Характеристика р-n перехода
Изучение структуры p-n перехода. Особенность возникновения потенциального барьера. Анализ прямого и обратного включений. Суть уменьшения дифференциального сопротивления. Осмотр туннельного, лавинного и теплового пробоев. Диффузионная и барьерная емкость.
Подобные документы
Уменьшение теплового сопротивления между горячим спаем термопар и теплоносителем за счет исключения "гарантированного" зазора и уменьшения толщины стали. Размещение индикатора уровня в корпусе реактора. Эксплуатация сборок внутриреакторных детекторов.
статья, добавлен 19.11.2018Установка электронных компонентов. Дискретные компоненты и микросхемы для поверхностного монтажа. Использование широких проводников платы в качестве дополнительного теплоотвода. Сокращение длины выводов компонентов для уменьшения теплового сопротивления.
лекция, добавлен 25.04.2017Адресно-аналоговые пожарные извещатели - один из важнейших элементов современных систем пожарной сигнализации. Методика расчета сопротивления термистора при номинальной температуре. Методы уменьшения инерционности чувствительного элемента извещателя.
статья, добавлен 26.01.2020Диод как двухэлектродный полупроводниковый прибор, состоящий из одного p-n перехода. Вольт-амперная характеристика p-n перехода. Синтез схемы для снятия ВАХ прямой ветви диода в Мультисим 14. Схема для снятия ВАХ обратной ветви диода. Поиск пробоя.
лабораторная работа, добавлен 01.06.2022Влияние тепловых флуктуаций тока нормальных электронов на переход, резонансные свойства антенны и меняющуюся с частотой часть импеданса, связанную с электродинамическим окружением перехода и дающую вклад на данных частотах. Параметры эквивалентной схемы.
статья, добавлен 03.11.2018Изучение схемы балансового каскада с активной нагрузкой, построенной на трех транзисторах. Анализ пути передачи входного сигнала. Определение сопротивления нагрузки транзистора. Защита балансных каскадов от большого дифференциального сигнала на их входах.
лекция, добавлен 04.10.2013Формула для идеального диода. Сопротивления контактов металл-полупроводник. Термогенерация носителей непосредственно в области p-n перехода. Поверхностные утечки. Энергетические уровни, обеспечивающие активные процессы генерации и рекомбинации, причины.
презентация, добавлен 23.09.2016Особенность сравнения полупроводниковых приборов с электронными лампами. Характеристика электронно-дырочного перехода. Рассмотрение вольтамперной характеристики диода и выявление его нелинейных свойств. Принцип действия и схема включения транзистора.
реферат, добавлен 15.11.2015Общая характеристика систем контроля доступа. Особенность считывателей магнитных карт. Описание структурной и электрической схемы электронного кодового замка. Выбор и обоснование способов по защите от коррозии, влаги электрических пробоев и нагрузок.
дипломная работа, добавлен 01.04.2016Особенность температурной нестабильности индуктивности при изменении температуры. Смена диэлектрической проницаемости материала каркаса. Анализ определения резистивного сопротивления и эффекта близости. Суть потерь в диэлектрике, сердечнике и экране.
лекция, добавлен 23.09.2016- 36. Варикапы
Использование варикапов в качестве конденсатора, емкость которого зависит от величины обратного напряжения. Порядок расчета параметрического стабилизатора напряжения. Назначение стабилизаторов, стабисторов, туннельных и обращенных диодов, транзисторов.
лекция, добавлен 06.09.2017 Особенность создания операционных усилителей для работы с обратной связью. Основные предостережения при использовании дифференциального устройства. Характеристика инвертирующих и неинвертирующих приборов. Главный анализ линейных элементов в цепи.
лекция, добавлен 21.02.2015Словесное описание работы программы, блок схемы алгоритмов программ и подпрограмм. Влияние примесей на свойства полупроводников, блок схема алгоритма программы. Введенные и рассчитанные значения, графики зависимости. Результаты работы программы в Mathcad.
курсовая работа, добавлен 31.05.2018Проведение исследования перехода со статических программ сопровождения на динамические комплексы. Характеристика использования программного комплекса "Простор" в решении задачи по уточнению расчета теплового баланса ядерной энергетической установки.
статья, добавлен 19.11.2018Механизм образования и электрическое поле в p-n переходе. Расчет контактной разности потенциалов и максимального электрического поля кремниевого p-n перехода. Расчет зависимости коэффициента передачи тока кремниевого p-n-p транзистора от напряжения.
курсовая работа, добавлен 18.10.2014Отличительные особенности квазигармонической формы представления сигнала. Характеристика прямого и обратного преобразования Гильберта. Аналитический сигнал и его главные свойства. Представление действительного сигнала через его квадратурные компоненты.
презентация, добавлен 25.09.2017Применение кода Грея. Наглядная схема правила перехода от двоичного кода к коду Грея. Схема преобразователя прямого кода в дополнительный. Моделирование преобразователя кодов в программе Electronic Work Bench, выбор наилучшего варианта реализации.
курсовая работа, добавлен 12.04.2014Рассмотрение основных способов определения дифференциального сопротивления RCT стабилитрона. Общая характеристика особенностей полупроводниковых приборов. Знакомство с формулой, по которой рассчитывается дифференциальное сопротивление стабилитрона.
контрольная работа, добавлен 13.01.2020Изучение свойств p-n перехода. Исследование принципов действия полупроводниковых диодов и триодов. Анализ схем включения транзисторов, их достоинств и недостатков. Рассмотрение областей применения. Построение выпрямителей и фильтров переменного тока.
реферат, добавлен 16.10.2017Аспекты согласования форматов файлов используемых для регистрации биологических сигналов. Характеристика структуры данных и перехода от собственных параметров к стандартным и при проведении государственных испытаний и сертификации медицинского изделия.
статья, добавлен 12.01.2018Расчет вольтамперной характеристики и идеализированного кремниевого диода в пределах изменения напряжения. Определение дифференциального сопротивления линейного участка. Анализ принципиальной схемы усилителя. Обзор принципа работы и параметров фотодиода.
задача, добавлен 28.10.2011Расчет энергомощностных характеристик для p–n-переходной структуры и структуры с барьером Шоттки при воздействии импульсного электромагнитного излучения. Оценка мощности теплового поражения по падающей внешней мощности и рассеиваемой внутренней мощности.
статья, добавлен 03.11.2018Изучение схемы практического применения электрического пробоя p-n-перехода для стабилизации напряжения. Характеристика параметров, описание устройства и действие стабилитронов - полупроводниковых диодов, работающих при обратном смещении в режиме пробоя.
реферат, добавлен 21.07.2013Рассмотрение распространения волн прямого и обратного направлений в структуре ограниченной длины с периодической неоднородностью меандрового вида. Особенности распространения одномерных волн, связанные с периодичностью структуры и "вторичной модуляцией".
статья, добавлен 05.11.2018- 50. Методи і моделі створення мобільних інформаційно-аналітичних систем управління кризисними ситуаціями
Аналіз даних для створення моделей і аналізу лавинного клімату. Метод розподілу надзвичайних ситуацій лавинного клімату на класи. Модель аналізу ситуацій та метод побудови структури мобільних систем для контролю лавинонебезпечних гірських ділянок.
автореферат, добавлен 29.09.2015