Особливості технології кремній- та арсенід галію на ізоляторі
Дослідження фізичних основ щодо способів створення нових структур кремній на ізоляторі та арсенідгалію на ізоляторі різними методами: "DeleCut" (ion irradiated Deleted oxide Out) та "SmartCut" (для усунення недоліку використання базового методу).
Подобные документы
Встановлення фізичних закономірностей технології виготовлення нових фоточутливих елементів і інтерференційно-абсорбційних фільтрів. Дослідження залежності фотоелектричних електричних властивостей фоточутливих елементів на основі гетеропереходів сполук.
автореферат, добавлен 25.06.2014Оптимізація процесів парофазного вирощування методом ХТР структурно досконалих монокристалів телуридів кадмію та цинку, створення структур з БШ для одержання фізичної інформації про поверхню вирощених монокристалів, розробка фізичних основ приладів.
автореферат, добавлен 25.02.2014Вивчення механізмів дефектоутворення в кристалічному і аморфному кремнії та зміна його фотоелектричних властивостей під впливом гамма-опромінення, іонної імплантації та гідрогенізації матеріалу. Коефіцієнти квазіхімічних реакцій моделей дефектоутворення.
автореферат, добавлен 25.02.2014Встановлення механізмів і закономірностей формування дифракційних зображень окремих дефектів у кремнію та їх комплексів на секційних і проекційних топограмах при дії зовнішніх чинників. Визначення інтегральних характеристик Х-хвильової дифракції.
автореферат, добавлен 20.07.2015Характеристика механізмів динамічного розсіяння Х-променів у випадку аномального проходження на окремих структурних дефектах в кремнії. Вивчення особливостей та закономірностей формування багатопелюсткових борманівських зображень дислокаційних петель.
автореферат, добавлен 29.07.2014Поняття та класифікація, поляризація діелектриків. Вплив зовнішніх факторів на діелектричну проникність. Формування діелектричних плівок на поверхні напівпровідникових пластин. Отримання шарів оксиду і нітриду кремнію, реактивне іонно-плазмове розпилення.
курсовая работа, добавлен 26.08.2016Теоретичне й експериментальне вивчення фотоелектричних характеристик фотоперетворюючої структури на основі кристиалічного кремнію. Збільшення ефективності процесів фотоперетворення в ній в комплексі з прийнятними технологічними витратами на виробництво.
автореферат, добавлен 19.06.2018Кремнієві фотоперетворювачі на основі p-n переходу. Керування рекомбінаційними та транспортними ефектами на межі поділу за допомогою зовнішніх факторів. Вплив газової адсорбції та магнітного поля на процеси струмозбирання в структурах з гетеро шарами.
автореферат, добавлен 27.09.2014Дослідження методу атомно-силової мікроскопії як одного із видів скануючої зондової мікроскопії. Вивчення фізичних основ, принципу та режимів роботи зондових датчиків. Система керування АСМ при роботі кантилевера в контактному та безконтактному режимі.
курсовая работа, добавлен 17.05.2012Головний аналіз електрохімічної інтеркаляції іонів літію в кристалічні та аморфні модифікації діоксиду кремнію. Вплив дисперсних матеріалів на ступінь енергетичних параметрів комірок живлення. Особливість нефарадеєвської гіпер’ємності накопичення заряду.
автореферат, добавлен 02.08.2014Розробка фізичних основ методу зворотно розсіяних електронів низьких енергій. Методики дослідження різних типів енергетичних залежностей інтенсивностей (ЕЗІ) ЗРЕНЕ. Отримання інформації про фундаментальні характеристики поверхні та об’єму твердих тіл.
автореферат, добавлен 05.01.2014- 87. Процеси переносу та захоплення носіїв заряду в гетеросистемах аморфна плівка – кристалічний кремній
Механізми переносу носіїв заряду в гетероструктурах a-Si:H(Er)/n-Si, SiO2(Ge)/n-Si та a-SiC/p-Si при різних температурах і робочих напругах. Модель збудження електролюмінесценції в світловипромінюючій гетероструктурі. Результати введення ербію в плівку.
автореферат, добавлен 29.08.2014 Моделі для реалізації методу математичного планування і оптимізації багатофакторного експерименту у способі вирощування тонких плівок з парової фази методом гарячої стінки. Експериментальні дослідження структури і електричних властивостей тонких плівок.
автореферат, добавлен 23.11.2013З’ясування закономірностей впливу дефектів технологічного та радіаційного походження на явища переносу у монокристалах германію і кремнію. Різноманітні фізико-активні впливи і наявності неоднорідного розподілу легуючої домішки в об’ємі напівпровідника.
автореферат, добавлен 23.08.2014Розробка фізичної моделі рухливості коротких приповерхневих дислокацій. Розрахунок параметрів дислокаційно-домішкової взаємодії в кристалах кремнію з різним складом домішкових атмосфер. Нові електропластичні та магнітопластичні ефекти у кристалах кремнію.
автореферат, добавлен 28.07.2014Фізичні процеси, які виникають на межі поділу контактів Ti (Ni) – n-SiC, які традиційно використовуються, а також TiBx (ZrBx) – n-SiC, під час активних впливів. Розробка терморегулюючого пристрою на діапазон температур 77–1000 К, його структура.
автореферат, добавлен 28.07.2014Побудова хіміко-фізичних і математичних моделей процесу електролізної радикал-рекомбінаційної люмінесценції складних органічних сполук. Дослідження нових яскравих ЕХЛ-систем з поліаценами та гетероциклічними сполуками за допомогою фізичних методів.
автореферат, добавлен 05.01.2014Процеси окислення та їх вплив на механізми дефектоутворення у легованому кремнії. Закономірності деградації параметрів приладів залежно від структури приповерхньої області. Моделювання топологічних процесів струмопереносу в системах діоксиду кремнію.
автореферат, добавлен 14.08.2015The introduction of sulfur in the liquid condensates of zinc oxide as one of the ways to create efficient phosphors based on this material. Application of the method of extrapolation of Nelson-Riley to obtain accurate values of the lattice constant.
статья, добавлен 30.07.2016Вивчення впливу легування кремнію ізовалентною домішкою олова. Процеси утворення і відпалу радіаційних і термічних дефектів. Теорія кінетики утворення термодонорів. Електрофізичні властивості кремнію при обробці. Оцінка носіїв струму при опроміненні.
автореферат, добавлен 12.02.2014Технологічні основи одержання керамічних галогеновмісних високотемпературних надпровідників і гібридних контактних структур типу "ВТНП-киснево-вмісний напівпровідник". Комплексні дослідження фізичних властивостей, розробка гібридних контактних структур.
автореферат, добавлен 15.11.2013Аналіз процесів фазової взаємодії в системі In-Ga-Se-O та окислення сполук цієї системи. Розгляд стійкості при термообробці на повітрі півтораселеніду індію і галію в напівпровідниковій системі та їх кристалізація з утворенням моноклінної b-модифікації.
автореферат, добавлен 27.02.2014Особливість дослідження розрахунковими методами процесів рафінування кадмію, цинку і телуру дистиляцією у вакуумі. Аналіз способів визначення рівноважних і граничних коефіцієнтів розподілення домішок у металах при їхній спрямованій кристалізації.
автореферат, добавлен 28.08.2015Встановлення термодинамічних та кінетичних факторів, які впливають на процеси нерівноважної кристалізації сплавів системи Finemet. Порівняльний аналіз кінетики фазових перетворень у сплавах з метастабільними структурами отриманих різними методами.
автореферат, добавлен 12.07.2014Визначення факторів впливу на структуру і фізичні властивості тонких плівок W-Ti-N і Ta-Si-N. Дослідження антидифузійних властивостей тонкоплівкових бар’єрів. Оптимізація технологічних основ отримання плівок, їх застосування в напівпровідникових системах.
автореферат, добавлен 27.08.2014