Структурні перетворення та зміни енергетичного спектру в напівпровідникових матеріалах електроніки при легуванні та пониженні розмірності
Аналіз основних структурних змін, що відбуваються у напівпровідникових кристалах при легуванні шляхом імплантації та при наступних технологічних обробках. Встановлення ролі легуючої домішки бору в утворенні електрично-активних кисневмісних комплексів.
Подобные документы
Тенденції розвитку енергетичного сектора за останнє десятиріччя. Структурні диспропорції енергетичного балансу та вплив цін на продукцію на інші галузі промисловості та сектори економіки. Оптимізація енергетичного балансу у системі міжгалузевих зв'язків.
автореферат, добавлен 07.08.2014Дослідження електропровідності провідника з поперечним перерізом. Визначення основних фізичних явищ надпровідності. Особливість руху носіїв зарядів. Головна характеристика електронно-діркового переходу. Сутність і види напівпровідникових діодів.
реферат, добавлен 23.10.2020Огляд фізичних властивостей домішок Mn у GaAs, домішкових і вакансійних дефектів у політипах SiC і парамагнітних дефектів у поруватому кремнії і кремнієвих матеріалах, в яких утворюються нанокристаліти. Електронна структура домішок і дефектів у кристалах.
автореферат, добавлен 28.10.2015Експериментальне визначення впливу окремих структурних груп на процеси формування різних низькотемпературних фаз у змішаних кристалах у подальшому розвитку уявлень про механізм фазового переходу до антифероелектричного стану в кристалах сімейства KDP.
автореферат, добавлен 06.07.2014Аналіз закономірностей протікання деформаційних процесів при ударному ультразвуковому і низькочастотному навантаженні металів: застосовано підхід до опису пластичної деформації, що базується на термофлуктуаційному подоланні бар'єрів рухомими дислокаціями.
автореферат, добавлен 22.02.2014Вплив валентності катіонів А, їхніх радіусів і безладдя в розподілі на кінетичні властивості кобальтитів. Зміна властивостей сполук при легуванні іоном Ag+. Механізми, що лежать в основі кінетичних явищ в металооксидних системах з сильними кореляціями.
автореферат, добавлен 26.08.2015Вплив подвійної іонної імплантації на зміни морфології поверхні, елементного та фазового складів у приповерхневих шарах сплаву TіNi при імплантації N+, N+ + Nі+, Mo+ + W+. Дослідження особливостей розподілу імплантованих іонів за глибиною шару зразка.
автореферат, добавлен 26.08.2015Опис енергетичного спектру, спінового транспорту та магнітних властивостей кристалів з сильними електронними кореляціями. Дослідження намагнічуваності та просторових неоднорідностей магнітної структури в системах з сильними електронними кореляціями.
автореферат, добавлен 28.09.2014Характеристика загальних властивостей хвильових функцій і спектра обмеженого ланцюжка потенціальних ям, який імітує напівпровідникові гетероструктури. Встановлення форми кривої дисперсійного закону в залежності від зовнішнього електричного поля.
автореферат, добавлен 29.04.2014- 85. Надтонкі взаємодії та стан домішок і дефектів у телуридах свинцю-олова і моноселенідах індію і галію
Дослідження зсуву Найта і форми резонансних спектрів у телуридах свинцю-олова залежно від концентрації носіїв струму. Ознайомлення з особливостями розробленої методик детектування у напівпровідникових матеріалах з високою електричною провідністю.
автореферат, добавлен 26.08.2014 - 86. Динамічна модель фізичних процесів у польових транзисторах із затвором Шоттки субмікронних розмірів
Дослідження фізичних процесів, що відбуваються в напівпровідникових структурах субмікронних розмірів, розроблення математичної моделі, що включає чисельний розв'язок частинок рівняння Больцмана, Пуассона та теплопровідності з граничними умовами.
автореферат, добавлен 06.07.2014 Аналіз основних електромагнітних процесів в електричних колах з напівпровідниковими комутаторами. Створення математичної моделі для аналізу електромагнітних процесів у напівпровідникових перетворювачах з широтно-імпульсним регулюванням вихідної напруги.
статья, добавлен 24.03.2016Основні напрямки застосування фотоефекту у наці та техніці. Принципи дії та застосування вакуумних, напівпровідникових та вентильних фотоелементів. Фотоелементи у вигляді сонячних батарей. Застосування фотоефекту для реєстрації і зміни світлових потоків.
презентация, добавлен 18.06.2023Головні фотоелектричні, фотолюмінісцентні, фотомагнітні та електрофізичні властивості кристалів з різними значеннями складу х і ступеня компенсації. Причини низькотемпературних особливостей характеристик. Зміни механізмів власної міжзонної рекомбінації.
автореферат, добавлен 27.07.2014Встановлення фізичної суті механізму дегідроксилації (руйнування структурних ОН-груп) на атомному рівні в типових шаруватих OH-вміщуючих матеріалах при зовнішніх впливах. Дослідження впливу постійного електричного поля на дегідроксилацію таких структур.
автореферат, добавлен 28.07.2014Дослідження змін рекомбінаційних процесів у бінарних сполуках сульфіду кадмію при варіюванні параметрів надвисокочастотного опромінювання. Вплив слабких магнітних полів на випромінювальну рекомбінацію в напівпровідниках з різною морфологією поверхні.
автореферат, добавлен 29.09.2014Визначення факторів впливу на структуру і фізичні властивості тонких плівок W-Ti-N і Ta-Si-N. Дослідження антидифузійних властивостей тонкоплівкових бар’єрів. Оптимізація технологічних основ отримання плівок, їх застосування в напівпровідникових системах.
автореферат, добавлен 27.08.2014Дослідження впливу розмірних ефектів і домішок, а також технологічних умов отримання і обробки зразків на оптичні та електричні характеристики і структуру досліджуваних низькорозмірних систем на основі кисневмісних сполук цинку та дийодиду свинцю.
автореферат, добавлен 14.10.2015Експерименти по вивченню впливу фізичних параметрів (концентрації легуючої домішки, напрямку одноосьового тиску відносно кристалографічних осів кристалу та ін.) на умови виникнення генерації і стрибка струму при збіжних напрямках електричного поля і тиску
автореферат, добавлен 10.01.2014Особливості дискретного регулювання напруги регуляторів спрямленого струму, побудованих на основі трансформаторно-ключових виконавчих структур. Можливість зменшення кількості напівпровідникових елементів. Розгляд основних вимог до виду живлячого струму.
статья, добавлен 26.02.2016Розробка системи кінетичних рівнянь заселеностей електронних рівнів для опису фотоіндукованих фазових перетворень в органічних кристалах. Оцінка розподілу густини екситонів у подвійних квантових ямах у зовнішньому неоднорідному електричному полі.
автореферат, добавлен 28.08.2015Проблема надмірного споживання викопного палива, скорочення викидів парникових газів та структурних перетворень глобального енергетичного сектору. Зусилля міжнародних організацій щодо пом’якшення кліматичних змін; сценарії реалізації трансформацій.
статья, добавлен 20.03.2024Аналіз взаємодії біологічно активних лігандів з поліаніонами та молекулами нуклеїнових кислот у випадку їх мультимодального зв'язування. Застосування абсорбційної спектрофотометрії у видимій і ультрафіолетовій областях. Моделі опису спектру поглинання.
автореферат, добавлен 28.08.2015Вивчення основних фізичних закономірностей, що визначають принцип роботи і основні параметри тиристорів на підставі аналізу вольт-амперних характеристик динистора і тринистора. Основні характеристики, призначення та області застосування тиристора.
лабораторная работа, добавлен 05.05.2012Встановлення домінуючих механізмів утворення власних точкових дефектів у нелегованих кристалах ZnSe та з ізовалентною домішкою Те. Комп’ютерні розрахунки рівноважних концентрацій власних точкових дефектів у бездомішкових та легованих кристалах ZnSe.
автореферат, добавлен 10.08.2014