Электроника в электротехнических комплексах и системах в задачах
Биполярные транзисторы и усилители на их основе. Режимы работы транзистора. Точка покоя биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером (режим класса А). Работа биполярного транзистора, схема его включения и условные обозначения.
Подобные документы
- 101. Электронная техника
Физические основы полупроводников. Виды пробоев электронно-дырочного перехода. Собственная проводимость полупроводников i-типа. Основные параметры полупроводниковых диодов и их маркировка. Принцип действия биполярного транзистора, схемы включения.
курс лекций, добавлен 04.03.2017 Выбор транзистора для работы в составе широкополосного усилительного оконечного каскада. Расчет требуемого режима работы транзистора, цепей питания и термостабилизации. Каскад с высокочастотной индуктивной коррекцией. Принципиальная схема усилителя.
курсовая работа, добавлен 02.12.2012Расчет выходного усилительного каскада передатчика, коллекторной цепи транзистора, входной цепи. Амплитуда тока базы. Элементы эквивалентной схемы. Резистивная и реактивная составляющая входного сопротивления транзистора. Усиление транзистора по мощности.
курсовая работа, добавлен 16.12.2012Схема полосового усилителя. Сопротивление контура на резонансе. Полоса пропускания усилителя, коэффициент усиления. Схема двухкаскадного усилителя. Применение высокочастотного биполярного транзистора MMBR931. Расчет токов, сопротивления, токопотребления.
курсовая работа, добавлен 07.12.2015Определение, функции, свойства, основные принципы построения, работы и обозначения диодного моста, транзистора, тиристора. Особенности функционирования D-триггера, Т-триггера и RS-триггера. Условия протекания рабочего тока в полевом транзисторе.
доклад, добавлен 17.09.2012Преобразование энергии внешних источников постоянных напряжений в энергию преобразуемого сигнала. Характеристики транзистора связанные нелинейными функциональными зависимостями. Связь между системами параметров транзистора в различных схемах включения.
методичка, добавлен 13.08.2013Обоснование параметров, характеризующих динамический диапазон работы иммитансного логического элемента. Разработка математического аппарата для расчета диапазона ИЛЭ. Его численная оценка для элементов "НЕ" R- и LC-типов на основе биполярного транзистора.
статья, добавлен 29.01.2016Изучение физико-топологических параметров кремниевого полевого транзистора с управляющим p–n-переходом. Статические выходные вольт-амперные характеристики полевого транзистора при различных значениях напряжения, значения крутизны и проводимости канала.
лабораторная работа, добавлен 20.09.2014Назначение элементов и принцип работы усилительного каскада по схеме с общим эмиттером. Принципиальная схема усилительного каскада с общим эмиттером. Причины нестабильности параметров транзисторных усилителей. Расчета усилителя в области низких частот.
контрольная работа, добавлен 10.07.2016Полевой транзистор как электронный прибор. Описание полевых транзисторов с изолированным затвором, с индуцированным каналом. Температурный режим работы прибора. Расчет электрических, электрофизических, дифференциальных параметров, мощности транзистора.
курсовая работа, добавлен 25.08.2021Изучение физико-топологических параметров кремниевого полевого транзистора с изолированным затвором. Зависимость тока от напряжения на подложке при различных значениях напряжения. Статические выходные вольт-амперные характеристики полевого транзистора.
лабораторная работа, добавлен 20.09.2014Изучение устройства, характеристик и параметров полевого транзистора с изолированным затвором. Анализ эволюции статических характеристик транзистора, задающихся паспортно, в динамические характеристики при использовании транзистора в рабочем режиме.
лабораторная работа, добавлен 25.06.2015Полупроводниковые технологии и современные интегральные микросхемы. Изучение закона Мура. Схема традиционного планарного транзистора. Структура терагерцевого транзистора. Бесконтактная диагностика микросхем. Аспекты развития микропроцессорной техники.
реферат, добавлен 15.11.2012Выбор структурной схемы и предварительный расчет радиопередающего устройства с частотной модуляцией. Оконечный усилитель мощности на биполярном транзисторе по схеме с общим эмиттером. Элементы схемы, параметры транзистора. Эквивалентные параметры антенны.
курсовая работа, добавлен 06.11.2011Выбор транзистора для выходного каскада. Расчет схемы температурной стабилизации тока покоя выходного транзистора. Основное требование, предъявляемое к выходному каскаду импульсного усилителя. Обеспечение заданной амплитуды импульса на нагрузке.
курсовая работа, добавлен 06.11.2014Характеристики полупроводниковых приборов, имеющих два p-n перехода, пригодных для усиления мощности электрических сигналов. Принцип инжекции носителей в базу транзистора. Свойства коллекторного перехода. Отличия кремниевого и германиевого транзисторов.
реферат, добавлен 24.04.2017Изучение схемы включения и исследование статических характеристик полевого транзистора с управляющим p-n-переходом. Описание структуры и расчет стоковых и передаточных параметров транзистора. Сигнальные параметры и дифференциальное сопротивление стока.
лабораторная работа, добавлен 21.07.2013- 118. Полевые транзисторы
Понятие, виды и принцип действия полевых транзисторов. Структурная схема и характеристики полевого транзистора с управляющим p-n переходом. Особенности полевых транзисторов с изолированным затвором и встроенным каналом. Схемы включения транзисторов.
реферат, добавлен 24.04.2017 Применение различных типов материалов в качестве теплопроводящего слоя в месте контакта металлического основания транзистора и охлаждающего основания платы. Влияние применение материала на параметры уровня выходной мощности LDMOS-транзистора BLF578XR.
статья, добавлен 23.03.2018- 120. Основы схемотехники
Определение принципов усиления сигналов и построения усилителей. Оценка основных технических показателей и характеристики аналоговых электронных устройств. Обеспечение режима работы транзистора при включении по схеме. Режимы классов работы усилителя.
курс лекций, добавлен 08.10.2017 Биполярные транзисторы с улучшенными малосигнальными параметрами. Разработка и эксплуатация полупроводниковых приборов. Выбор концентрации примеси в эпитаксиальном слое коллектора. Расчет граничной частоты, напряжения насыщения и импульсных характеристик.
курсовая работа, добавлен 19.11.2014Краткий анализ причин перераспределения тока в транзисторной структуре. Разработка макета для проведения неразрушающих испытаний биполярных транзисторов. Область безопасной работы биполярного транзистора. Результаты контроля партии транзисторов.
статья, добавлен 15.08.2013Анализ инерционности фотогенерированных носителей заряда в структуре кремниевого фотопреобразователя (ФЭП). Разработка многоэмиттерного биполярного транзистора. Исследование специфики влияния зарядовых насосов на световую вольтамперную характеристику ФЭП.
статья, добавлен 09.07.2013Основные параметры и свойства полупроводниковых материалов. Методика определения диодов из экспериментальных вольтамперных характеристик. Устройство и принцип действия биполярного транзистора. Компаратор и триггер Шмитта на операционном усилителе.
курс лекций, добавлен 02.03.2017- 125. Математическая модель электрохимического датчика растворённого кислорода на основе МДП-транзистора
Разработка конструкции и математической модели электрохимического датчика растворённого кислорода на основе полевого транзистора с изолированным затвором. Основные недостатки применения ионоселективных электродов для определения концентрации веществ.
статья, добавлен 27.05.2018