Особенности формирования структурных дефектов в полупроводниках A2B6, кремнии, германии и арсениде галлия с учетом влияния энергии дефекта упаковки
Закономерности дефектообразования в легированных и нелегированных полупроводниковых материалах методами просвечивающей электронной микроскопии. Расчет энергии дефекта упаковки. Контроль стойкости полупроводниковых материалов к образованию дефектов.
Подобные документы
Выбор силового трансформатора и полупроводниковых приборов. Расчет гармонического состава тока. Выбор элементов пассивной защиты от аварийных токов и перенапряжений. Проектирование принципиальной схемы и электрический расчет функциональных элементов.
курсовая работа, добавлен 05.06.2016Определение влияния структурного дефекта (внутреннего) Стоуна-Уэльса и присоединения атома кислорода к листу графена на его механические свойства (модуль упругости). Расчет равновесных геометрий для всех исследуемых структур и значений модуля Юнга.
статья, добавлен 28.01.2019Определение угла вращения плоскости поляризации. Оптические абсорбционные методы как способы анализа, основанные на поглощении веществами электромагнитного излучения. Условия для возникновения явления фотолюминесценции в полупроводниковых структурах.
контрольная работа, добавлен 18.10.2014Особенность исследования подхода к оценке текущего состояния стержневых конструкций на примере опор линии электропередачи, с применением метода вибродиагностики. Характеристика основной зависимости относительных частот колебаний от жесткости дефекта.
статья, добавлен 28.07.2017Общие сведения о полупроводниках, их свойства. Методы очистки и переплавки полупроводниковых материалов. Металлургия германия и кремния, применение полупроводников. Источники электромагнитного поля, биологическое воздействие на организм человека.
реферат, добавлен 15.11.2009Классификация резисторов и требования, предъявляемые к ним. Электрические параметры полупроводниковых приборов. Основы конструкторских расчетов резисторов для интегральных микросборок. Правила проектирования топологии микросхем с изоляцией р-n-переходом.
курсовая работа, добавлен 31.10.2016Особенности использования энергетических материалов в быту и промышленности. Наносекундная длительность импульса возбуждения. Определение критической плотности энергии методом деления отрезка пополам. Расчет максимальных значений плотности энергии.
статья, добавлен 18.12.2017Изучение радиационных дефектов в режиме изолированных пар как перспективное для первичных пространственных эффектов в радиационных явлениях твердого тела. Фон дорадиационных дефектов. Кривые термостимулированной люминесценции облученных кристаллов.
статья, добавлен 08.12.2018Выбор силовых полупроводниковых приборов по току и напряжению и проверка их по перегрузочной способности. Расчет и построение внешней и регулировочной характеристик преобразователя. Характеристика типов линейных и цифровых интегральных микросхем.
курсовая работа, добавлен 10.01.2017Расчет угла открывания тиристора, выбор элементов пассивной защиты силовых полупроводниковых приборов от аварийных токов и перенапряжений. Построение внешних показателей выпрямителя, регулировочная характеристика системы импульсно-фазового управления.
курсовая работа, добавлен 10.01.2017Понятие полупроводниковых материалов. Собственная и примесная проводимость полупроводников. Механизм формирования и способы изменения состояния n-p перехода. Особенности расчета схем с нелинейным элементом - диодом. Расчет параметрического стабилизатора.
методичка, добавлен 21.10.2014Зависимость использования альтернативных источников энергии в первую очередь от территориальных и погодных факторов, с учетом рентабельности. Рассмотрение преимуществ и недостатков альтернативной энергии: солнечной, ветряной энергии и ветряных турбин.
автореферат, добавлен 20.09.2018Основные характеристики и параметры полупроводниковых р-n переходов, влияние на них температуры окружающей среды. Преобразование переменного тока в постоянный. Прямой и обратный токи полупроводникового диода, расчет дифференциального сопротивления.
контрольная работа, добавлен 13.12.2021Основные направления развития возобновляемых источников энергии как возможной альтернативы традиционной энергетики. Способы преобразования энергии солнца, ветра, океана, геотермальной энергии в электрическую и тепловую с учетом последних достижений науки.
учебное пособие, добавлен 21.02.2013- 40. Моделирование наноразмерных областей разупорядочения, созданных ионизирующими частицами в кремнии
Разработка модели и анализ результатов моделирования образования наноразмерных областей разупорядочения в кремнии при облучении потоком ионизирующих частиц с учётом параметров материала и условий облучения. Образование первичных радиационных дефектов.
автореферат, добавлен 27.07.2018 Выбор силовых полупроводниковых приборов проектируемого выпрямителя. Расчет элементов пассивной защиты силовых приборов от аварийных токов и перенапряжений. Синхронизирующая оптронная развязка. Генератор пилообразного напряжения. Расчёт компаратора.
курсовая работа, добавлен 18.11.2017- 42. Закономерности деградации полупроводниковых чувствительных элементов автомобильных датчиков Холла
Автомобильные датчики, принцип действия которых основан на эффекте Холла и в которых чувствительным элементом является кремниевый кристалл. Методы определения внутренних механических напряжений в кристаллах. Механизмы в полупроводниковых элементах.
автореферат, добавлен 27.03.2018 Особенности и классификация полупроводниковых силовых преобразователей энергии. Топология выпрямителей разных типов, особенности их расчета. Однофазная однополупериодная схема выпрямления. Пульсации выпрямленного напряжения и тока, сглаживающие фильтры.
лекция, добавлен 02.04.2019Роль альтернативных источников энергии для развития человечества в будущем. Проблема улавливания солнечной энергии, конструкция гелиоустановок и их применение. Использование ветровой энергии, термальной энергии Земли, энергии внутренних вод, океана.
реферат, добавлен 11.09.2011Изучение тонких образов с помощью пучка электронов, проходящих сквозь них и взаимодействующих с ними. Электроны, прошедшие сквозь образец, их отражение на устройстве формирования изображения: флюоресцентном экране, фотопластинке или сенсоре ПЗС-камеры.
реферат, добавлен 27.11.2016Исследование динамики развития различных альтернативных источников энергии по землям Германии и оценка их значимости в общем объеме производства электроэнергии страны. Изменение выработки электроэнергии на базе альтернативных источников энергии Германии.
статья, добавлен 19.02.2019Исследование электротепловых режимов силовых полупроводниковых приборов (СПП) при групповых соединениях с учетом взаимосвязи их электрических и тепловых параметров и характеристик. Разработка методов подбора и отбраковки СПП для групповых соединений.
автореферат, добавлен 31.01.2019Выбор метода формирования липосомальных контейнеров со встроенными в них полупроводниковыми наночастицами, обеспечивающего минимальный разброс значений диаметра липосомальных контейнеров. Измерение геометрических свойств полупроводниковых наночастиц.
дипломная работа, добавлен 30.08.2016Рассматриваются процессы преобразования гравитационной энергии в другие виды энергии, ее рассеивание в мировом пространстве. Преобразования гравитационной энергии Луны в механическую энергию морских приливов. Расчет величины энергии системы Земля-Луна.
статья, добавлен 05.03.2018Характеристика операций планарно-эпитаксиальной технологии производства биполярных полупроводниковых ИМС с изоляцией элементов переходами. Анализ этапов проектирования полузаказных БИС и СБИС. Классификация видов и маркировки полупроводниковых диодов.
контрольная работа, добавлен 29.10.2010