Квантовые генераторы и светоизлучающие диоды.
реферат, добавлен 04.12.2018Применение различных типов материалов в качестве теплопроводящего слоя в месте контакта металлического основания транзистора и охлаждающего основания платы. Влияние применение материала на параметры уровня выходной мощности LDMOS-транзистора BLF578XR.
статья, добавлен 23.03.2018Понятие усиления мощности как частного случая управления энергией, описание устройства усилителя, их типы. Расчет каскада предварительного усиления, его амплитудно-частотной характеристики, стабилизированного источника напряжения и выпрямителя.
курсовая работа, добавлен 19.05.2009