Масс-спектрометрия остаточных газов подкорпусного пространства микросхем
Характеристика реализации масс-спектрометрического контроля надёжности отбраковки продукции микроэлектронной промышленности. Основные факторы, влияющие на надёжность работы интегральных схем и резонаторов. Особенности качества исходных материалов.
Подобные документы
Осуществление контроля основных параметров микропроцессорных и микроконтроллерных интегральных схем. Основы безопасности при работе с электрическим напряжением. Разработка и проектирование шифраторов и дешифраторов. Устройство ввода-вывода для IBM PС.
отчет по практике, добавлен 28.05.2015Использование интегральных микросхем в радиоэлектронной аппаратуре. Назначение арифметически-логических интегральных схем. Классификация сумматоров, выбор и обоснование функциональной схемы. Расчет потребления мощности, быстродействия и надежности.
реферат, добавлен 06.03.2010Изучение возможных механизмов, вызывающих деградацию и катастрофические отказы микросхем в полях мощного радиоизлучения. Обзор моделей, используемых для анализа механизмов повреждения современных интегральных микросхем при воздействии радиоизлучения.
статья, добавлен 30.10.2018Рабочий и дежурный режимы исправного и неисправного состояния модели информационно-коммуникационной системы. Анализ среднего времени безотказной работы, коэффициента готовности, вероятности надёжности, вероятности живучести, риска вероятности отказа.
статья, добавлен 27.07.2016Функции, механические свойства и технические требования к подложкам интегральных микросхем. Определение суммарного припуска на механическую обработку и коэффициента использования материала. Ломка подложек на платы. Сущность процесса скрайбирования.
курсовая работа, добавлен 03.12.2010Система условных обозначений интегральных микросхем. Конструктивно-технологическая группа. Присвоение серии как порядковый номер разработки. Элементы арифметических и дискретных устройств. Схема вторичных источников питания. Сигналы специальной формы.
контрольная работа, добавлен 18.01.2014Анализ маршрутных технологических процессов производства типовых интегральных микросхем. Разработка структурной схемы технологического процесса. Толстопленочные проводники и резисторы. Производство толстопленочных гибридных больших интегральных схем.
курсовая работа, добавлен 10.01.2013Алюминий и его сплавы как материал металлизации интегральных схем. Требования, предъявляемые к параметрам металлизации. Контактное сопротивление, качество покрытия ступеньки, размеры пустот, обусловленных напряжениями, и устойчивость к электромиграции.
статья, добавлен 08.04.2019Проблема оптимизации синтеза комбинационных частей цифровых интегральных микросхем. Нахождение функции Гильберта, задание систем частичных булевых функций. Применение разложения Гильберта к задаче синтеза комбинационных блоков интегральных микросхем.
статья, добавлен 19.04.2018Создание средств схемотехнического моделирования работы интегральных микросхем технологии "кремний-на-изоляторе" в условиях воздействия ионизирующего излучения в разных электрических режимах. Исследование чувствительности элементов КНИ к дозовым эффектам.
автореферат, добавлен 02.08.2018Сущность микроэлектронной и наноэлектронной технологии. Анализ эмпирических тенденций развития интегральной технологии. Зависимость степени интеграции от времени, описание закона Мура. Принципы и ограничения масштабирования, его основные характеристики.
реферат, добавлен 17.01.2015Понятие интегральной микросхемы, разработка элементов совместимости материалов. Монтаж активных компонентов гибридной схемы, ее классификация в зависимости от процесса формирования пассивных элементов. Базовая технология создания полупроводниковых схем.
реферат, добавлен 01.02.2011- 38. Моделирование динамических параметров логических элементов для синтеза цифровых интегральных схем
Разработка средств автоматизации расчета динамических параметров логических элементов, составляющих базу данных для синтеза цифровых интегральных микросхем. Расчет параметров логических элементов, необходимых для работы систем автоматического синтеза.
автореферат, добавлен 31.07.2018 Разработка топологии гибридной схемы широкополосного усилителя К174УВ1. Технология гибридных интегральных микросхем. Параметры, определяющие выбор конструкции и материал пленки. Этапы технологического процесса изготовления гибридных интегральных схем.
контрольная работа, добавлен 24.09.2012Буквенно-цифровой код в основе системы условных обозначений интегральных микросхем отечественного производства. Многофункциональные аналоговые и цифровые устройства, обозначение их элементов и звеньев (матриц, триггеров, резисторов, транзисторов).
лекция, добавлен 30.08.2012Создание прецизионных резисторов и конденсаторов. Гибридная технология создания интегральных микросхем, работающих в СВЧ диапазоне. Характеристики подложек и резисторов. Параметры материалов, применяемых для изготовления тонкопленочных конденсаторов.
курсовая работа, добавлен 06.11.2017Описания особенностей конструирования интегральных микросхем и радиоэлектронной аппаратуры на их основе. Структура ячейки флэш-памяти. Обзор внутреннего устройства микросхемы. Основные элементы биполярных микросхем. Конструктивно-технологические типы ИМС.
презентация, добавлен 20.07.2013Понятие и функциональные особенности, внутреннее устройство мультивибраторов как монолитных интегральных микросхем. Роль и значение транзисторов в данных устройствах. Разработка электрической структурной и функциональной схем, их элементы и анализ.
контрольная работа, добавлен 22.10.2017Разработка спецификаций функциональных элементов больших интегральных схем для моделирования поведения неисправных цифровых устройств. Описание устройства для реализации анализа полноты теста; методика вывода контрольного сигнала на выходы микросхем.
дипломная работа, добавлен 25.02.2013Задачи и структура отдела микроэлектроники. Анализ процесса производства и контроля качества микрополосковых СВЧ плат. Принципиальная схема тактового генератора. Изучение технологического маршрута изготовления толстопленочных интегральных микросхем.
отчет по практике, добавлен 16.02.2015Результаты работ по моделированию изменения электропараметров интегральных схем при воздействии ионизирующего излучения. Модели и программное обеспечение для расчета надежности биполярных интегральных микросхем, учитывающие температуру окружающей среды.
статья, добавлен 28.04.2017Применение персонального компьютера для расчета тонкопленочных резисторов с учетом производственных погрешностей и контактных сопротивлений. Системы технологического обеспечения качества компонентов микроэлектронной аппаратуры. Конструирование микросхем.
курсовая работа, добавлен 04.12.2018Разработка структурной, функциональной и электрической принципиальной схем цифрового устройства, алгоритм его работы. Выбор и обоснование критериев подбора интегральных микросхем, их сравнительная оценка. Проектирование генератора тактовых импульсов.
курсовая работа, добавлен 24.09.2011- 49. Применение ионизирующего излучения для ускоренных испытаний на надежность МОП интегральных микросхем
Прогнозирование отказов металл-оксид полупроводников интегральных микросхем в период старения в условиях воздействия низкоинтенсивного ионизирующего излучения на основе использования ускоренных испытаний при повышенной температуре. Результаты испытаний.
диссертация, добавлен 02.08.2018 Логические микросхемы, использующие структуры металл-окисел-полупроводник. Отличительная особенность серии КР1561 от К561. Логика работы микросхем с идентичными буквенно-цифровыми обозначениями после номера серии. Основные параметры серий микросхем.
доклад, добавлен 07.09.2012