Механізми переносу заряду та фотоелектричні процеси в діодних структурах на основі Hg3In2Te6
Дослідження фізичних процесів, що визначають електричні та оптичні характеристики діодних структур на основі телуриду ртуті-індію. Властивості напівпровідникового детектора випромінювання. Фотоелектричні процеси в діодних структурах на основі Hg3In2Te6.
Подобные документы
Дослідження впливу бомбардування високоенергетичними частинками (іонами, протонами, нейтронами) на механічні і електричні властивості напівпровідників та приладних шаруватих структур на їх основі. Радіаційні пошкодження та мікропластичність кремнію.
автореферат, добавлен 28.08.2014Напівпровідники, пов’язані із створенням DX-подібних центрів при легуванні кристалів домішками із змінною валентністю. Розробка технології одержання та дослідження фізичних властивостей багатокомпонентних твердих розчинів на основі телуриду свинцю.
автореферат, добавлен 24.02.2014Механізми утворення дефектів і їх впливу на електричні, фотоелектричні і оптичні властивості монокристалів сульфіду кадмію опромінених частинками підпорогової енергії. Дослідження лазерного відпалу центрів рекомбінації в опромінених монокристалах.
автореферат, добавлен 29.08.2015Досягнення режиму одночастотного квазінеперервного випромінювання генерації в твердотільних лазерах із ламповою накачкою. Аналіз методів самомодуляції потужного випромінювання на основі організації внутрішніх фізичних процесів в активних елементах.
автореферат, добавлен 24.06.2014- 30. Елекрооптичні ефекти в структурах МДН - рідкий кристал, зумовлені перенесенням і накопиченням заряду
Взаємозв’язок процесів переносу і накопичення зарядів в структурах МДН-рідкий кристал з характеристиками електрооптичних ефектів, а також умови виникнення і релаксації нестійкостей орієнтованих нематиків в області пор діелектрика структур М-РК-Д-Н.
автореферат, добавлен 12.02.2014 Фізичні процеси, що протікають при релаксації молекул з високозбуджених станів. Механізми у полікристалічних шарах і в полімерних розчинах поліаценів. Процеси в шарах з галогенідами ртуті, кадмію й цинку при реєстрації рентгенівського випромінювання.
автореферат, добавлен 24.07.2014З’ясування можливості використання тонко- і товстоплівкових структур на основі трикомпонентних твердих розчинів Cd1-xZn(Mn)xTe для поглинаючих шарів детекторів іонізуючого випромінювання. Оптимізація люмінесцентних характеристик плівкових базових шарів.
дипломная работа, добавлен 13.01.2020Дослідження впливу розмірних ефектів і домішок, електрофізичних властивостей та технологічних умов отримання і обробки зразків на оптичні та електричні характеристики і структуру низькорозмірних систем розроблених на базі дийодиду свинцю і сполук цинку.
автореферат, добавлен 29.09.2014Оптичні властивості тонких плівок і керамік на основі оксидів вольфраму і вісмуту, особливості їх люмінесценції при різних видах збудження. Встановлення механізму випромінювання та дослідження характеристик центрів захоплення термоактиваційними методами.
автореферат, добавлен 25.06.2014Вирішення проблеми зв’язку між структурними і оптичними властивостями низькорозмірних структур на основі напівпровідників. Закономірності латерального впорядкування квантових точок (наноострівців) отриманих на основі самоорганізації у гетероструктурах.
автореферат, добавлен 29.08.2014Фізичні основи технології створення низькорозмірних і об'ємних напівпровідникових структур та їх електричні, фотоелектронні та оптичні властивості. Розрахунок параметрів енергетичного спектра напівпровідникових чотирикомпонентних твердих розчинів.
автореферат, добавлен 24.06.2014Дослідження впливу ванадію на електричні, фотоелектричні, оптичні та магнітні властивості CdTe в залежності від його концентрації. Встановлення природи дефектів ванадію. Дослідження структури кристалів CdTe:V, застосовування ультразвукової обробки.
автореферат, добавлен 15.11.2013Акустична емісія в напівпровідникових світловипромінюючих структурах при протіканні електроструму. Акустичний відгук в монокристалах при дії на їх поверхню наносекундного лазерного випромінювання. Динаміка дефектоутворення напівпровідникових структур.
автореферат, добавлен 26.09.2015Дослідження фотоіндукованих змін в світлочутливих аморфних халькогенідних плівках. Механізм формування поверхневого рельєфу при голографічному записі в багатошарових наноструктурах на основі халькогенідних склоподібних напівпровідників і аморфного селену.
автореферат, добавлен 20.04.2014Оцінка дії ультразвуку на концентрацію радіаційних електрично-активних дефектів в монокристалічному кремнії. Розгляд впливу на кінетику фотоструму. Аналіз проростаючих дислокацій епітаксіальних плівок. Дослідження фотолюмінесценції поруватого кремнію.
автореферат, добавлен 25.07.2014Встановлення закономірностей фізичних процесів, що протікають у детекторах гамма-випромінювання на основі напівпровідникових сполук CdTe і CdZnTe. Методи поліпшення характеристик детекторів, створення на їхній основі дозиметричних блоків детектування.
автореферат, добавлен 22.07.2014- 42. Процеси переносу та захоплення носіїв заряду в гетеросистемах аморфна плівка – кристалічний кремній
Механізми переносу носіїв заряду в гетероструктурах a-Si:H(Er)/n-Si, SiO2(Ge)/n-Si та a-SiC/p-Si при різних температурах і робочих напругах. Модель збудження електролюмінесценції в світловипромінюючій гетероструктурі. Результати введення ербію в плівку.
автореферат, добавлен 29.08.2014 Кремнієві фотоперетворювачі на основі p-n переходу. Керування рекомбінаційними та транспортними ефектами на межі поділу за допомогою зовнішніх факторів. Вплив газової адсорбції та магнітного поля на процеси струмозбирання в структурах з гетеро шарами.
автореферат, добавлен 27.09.2014Встановлення механізмів взаємодії ультразвуку й високоенергетичних опромінень з дефектною структурою CdXHg1-Xte й фотодіодів на цій основі. Визначення фізичних механізмів переносу заряду та вплив на них термічної обробки у фотодіодах CdXHg1-Xte.
автореферат, добавлен 30.07.2015Дослідження широкосмугових оптичних фільтрів на основі фотонних кристалів та впливу на їх оптичні характеристики нелінійних властивостей середовища. Розробка методу розрахунку структури фотонних кристалів із урахуванням матеріальної дисперсії матеріалу.
автореферат, добавлен 18.07.2015Теоретична оцінка параметрів осадження компонентів пари на підкладку, оптимізація умов напилення шарів. Особливості впливу концентраційного профілю та хімічного складу елементів-модифікаторів на параметри тонкоплівкових структур на основі As2S3.
автореферат, добавлен 22.04.2014Механізми газової чутливості гетероструктур на основі модифікованих шарів поруватого кремнію на пари води та спирту з різними трансдьюсерними принципами. Електрофізичні процеси в поруватому кремнії, які відбуваються при адсорбції молекул різних газів.
автореферат, добавлен 26.09.2015Моделювання процесів формування неоднорідних градієнтних шарів на основі теорії самоорганізації та дисипативних структур. Встановлення закономірностей впливу хімічного елементу на фізичні властивості модифікованих тонкоплівкових і об’ємних структур.
автореферат, добавлен 28.07.2014Визначення критеріїв конкурентоздатності домінуючих міжзонних і домішкових механізмів рекомбінації в кристалах телуридів кадмію, ртуті в залежності від складу і рівня легування матеріалу. Встановлення процесів природної деградації кристалів КРТ n-типу.
автореферат, добавлен 12.11.2013Електричні властивості монокристалів, які використовуються для виготовлення інфрачервоних детекторів, інтерпретуються в рамках моделі вузькозонного напівпровідника, а оптичні властивості по теорії Кейна із сильно непараболічними енергетичними зонами.
автореферат, добавлен 24.02.2014