Расчет температурной зависимости проводимости
Расчет температурной зависимости проводимости Gep-типа при заданных условиях. Время релаксации при рассеянии на ионах примеси. Взаимодействие электрона с колебаниями решетки. Температурная зависимость подвижности электронов с учетом рассеяния на фононах.
Подобные документы
Описание лабораторной установки для исследования температурной зависимости фототока полупроводниковых фоторезисторов. Результаты измерений времени жизни неосновных носителей фототока проводимости в зависимости от температуры и частоты волн облучения.
статья, добавлен 29.04.2019Анализ туннельной плотности поверхностных состояний и проводимости поверхностной реконструкции Si(111)-7x7 образцов с величиной удельного сопротивления 1 Ωсм. Измерения температурной зависимости проводимости поверхности в диапазоне температур от 35-1
статья, добавлен 03.11.2018Методы измерения проводимости и ее температурной зависимости. Исследование влияния адсорбированного кислорода на электрические свойства пленок производных фталоцианина. Модель многоуровневого прыжкового переноса электронов. Методика ионной имплантации.
автореферат, добавлен 19.08.2018Основные методы измерения эффекта Холла, определение типа концентрации и подвижности носителей заряда в полупроводниковых образцах. Параметры легирующей примеси по температурной зависимости. Особенности эффекта в классически сильных магнитных полях.
лабораторная работа, добавлен 29.11.2010Рекомбинация – это переход электрона из зоны проводимости в валентную зону, в результате чего исчезает пара свободных носителей. Основные механизмы генерации носителей заряда по типам электронных переходов. Максвелловское время релаксации, понятие и вид.
курсовая работа, добавлен 23.09.2020Основное уравнение термодинамики и уравнение состояния системы. Особенности термодинамического потенциала кристалла при заданных отклонениях от симметричного состояния. Расчет температурной зависимости параметра порядка и зависимости энтропии кристалла.
контрольная работа, добавлен 29.08.2015Особенности методики измерения температурной зависимости факторов эффективности поглощения тонкопроволочных платиновых болометров для Е- и Н-поляризаций излучения с учетом неравномерности распределения падающей интенсивности. Излучение неодимового лазера.
статья, добавлен 25.03.2016Расчет температурной зависимости концентрации равновесных носителей заряда в собственном проводнике, концентрации вырождения донорной примеси. Определение равновесной концентрации основных и неосновных носителей тока, толщины пространственного заряда.
курсовая работа, добавлен 18.12.2015Электрический ток - перенос электрических зарядов. Концентрация электронов в зоне проводимости. Электропроводность зоны проводимости полупроводников. Влияние примесей на электропроводность. Скорость электрона как производная от энергии по импульсу.
лекция, добавлен 30.07.2013Процесс переноса заряда под действием электрического поля. Связь плотности тока с дрейфовой скоростью. Зависимость удельной проводимости от напряжения (тензорезистивный эффект). Расчет тензоров деформации для алмазоподобных кристаллов на примере кремния.
статья, добавлен 27.11.2018Определение массы газа в сосуде и абсолютное давление в начальном состоянии. Расчет количества полученной теплоты с учетом температурной зависимости теплоемкости газа. Построение графического изображения цикла в координатах. Значение газовой постоянной.
контрольная работа, добавлен 21.01.2014Температурная зависимость подвижности и проводимости носителей заряда. Характеристики основных электрофизических свойств полупроводников Ge и Si. Мелкие акцепторные и донорные уровни. Спектральный диапазон оптической прозрачности чистого кремния.
курсовая работа, добавлен 10.04.2015Температурная зависимость подвижности носителей заряда. Основные сведения о кристаллическом строении. Получение и выращивание монокристаллов. Осаждение эпитаксиальных слоев кремния. Плюсы и минусы методов исследования проводимости полупроводников.
курсовая работа, добавлен 08.07.2019Понятие теплоемкости тела как количества теплоты, поглощенной телом при нагревании. Сложная линейная зависимость удельной теплоемкости алюминия от времени охлаждения испытуемого образца из алюминия и эталона из меди как результат измерений температуры.
лабораторная работа, добавлен 10.08.2013Классический метод измерения сопротивления при помощи резистивного моста. Вычисление удельного сопротивления, температурного коэффициента сопротивления металла. Определение энергии активации примесей в полупроводнике. Закон Ома и формула Друде-Лоренца.
лабораторная работа, добавлен 03.10.2011Методика расчета дополнительных потерь мощности, возникающих при нагреве токоведущих частей с учетом электроприемников, имеющих нелинейную вольт-амперную характеристику. Расчет фильтрокомпенсирующего устройства и потерь мощности в трансформаторе.
статья, добавлен 02.02.2019Кинетические закономерности проводимости и люминесценции кристаллов азида серебра, инициированной наносекундным импульсном неодимового лазера. Зависимости концентрации дырок в центре образца люминесценции и проводимости при инициировании кристаллов.
статья, добавлен 18.12.2017Роль эффекта ангармонизма колебаний атомов при формировании рассеяния квазичастиц тепловыми возбуждениями в конденсированных средах. Расчет электросопротивления металлов при рассеянии электронов на подсистемах в упорядоченной и неупорядоченной фазах.
автореферат, добавлен 16.02.2018Определение ширины запрещенной зоны полупроводников по краю собственного поглощения. Правила измерения интенсивности поглощенного излучения. Вычисление температурной зависимости электропроводности полупроводников и металлов. Расчет энергии упругости.
лабораторная работа, добавлен 19.12.2015Характеристика методов определения проводимости твердых тел, рекомендаций по наилучшему осуществлению измерений. Классификация методов в зависимости от необходимости применения электродов или отсутствия таковой, анализ их использования на практике.
статья, добавлен 24.03.2019- 21. Расчет параметров транзисторов в зависимости от режимов эксплуатации и их температурная зависимость
Анализ параметров транзистора в зависимости от параметров удельного сопротивления толщины эпитаксии. Технологические операции, связанные с получением монокристаллических полупроводниковых пластин. Причины возникновения точечных дефектов в кристаллах.
контрольная работа, добавлен 15.01.2016 Метод определения спиновой поляризации электронов проводимости ферромагнитного металла с помощью туннельного контакта, другой электрод которого является тонкой сверхпроводящей пленкой. Отличие неравновесного от равновесного распределения Ферми-Дирака.
статья, добавлен 26.06.2016Определение диэлектрических потерь и проводимости экранов в силовых кабелях. Типовые конструкции современных проводов с изоляцией из сшитого полиэтилена. Проводящий экран из полимера. Зависимость тангенса угла диэлектрических потерь от проводимости.
статья, добавлен 14.07.2016Анализ проблемы двойного бета распада. Исследование температурной зависимости формы импульса и светового выхода сцинтилляционных кристаллов СаМоО4. Расчет ожидаемой чувствительности эксперимента в зависимости от концентрации радиоактивных примесей.
автореферат, добавлен 10.10.2018Теория кристаллического поля. Учет кулоновского и спин-орбитального взаимодействия. Кулоновские корреляции и электронно–дырочная жидкость в двойных квантовых ямах. Расчет вклада кулоновского взаимодействия в энергию связанного оптического электрона.
дипломная работа, добавлен 09.09.2015