Туннелирование в микроэлектронике
Коэффициенты прохождения и отражения микрочастицы через барьер по законам квантовой механики. Роль туннельного эффекта в электронике. Энергетическая схема контакта металлов. Прохождение электронов в диэлектрическом слое. Процессы в туннельном диоде.
Подобные документы
Моделирования энергомощностных и температурных характеристик для диодных биполярной структуры и структуры с барьером Шоттки на основе кремния при воздействии последовательности импульсов СВЧ электромагнитного излучения. Роль тепловой релаксации.
статья, добавлен 30.10.2018Основы системной организации коммуникаций в военной организации, ее научная, учебная, деловая и справочная база. Роль горизонтальной и вертикальной коммуникаций, Анализ преодоления возникающих в ходе организационного общения информационных барьеров.
контрольная работа, добавлен 28.04.2022Комбінаційна схема як логічна схема, яка реалізує однозначну відповідність між значеннями вхідних і вихідних сигналів. Сутність арифметичного суматора, двійкового напівсуматора. Логічна схема повного однорозрядного двійкового суматора в кодуванні.
контрольная работа, добавлен 11.04.2018Анализ показателей связи двухполосного фильтра на прямоугольных диэлектрических резонаторах для различных типов колебаний. Сущность методики расчета коэффициентов связи через напряженность магнитного поля в центре ДР для магнитных типов колебаний.
статья, добавлен 30.07.2016Рассмотрение оптических сигналов в качестве несущего колебания. Особенности разработки элементной базы радиопередающих и радиоприемных устройств оптического диапазона. Альтернативное детектирование оптических СВЧ-амплитудно-модулированных сигналов.
статья, добавлен 29.06.2017Особенности эффекта Фарадея в повороте плоскости поляризации линейно поляризованного света. Фактор "вмороженности" магнитных силовых линий в доменные структуры цилиндрического постоянного магнита. Анализ оптически прозрачного ферромагнитного стержня.
доклад, добавлен 16.02.2014Описание структурной схемы. Принципиальная схема, выбор элементной базы. Схема включения согласующего операционного усилителя. Аналого-цифровой преобразователь. Функциональная схема микроконтроллера семейства 8051. Устройство управления и синхронизации.
курсовая работа, добавлен 29.07.2009Развитие технологии "Пассивный инфракрасный" (ПИК) детекторов движения. Физическая сущность пироэлектрического эффекта. Эквивалентная схема пироэлектрического датчика инфракрасного излучения. Сферы практического применения пироэлектрических датчиков.
реферат, добавлен 27.09.2014Общее представление о науке электронике. Типология электропроводности и вольтамперные характеристики движения тока. Определение электрической проводимости и свойств диодов. Основные параметры варикапа. Полупроводниковые фотоэлементы и светодиоды.
презентация, добавлен 25.12.2013Вольтамперная характеристика диода, его выпрямительные свойства, характеризуемые отношением обратного сопротивления к прямому. Основные параметры стабилитрона. Отличительная особенность туннельного диода. Использование светодиода в качестве индикатора.
лекция, добавлен 04.10.2013Синтез цифрового фильтра Баттерворта четвертого порядка методом инвариантности АЧХ. Моделирование прохождения через цифровой фильтр периодической последовательности симметричных прямоугольных импульсов. Построение входных и выходных спектров сигналов.
контрольная работа, добавлен 23.04.2018Использование эффекта значительного увеличения входного сопротивления усилителя для получения большого сопротивления. Оценка эффекта компенсации емкости соединительного кабеля при использовании усилителя. Измерение выходного напряжения милливольтметром.
лабораторная работа, добавлен 10.09.2015Исследование логических элементов и триггерных устройств на интегральных микросхемах. Изучение нессиметричного триггера Шмитта, мультивибраторов, шифраторов и дешифраторов. Принципы действия мультиплексоров и демультиплексоров. Счетчики импульсов.
курсовая работа, добавлен 22.01.2016Открытие явления сверхпроводимости. Виды сверхпроводников и их свойства. Спектр применений сверхпроводников в энергетике, промышленности, на транспорте, в медицине и электронике. Возможность ускорения макроскопических объектов электромагнитным полем.
статья, добавлен 24.02.2019Общие сведения о полупроводниках. Приборы, действие которых основано на использовании свойств полупроводников. Характеристика и параметры выпрямительных диодов. Параметры и предназначение стабилитронов. Вольтамперная характеристика туннельного диода.
реферат, добавлен 24.04.2017- 116. Туннельные диоды
Вольт-амперная характеристика туннельного диода. Описания варикапа, в котором используется емкость p-n-перехода. Исследование режимов работы фотодиода. Светоизлучающие диоды - преобразователи энергии электрического тока в энергию оптического излучения.
презентация, добавлен 20.07.2013 Изучение конструкции и принципов работы полупроводниковых туннельных и обращенных диодов. Предельно допустимые значения токов, напряжений и мощностей в цепях отдельных электродов прибора. Определение дифференциального сопротивления туннельного диода.
лабораторная работа, добавлен 28.06.2015Базовая настройка системы. Организация виртуальных сетей. Агрегирование и резервирование каналов. Настройка динамической маршрутизации и трансляции сетевых адресов. Настройка маршрутизации между роутерами. Теория о туннелировании сетевых адресов.
курсовая работа, добавлен 18.04.2022Определение и характеристики датчиков, их физические свойства. Классификация, устройство и основополагающие принципы работы датчиков. Применение различных датчиков в промышленной технике измерений, в робототехнике и в автомобильной электронике.
курсовая работа, добавлен 02.09.2009Основные положения волновой теории передачи света по световодам. Расчёт параметров электромагнитной волны волоконно-оптического кабеля. Определение нормированной частоты, диаметра модового поля, длины волны отсечки, дисперсии, потерь на микроизгибе.
курсовая работа, добавлен 22.03.2023Свойства пористого фосфида индия, энергетические параметры его монокристаллической фазы. Травление фосфида индия в кислых средах. Электрохимическая обработка монокристаллов фосфида индия. Создание быстродействующих интегральных схем малой энергоемкости.
статья, добавлен 24.02.2016Исследование логических элементов, триггерных устройств на интегральных микросхемах, триггера Шмитта, мультивибраторов, шифраторов и дешифраторов, арифметико-логического устройства. Мультиплексоры и демультиплексоры, регистры, счетчики импульсов.
методичка, добавлен 19.01.2016Виды и принцип работы и режимы биполярных транзисторов. Конкретизация применения полупроводниковых материалов в современной электронике. Рассмотрение ключевых параметров и характеристик биполярных транзисторов, их функций в схемах усиления и коммутации.
презентация, добавлен 25.03.2024- 124. Туннельный диод
Описание устройства и назначения полупроводниковых приборов - электронных устройств на полупроводниках. Устройство, назначение и вольт-амперная характеристика туннельного диода. Параметры проводимости и построение диаграмм работы туннельных диодов.
реферат, добавлен 16.11.2013 Изучение структуры p-n перехода. Особенность возникновения потенциального барьера. Анализ прямого и обратного включений. Суть уменьшения дифференциального сопротивления. Осмотр туннельного, лавинного и теплового пробоев. Диффузионная и барьерная емкость.
лекция, добавлен 23.09.2016