Гетероструктуры сверхпроводник/ферромагнетик для применения в электронике и коммуникационных технологиях
Сверхпроводимость, ферромагнетизм и эффект Андреевского отражения. Применение гибридных структур в устройствах памяти. Вольт-амперные характеристики и плотности состояний SIFS-контакта. Рассчет зависисмости критического тока от толщины F-слоя в контакте.
Подобные документы
Явление полного внутреннего отражения, основные законы геометрической оптики. Сущность полного внутреннего отражения. Волновые уравнения с точки зрения уравнений Максвелла. Эффект полного отражения в волоконно-оптических линиях связи, оптическая мода.
курсовая работа, добавлен 18.12.2019Рассмотрение истории открытия, строения, химии фуллеренов. Изучение характеристик астраленов - побочного продукта производства фуллеренов. Техническое применение наноразмерных частиц в электронике; использование как сенсоров, эмиттеров, сверхпроводников.
реферат, добавлен 10.05.2014Понятие и функциональная структура PIN диода, его вольт-амперная характеристика. Особенности применения PIN-диодов в качестве радиочастотных и СВЧ переключателей, аттенюаторов, ограничителей и фотодетекторов. Схема девятидиапазонного полосового фильтра.
реферат, добавлен 08.09.2010Разработка устройства автоматизации, управляющего нагревательным элементом печи. Составление структурной логической схемы, выбор датчиков: оптических, термодатчиков и управления, их технические характеристики. Разработка печатной платы устройства.
реферат, добавлен 24.04.2014Вероятностные характеристики совокупности сигнала и помехи. Плотности вероятности при постоянной дисперсии шума. Анализ прохождения сигнала и помехи через типовые тракты в радиотехнических устройствах. Уменьшения дисперсии выходного случайного процесса.
реферат, добавлен 05.04.2011Напряжение пилообразной формы как напряжение, которое в течение некоторого времени изменяется по линейному закону, а затем возвращается к исходному уровню. Особенности применения генераторов линейно-изменяющихся импульсов в электронных устройствах.
контрольная работа, добавлен 21.09.2017Построение вольт-амперной характеристики идеализированного кремниевого диода в пределах изменения напряжения и принципиальной схемы усилителя. Принципы работы и параметры фотодиода. Определение величины сопротивления ограничительного резистора.
контрольная работа, добавлен 17.12.2011- 58. Цифровые данные
Использование дискретизации в гибридных вычислительных системах и цифровых устройствах. Осуществление модулем записи аналого-цифрового преобразования. Кодирование цифровых изображений и текста. Производные единицы измерения количества информации.
реферат, добавлен 23.10.2013 Понятие элементной базы устройств полупроводниковой электроники. Особенности классификации, вольт-амперных. Характеристики диодов, транзисторов, основные схемы включения и особенности их применения в конкретных приборах в различных режимах работы.
учебное пособие, добавлен 24.09.2014Применение протоколов обеспечения когерентности данных в оперативной памяти модулей биллинговых систем. Проектирование микропроцессорных систем с распределенной памятью. Модификации удаленных копий данных. Конкретная реализация разделяемой памяти.
реферат, добавлен 26.04.2017Основная классификация полупроводников и структур на их основе. Улучшение параметров транзисторов с помощью явления сверхинжекции. Проведение исследования гетеропереходных биполярных транзисторов на основе GaAs. Характеристика оптоэлектронных приборов.
презентация, добавлен 20.01.2022Закономерности внешнего и внутреннего фотоэффекта. Принцип действия, устройство и конструкция фотоэлементов, фоторезисторов, фотодиодов и гибридных приемников. Параметры и характеристики фотоэлектрических приемников излучения, аспекты их применения.
учебное пособие, добавлен 07.08.2013Принцип действия биполярного транзистора. Ток электронов из эмиттера в коллектор. Отношение коллекторного тока к базовому. Использование в электронике усилителей по напряжению. Дифференциальное коллекторное сопротивление у схемы с общим эмиттером.
лекция, добавлен 26.10.2013Особенности применения в современной электронике операционных усилителей. Обозначение и устройство операционных усилителей. Получение коэффициента усиления с инверсией. Инвертирующий и логарифмирующий усилитель. Простейший резонансный усилитель.
лекция, добавлен 29.10.2013Анализ факторов, влияющих на увеличение интереса к киральным средам со стороны современной электродинамики. Методика получения системы дифференциальных уравнений для проекций на декартовы оси напряженностей полей внутри неоднородного кирального слоя.
статья, добавлен 04.11.2018Применение резисторов специального назначения в измерительных приборах, системах автоматики, счетно-решающих устройствах. Сопротивление подстрочных резисторов. Устройство пленочного резистора. Характеристики резисторов. Система условных обозначений.
контрольная работа, добавлен 06.02.2012Конструкция, максимальная рабочая частота варикапа, сферы применения. Коэффициент перекрытия по ёмкости. Построение вольт-фарадной характеристики. Расчет основных геометрических параметров. Дифференциальное сопротивление в рабочем диапазоне напряжений.
курсовая работа, добавлен 28.12.2019Моделирование вольт-амперных характеристик диода Шоттки на карбиде кремния 4H-SiC c контактом Шоттки из титана (Ti), с использованием программы TCAD. Максимальная напряженность электрического поля для карбида кремния, график обратной характеристики.
статья, добавлен 03.11.2018- 69. Туннельные поляронные эффекты и плотность состояний на уровне ферми двумерной электронной системы
Немонотонная зависимость туннельной плотности состояний на ферми-уровне от магнитного поля. Изменения формы фононных линий и достижения условий близости к резонансному поляронному состоянию. Изучение изготовленной молекулярно-лучевой эпитаксией структуры.
статья, добавлен 03.11.2018 Понятие микроканальной пластины, стадии формирования резистивно-эмиссионного слоя. Описание термовакуумного обезгаживания, применение фотонной обработки с использованием ультрафиолетового излучения. Изменение тока проводимости микроканальной пластины.
статья, добавлен 28.05.2017Создание криоэлектронных информационно-измерительных приборов на основе высокотемпературных сверхпроводников. Разработка технологии формирования многокомпонентных пленок и слоистых структур, используемых в ВТСП с учетом свойств исходных материалов.
автореферат, добавлен 27.03.2018Применение конденсаторов в радиотехнической и телевизионной аппаратуре, в технике счетно-решающих устройств. Конденсаторы в рентгенологической аппаратуре, в устройствах электротерапии, в фотографической технике. Емкость современных конденсаторов.
презентация, добавлен 22.04.2012Общая характеристика основных методов и средств фокусировки когерентного электромагнитного излучения в ограниченной области пространства. Знакомство с ключевыми особенностями широкополосных сфокусированных антенных систем, анализ сфер применения.
статья, добавлен 02.04.2019Математические модели сетей связи. Вывод систем дифференциальных уравнений Колмогорова для распределения вероятностей состояний моделей. Асимптотический анализ коммуникационных сетей. Возможности исследования математических моделей различных сетей связи.
дипломная работа, добавлен 24.06.2018Амплитудно-частотная характеристики как главный параметр частотного фильтра. Применение частотных фильтров в радиоэлектронных устройствах. Разница между пассивными и активными фильтрами, настройка плоттера. Моделирование фильтров нижних и верхних частот.
лабораторная работа, добавлен 28.12.2014