Квантово-механический подход к определению параметров нанофотонного сенсора при детектировании 3,4-бензпирена
Обоснование эффективности использования в качестве сенсоров при детектировании 3,4-бензпирена, так называемых нанофотонных устройств на базе полупроводниковых наноразмерных материалов – квантовых точек (КТ), выполняющих роль детекторных элементов сенсора.
Подобные документы
Методика расчета магнитной цепи вихретокового сенсора с учетом скорости прокатки движения проводящего немагнитного листа. Уравнение выходного напряжения сенсора при условии пренебрежения индуктивностью проводящего листа в зазоре магнитной цепи сенсора.
статья, добавлен 29.07.2016Принцип действия полупроводниковых сенсоров газов. Физико-химические превращения, происходящие в процессе электроискровой обработки адсорбента. Исследование особенностей модификации состава и структуры поверхности кремния электроискровой обработкой.
статья, добавлен 30.05.2017Методика и этапы расчета магнитной цепи вихретокового сенсора с учетом скорости прокатки движения проводящего немагнитного листа. Аналитическое выражение для выходного напряжения сенсора при условии пренебрежения индуктивностью проводящего листа.
статья, добавлен 29.07.2016Анализ зависимости чувствительности интегрально-оптического волноводного сенсора от длины волноводной сенсорной ячейки, эффективности ввода лазерного излучения в волновод, сечения поглощения детектируемого вещества и уровня аддитивного случайного шума.
статья, добавлен 07.11.2018Теоретические и методические основы расчета полупроводниковых диодов и транзисторов на p-n-переходах. Рекомендации по определению электрических параметров и построению зонной диаграммы полупроводниковых приборов, а также микроэлектронных устройств.
методичка, добавлен 08.09.2015Сравнение коллоидных квантовых точек по различным параметрам. Изучение особенностей синтеза коллоидных квантовых точек. Характеристика квантового размерного эффекта. Определение перспективного направление для применения коллоидных квантовых точек.
курсовая работа, добавлен 19.12.2017Характеристика побудови сенсора різницевої температури диференціального сканувального калориметра. Диференційний каскад сенсора температури реалізовано на n-p-n-транзисторах у мікрокорпусному конструктиві SOT23. Здатність вимірювання різниці температур.
статья, добавлен 14.09.2016Увеличение времени когерентного состояния при комнатных температурах использованием квантовых точек внутри монокристаллической структуры с большой шириной запрещенной зоны. Особенности использования широкозонных прямозонных бездефектных материалов.
статья, добавлен 28.02.2017Суть параметров включения полевого транзистора. Применение полупроводниковых приборов в импульсных источниках питания и стабилизаторах. Анализ использования униполярных элементов в выходных каскадах вычислительных устройств и усилителях звуковой частоты.
курсовая работа, добавлен 29.08.2015Технология нанесения коллоидных квантовых точек в относительно толстые слои на стеклянной подложке. Экспериментальные характеристики спектров фотолюминесценции. Плазменное отражение коллоидных квантовых точек CdSe, PbS, GaAs на стеклянной подложке.
статья, добавлен 18.09.2018Общая характеристика полупроводниковых материалов, характеризующихся значениями электропроводности, промежуточными между электропроводностью металлов и диэлектриков. Наиболее распространенный способ получения монокристаллов полупроводниковых материалов.
курсовая работа, добавлен 13.10.2016Анализ факторов, определяющих проводимость полупроводников. Классификация полупроводниковых материалов. Особенности применения неорганических кристаллических полупроводниковых материалов. Основные электрофизические свойства полупроводниковых материалов.
реферат, добавлен 23.12.2015Обоснование необходимости создания более сложных и высокоточных систем электрического привода, позволяющих точно и правильно выполнять заданные технологические процессы. Подходы к определению параметров электромагнитной системы каскадного привода.
статья, добавлен 26.05.2017Разработка нового метода получения наногетероэпитаксиальных структур, исследования механизмов кристаллизации массива квантовых точек, технологических режимов получения этих структур и исследование их характеристик. Выращивание нанослоев квантовых точек.
статья, добавлен 02.11.2018Анализ современных солнечных элементов (СЭ) космического назначения как сложных наногетероструктурных приборов. Система контроля параметров эпитаксиального роста полупроводниковых наногетероструктур в технологическом процессе разработки и изготовления СЭ.
статья, добавлен 16.11.2018Вычисление дискретного спектра дырочных состояний в квантовых точках Ge в Si на основе метода сильной связи. Описание основного способа расчёта g-фактора локализованного состояния в квантовых точках. Значения энергии связи и энергии оптических переходов.
статья, добавлен 31.10.2018Осовные типы гетеропереходов. Исследование квантовых ям и точек. Последовательный рост двух гетеропереходов. Использование структур, содержащих квантовую яму InGaNAs. Структуры с квантовыми проволоками и точками. Применение в длинноволновых лазерах.
статья, добавлен 01.03.2019Разработка оптического сенсора с заданными свойствами, имеющего взрывобезопасное исполнение, которое достигается применением оптической схемы измерения. Анализ чувствительности и селективности элементов на основе газохромных пленок WO 3 /Pd и NіOOH.
статья, добавлен 29.07.2016Расчеты зависимостей энергетических уровней и спектров поглощения электронов в параболической квантовой точке от приложенного магнитного поля. Учет влияния спин-орбитального взаимодействия на частоту поглощения квантовых точек при внешнем возбуждении.
статья, добавлен 23.12.2016Применение квантовых и оптоэлектронных приборов: устройств контроля и освещения, элементов индикации и оптической связи, оптоэлектронного влагомера. Классификация лазерных устройств. Принцип действия лазерного дальномера, гироскопа, измерителя скорости.
курсовая работа, добавлен 08.11.2012Разработка оптического сенсора для определения концентраций Н2 и СО в смеси с воздухом. Анализ и оценка высокой чувствительности и селективности оптических элементов на основе газохромных пленок WO 3 /Pd и NіOOH. Предпосылки изменения пропускания света.
статья, добавлен 29.07.2016Исследование основных типовых и предложенных емкостных зарядных узлов магнитно-полупроводниковых импульсных устройств. Определение электродинамических показателей магнитно-полупроводниковых импульсных устройств. Построение емкостных зарядных узлов.
статья, добавлен 29.07.2016Физические основы полупроводниковых лазеров. Характеристики инжекционного лазера. Оптика полупроводниковых лазеров, измерения спектра усиления. Гетероструктуры и наноструктуры. Эпитаксия полупроводниковых материалов. Лазеры на основе наноструктур.
книга, добавлен 07.08.2013Классификация полупроводниковых материалов, их особенности и основные требования при применении. Собственная и примесная проводимость. Применение полупроводниковых материалов, приборы, основанные на их действии. Тепловые сопротивления, термоэлементы.
курсовая работа, добавлен 25.09.2014Методика анализа емкостных переходных процессов для определения энергетических и динамических характеристик процессов захвата в массив квантовых точек. Прямое наблюдение емкостных переходных процессов захвата носителей заряда в массив квантовых точек.
автореферат, добавлен 31.07.2018