Елементи мікросистем на базовому матричному кристалі зі структурою "кремнiй-на-iзоляторi"
Конструктивно-технологічна оптимізація формування локальних тривимірних структур "кремнiй-на-iзоляторi". Розробка уніфікованого чутливого елемента ємнісно-резистивного типу з частотним виходом і керованою чутливістю для мікросистемних використань.
Подобные документы
- 76. Розробка методів і засобів тестування цифрових пристроїв в системах покомпонентного діагностування
Розробка математичної моделі та формального апарату побудови компонентних структур об’єкту діагностування, алгоритму оцінки складності та корекції тестових програм для утвореної компонентної структури й методу адаптивного тестування цифрових об’єктів.
автореферат, добавлен 18.11.2013 Розробка структур високоточних швидкодіючих самокаліброваних аналого-цифрових перетворювачів порозрядного врівноваження з перерозподілом заряду, зменшення статичних похибок. Розробка та оцінка рекомендацій щодо проектування АЦП з перерозподілом заряду.
автореферат, добавлен 29.08.2013Розробка рідкокристалічних оптоелектронних пристроїв для координатного переміщення оптичного випромінювання. Текстурний та фазовий перехід в рідких кристалах. Розкручування гелікоїда за наявності температурного градієнта, електричного і магнітного полів.
автореферат, добавлен 27.07.2014Вибір оптимальних пропускних спроможностей для різних категорій сервісу при обмеженнях на встановлені показники якості. Задачі структурного синтезу мереж. Розподіл потоків для трафіків CBR, VBR та ABR. Створення інструментального програмного комплексу.
автореферат, добавлен 23.08.2014Автоматизація процесів спостереження в режимах роботи позиціювання й слідкування. Розробка математичної та комп’ютерної моделей систем керування електроприводу оптичного телескопа. Покращення перехідного процесу переміщення. Зниження координатних похибок.
статья, добавлен 27.10.2016- 81. Теоретичні основи моделювання і аналізу дискретно-безперервних систем з структурою, що управляється
Розробка методів аналізу ДБ-мережі на основі побудови дерева досяжності і використання матричного рівняння стану. Визначення дискретно-безперервних векторів: управляючого впливу, стану і виходу; “подвійних” дискретно-безперервних операторів переходу.
автореферат, добавлен 21.11.2013 Аналіз моделювання електричних схем оптоелектронних логічних вентилів і пристроїв на їх основі. Особливість вибору програмного середовища для розрахунку елементів оптопари ДВЧ діапазону. Фізикотопологічне проектування напівпровідникових структур.
автореферат, добавлен 14.10.2015Принцип действия биполярного транзистора. Ток электронов из эмиттера в коллектор. Отношение коллекторного тока к базовому. Использование в электронике усилителей по напряжению. Дифференциальное коллекторное сопротивление у схемы с общим эмиттером.
лекция, добавлен 26.10.2013Розробка приладів безперервного магнітного контролю дефектів, викликаних водневою корозією техногенно небезпечних промислових об’єктів. Вплив температури на функцію перетворення. Конструкція первинного магніточутливого елемента та спосіб його збудження.
автореферат, добавлен 13.07.2014Классификация автогенераторов (АГ) электромагнитных колебаний синусоидальной формы, выбор его электросхемы и усилителя. Расчет элементов схемы АГ с заданными параметрами: резистивного усилителя с фиксированным током базы, колебательного контура.
курсовая работа, добавлен 04.01.2016Особенность температурной нестабильности индуктивности при изменении температуры. Смена диэлектрической проницаемости материала каркаса. Анализ определения резистивного сопротивления и эффекта близости. Суть потерь в диэлектрике, сердечнике и экране.
лекция, добавлен 23.09.2016Групоутворення в цифрових системах передачі плезіохронної ієрархії. Побудова радіорелейних систем передачі. Захищеність сигналу від перешкод. Розрахунок довжини підсилювальної ділянки. Технічне обслуговування телекомунікаційних систем. Види мереж зв’язку.
учебное пособие, добавлен 24.06.2014Вибір транзистора. Визначення розміру колекторного струму насичення. Розрахунок опору колекторного резистора. Синтез базового логічного елемента ТТЛШ. Розрахунок опору резистора в ланцюзі бази. Розрахунок часу вмикання і вимикання цифрового ключа.
курсовая работа, добавлен 24.11.2012Характерные особенности современных электронных усилителей. Назначение и классификация устройств для усиления мощности. Сущность схемы резистивного усилительного каскада. Определение падения напряжения на коллекторном резисторе в состоянии покоя.
курсовая работа, добавлен 18.01.2016Дослідження вимірювального перетворювача температури автогенераторного типу на основі реактивних властивостей напівпровідникових структур з покращеними параметрами. Вплив температури на компоненти малосигнального імпедансу біполярного транзистора.
статья, добавлен 23.12.2018Розробка схемотехнічних моделей багатоканальних гетероструктур, оптимізація фізико-топологічних параметрів транзисторів. Механізм підвищення дрейфової швидкості носіїв заряду у гетеротранзисторі з квантовими точками з урахуванням розмірного квантування.
автореферат, добавлен 29.07.2015Дискусійність щодо питання першості у відкритті радіозв’язку в різних країнах. Винахід способів передачі та прийому електромагнітних хвиль. Пошуки чутливого приймача в напрямку використання когерера. Внесок Попова і Марконі у розвиток радіозв'язку.
статья, добавлен 17.09.2024Назначение и области применения усилителей. Виды и основные элементы усилителя, его принцип действия. Транзистор в цепи постоянного тока. Усилитель и его место в схеме с общим эмиттером. Свойства резистивного усилителя на биполярном транзисторе.
лекция, добавлен 21.10.2014Мінімізація часу виходу на ринок цифрових систем. Синтез тестів для діагностування й локалізації несправностей надвеликих інтегральних схем. Конфігурування мікросхем пам’яті за замовленням користувача. Розпаралелювання мікрооперацій у мультипроцесорах.
автореферат, добавлен 28.07.2014Рекомбінаційні параметри у пластинах кремнію в залежності від їх термічної передісторії високотемпературних обробок. Оптимізація технологічних процесів виготовлення сонячних елементів і фотоелектричних модулів з використанням кремнієвого матеріалу.
автореферат, добавлен 04.03.2014Параметры и виды полупроводниковых и гибридных интегральных микросхем. Создание плёночных ИМС. Основные характеристики микроэлектронных изделий. Методы, применяемые для формирования конфигураций проводящего, резистивного и диэлектрического слоев.
реферат, добавлен 22.03.2013Виявлення та аналіз найбільш значущих факторів, що впливають на структуру мережі під час модернізації з урахуванням їх можливої кореляції. Розробка методу взаємозв’язаного розташування двох типів комутаційного обладнання: опорного та виносного.
автореферат, добавлен 14.09.2014- 98. Обзор существующих микросхем, применяемых для разработки и производства датчиков физических величин
Сравнительный обзор с отечественными и иностранными микросхемами обработки аналогового сигнала, несущего информацию об измеряемой физической величине. Обработка данных, получаемых от резистивного сенсора деформации, установленного на мембране датчика.
статья, добавлен 26.05.2021 Розробка принципової схеми та опис її функціональних блоків. Аналіз лічильника і його принцип роботи, логічні елементи схеми та дешифратор. Підключення сегментного індикатора та вибір елементної бази. Характеристика чотирьохрозрядного зсувного регістра.
курсовая работа, добавлен 09.12.2014Обеспечение равномерного усиления в широкой полосе частот при помощи резистивного каскада с общим эмиттером. Определение главных технических показателей каскада на средних частотах. Коррекция частотной характеристики в области высоких и низких частот.
реферат, добавлен 27.06.2015