Розрахунок залежності фото електрорушійної сили напівпровідників від довжини хвилі та кута падаючого проміння
Фотоелектричні прилади на основі внутрішнього фотоефекту. Процес генерації вільних носіїв заряду. Довжина хвилі електромагнітного випромінювання. Вольт-амперна характеристика звичайного p-n-переходу. Відсутність вхідного сигналу на базі транзистора.
Подобные документы
Дослідження роботи двопроменевого осцилографа, генератора синусоїдальних, пилкоподібних і прямокутних сигналів, а також мультиметра та графобудівника. Особливості визначення амплітуди для кожної форми сигналу за допомогою мультиметра і осцилографа.
лабораторная работа, добавлен 23.05.2015Удосконалення оптоелектронних елементів прийому та реєстрації випромінювання на базі нових науково-технічних рішень і розробці нових типів інжекційних фотодіодів. Аналіз методу підвищення фоточутливості діодів шляхом реалізації інжекційного підсилення.
автореферат, добавлен 28.07.2014Общая характеристика биполярного транзистора как трехэлектродного, электропреобразовательного полупроводникового прибора. Изучение принципов, режимов работы и физических процессов биполярного транзистора. Расчет токов и пробоя биполярного транзистора.
курсовая работа, добавлен 01.05.2011Бездротові системи передачі даних. Інтегрування на тактовому інтервалі. Єдине рішення щодо підвищення завадостійкості демодуляції OFDM-сигналу. Перехід до модуляції мінімальної кратності. Коливання корисного сигналу. Формування компенсуючого сигналу.
статья, добавлен 24.01.2018Дослідження процесу визначення технічного стану сучасного радіоелектронного озброєння. Вивчення й характеристика класичних моделей Еберса-Мола, Бьюфойя-Спаркса, Лінвілла. Розрахунок дифузійного електронного струму. Аналіз струму переходу напівпровідника.
статья, добавлен 20.02.2016Задача синтезу оптимального вимірювального сигналу та обмеження, які необхідно враховувати при синтезі оптимальних сигналів. Розрахунок параметрів синусоїдальних або прямокутних сигналів без врахування як особливостей функціонування систем контролю.
статья, добавлен 26.07.2016Аналіз цифрових засобів вимірювання частоти та стабільності радіосигналів, їх переваги та недоліки. Шляхи забезпечення точності та підвищення швидкодії. Вдосконалення блоку синхронізації вхідного сигналу. Структура двоканального цифрового вимірювача.
статья, добавлен 29.09.2016Сущность и классификация транзисторов как радиоэлектронных компонентов из полупроводникового материала. Устройство биполярного транзистора. Эпитаксиальные транзисторы. Материалы для изготовления полупроводниковых приборов. Особенности расчёта транзистора.
курсовая работа, добавлен 21.02.2018Зависимость проводимости полупроводников от температуры. Терморезисторы, датчики Холла. Классификация полупроводниковых приборов. Вольт-амперная характеристика полупроводникового диода. Однополупериодные выпрямители на полупроводниковых диодах.
реферат, добавлен 31.03.2015Номінальний опір, інтервал робочих температур, максимально припустима потужність розсіювання - основні параметри терморезистора. Фотопровідність — фізичне явище, що визначається у зменшенні опору напівпровідника у разі збудження носіїв заряду світлом.
презентация, добавлен 07.02.2022Оцінка оптимальності виділення сигналу з шуму з використанням різних методів спектрального перетворення на прикладі сигналу з широтноімпульсною модуляцією. Підтвердження доцільності застосування методів, в основі яких покладено вейвлет перетворення.
статья, добавлен 27.07.2016Розробка схемотехнічних моделей багатоканальних гетероструктур, оптимізація фізико-топологічних параметрів транзисторів. Механізм підвищення дрейфової швидкості носіїв заряду у гетеротранзисторі з квантовими точками з урахуванням розмірного квантування.
автореферат, добавлен 29.07.2015- 113. К вопросу о разработке модели нелинейного двухполюсника с управляемой вольт-амперной характеристикой
Разработка схемы замещения нелинейного двухполюсника с вольт-амперной характеристикой. Использование аналого-цифро-аналогового элемента для решения задачи. Применение полиномов различной степени для аппроксимации характеристик нелинейных элементов.
статья, добавлен 28.07.2017 Розрахунки амплітуд гармонійних складових спектру. Аналіз побудови графічного зображення спектра на основі обчислень. Визначення значення верхньої частоти у практичному спектрі сигналу. Особливості побудови зворотного перетворення спектру у сигнал.
лабораторная работа, добавлен 20.08.2017Устройство и принцип действия биполярного транзистора. Характеристики и параметры биполярного транзистора в режиме малых сигналов. Зависимости коэффициентов статического и динамического усиления по току от коллекторного тока для маломощного транзистора.
реферат, добавлен 21.02.2015Проектування підсилювача низької частоти для отримання на заданому опорі кінцевого навантажувального пристрою необхідної потужності сигналу. Аналіз технічного завдання. Розрахунок параметрів елементів вихідного, третього, другого і першого каскадів ПНЧ.
курсовая работа, добавлен 09.01.2014Моделювання процесу збурення електромагнітного поля стороннім тілом. Розробка моделі випромінюючого кабелю і системи двох зв’язаних ліній з неоднорідністю збурення, способу вирівнювання чутливості в системі захисту та контролю на випромінюючих кабелях.
автореферат, добавлен 25.02.2015Електрооптичні та фотовольтаїчні елементи мікроелектроніки на основі нанорозмірних плівок електропровідних полімерів поліортометоксианіліну. Термовакуумне напилення молекулярних напівпровідників. Фоточутливі гетероструктури та їх фізичні властивості.
автореферат, добавлен 25.09.2015- 119. Нелінійні спотворення двотактних підсилювачів постійного струму з вибірковим зворотним зв’язком
Аналіз спотворень у двотактних підсилювачах постійного струму у діапазоні частот вхідного сигналу, Їх переваги перед однотактними. Симетричність фронтів перехідної характеристики під час реакції на прямокутниковий імпульс. Перший варіант побудови ДППС.
статья, добавлен 26.07.2016 Общие сведения о биполярном транзисторе, их конструкция. Пробой, режимы и принцип работы, вольт-амперные характеристики. Цоколевка транзистора KT375A. Обозначение на схемах. Модули проводимости прямой и входной передачи. Расчет характеристик KT375A.
курсовая работа, добавлен 14.04.2017Принципиальная схема оптореле и структура ячейки транзистора с двойной диффузией. Экспериментальные выходные характеристики кремниевого МОП-транзистора. Тепловое сопротивление ячейки. Электрическая и тепловая схемы транзистора в редакторе Symica.
статья, добавлен 17.07.2018Максимальна похибка вимірювання вихідного сигналу генератора. Спектр випромінювання цифрового телебачення. Знаходження займаної ширини смуги частот (ЗШСЧ) радіовипромінювання цифрового телебачення за модифікованим методом. Переваги оцінювання ЗШСЧ.
статья, добавлен 28.02.2017Опис та структурна схема транзистора КП302Б. Аналіз принципової електричної схеми та опис призначення усіх компонентів. Розрахунок номіналів компонентів, значення статичного та динамічного вихідного опору підсилювача та амплітудної характеристики.
курсовая работа, добавлен 06.06.2017Дослідження процесу частотної модуляції за допомогою програмного середовища MicroCap. Рівняння однотонального ЧМ сигналу при різних індексах модуляції. Часова залежність ЧМ-сигналу на інтервалі. Значення частот несучого та модулюючого коливання.
лабораторная работа, добавлен 06.06.2013Схема биполярного транзистора - полупроводникового элемента, имеющего трехслойную структуру, основные принципы его действия. Расчет выходной коллекторной характеристики транзистора. Коэффициент переноса или передачи тока от эмиттера к коллектору.
контрольная работа, добавлен 09.06.2016