Эффективность генерации планарного диода с туннельным анодом и туннельной боковой границей
Возможность генерации диодами с туннельным анодом и боковой границей в диапазоне десятки-сотни гигагерц и существования двух участков отрицательной дифференциальной проводимости двух зон генерации по напряжению. Свойства предложенных диодных структур.
Подобные документы
Выходы портов в статическом режиме при низком уровне сигнала, их суммарный ток нагрузки. Обеспечения генерации тактовой частоты. Увеличение линий ввода-вывода микроконтроллера. Цифровая интегральная схема транзисторной логики с диодами Шоттки серии ТТЛ.
курсовая работа, добавлен 10.06.2014Решение обратной некорректной задачи математической физики по идентификации параметров источника теплоты. Пример, в котором наличие априорной информации энергетического характера позволило определить месторасположение источника генерации теплоты.
статья, добавлен 13.01.2017Рассмотрение задачи размещения генерирующих источников малой мощности в распределительных сетях мегаполисов. Характеристика основных тенденций развития систем электроснабжения. Разработка многокритериальной постановки задачи размещения малой генерации.
статья, добавлен 28.01.2020- 29. Теоретические исследования генерации оптоакустических волн в жидкости цилиндрическими поглотителями
Теоретическая модель процесса возбуждения акустических сигналов в жидкой среде с присутствием наноразмерных объектов. Экспериментальные исследования и моделирование процесса генерации оптоакустических волн в жидкости цилиндрическими поглотителями.
статья, добавлен 31.10.2017 Особенности применения сильнополевой туннельной инжекции носителей в исследованиях структур металл-диэлектрик-полупроводник и технологиях их получения. Проведение исследования процессов генерации положительного заряда при инжекционной модификации.
автореферат, добавлен 31.03.2018Исследование вопросов методологии разработки электротехнического комплекса виртуальной электростанции с источниками распределенной генерации. Методика, позволяющая на основе теории графов определить наиболее оптимальные маршруты передачи электроэнергии.
статья, добавлен 15.04.2018Акустико-гравитационные волны в земной атмосфере. Механизмы генерации акустико-гравитационных волн. Ионосферные волновые возмущения. Разработка численного алгоритма для решения уравнений. Моделирование ионосферных возмущений генерированных волнами.
диссертация, добавлен 23.12.2013Исследование проводимости перфорированного катодного листа с помощью проводящей бумаги. Определение отношения проводимости электролита при металлической пластине к веществу при сплошной плите. Анализ изучения однородного поля между анодом и катодом.
статья, добавлен 08.02.2017Общие сведения о квантовой криптографии, её история, принцип работы и простейший алгоритм генерации ключа BB84. Уязвимость реализации квантовой системы. Простейший алгоритм генерации секретного ключа. Квантовая криптография для мобильных устройств.
курсовая работа, добавлен 13.10.2017Анализ основных проектных решений использования комбинированной генерации различных видов энергии – когенерации. Характеристика когенерации как оптимального способа обеспечения теплом и электрической энергией. Основные виды когенерационных систем.
статья, добавлен 19.10.2019Закономерности физических процессов, протекающих в многоканальном разряде между струйным электролитическим катодом и твердым анодом при атмосферном давлении, создание на их основе устройств для направленного изменения структуры и свойств материалов.
автореферат, добавлен 27.03.2018- 37. Исследование способов повышения эффективности генерации потоков заряженных частиц в дуоплазматроне
Возможность создания разнообразных ядерных частиц как потенциально полезное свойства для ионных источников плазменных выбросов. Характеристика предельных режимов протекания тока в разрядах с двойным контрагированием. Принцип работы дуоплазматрона.
дипломная работа, добавлен 23.11.2015 Анализ генерации, рекомбинации и захвати носителей заряда в ионных соединениях при импульсном рентгеновском возбуждении по данным радиационно-индуцированной проводимости. Модель образования основного канала разряда в щелочно-галоидных кристаллах.
автореферат, добавлен 02.03.2018Повышение рабочей частоты аналогичного диода на AlGaAs/GaAs наноструктуре. Зависимость отрицательной проводимости и реактанса диода от его диаметра, пролетного угла, частоты и времени туннелирования. Параметры и микроволновые характеристики диодов.
статья, добавлен 14.07.2016- 40. Время релаксации
Рекомбинация – это переход электрона из зоны проводимости в валентную зону, в результате чего исчезает пара свободных носителей. Основные механизмы генерации носителей заряда по типам электронных переходов. Максвелловское время релаксации, понятие и вид.
курсовая работа, добавлен 23.09.2020 Исследование рассеяния излучения легированным кристаллическим германием в спектральном диапазоне 2,3-25,0 мкм. Зависимость величины рассеяния от вида легирующего компонента. Процессы генерации, диффузионного переноса и рекомбинации носителей заряда.
статья, добавлен 30.11.2018Особенности постройки диаграмма состояний и соответствующих фазовых портретов. Знакомство с динамикой изменения скорости ползучести, плотности дислокаций и точечных дефектов в материалах под облучением с учетом генерации вакансий скользящими дислокациями.
контрольная работа, добавлен 02.09.2013Рассмотрение энергетических зон полупроводников. Определение генерации и рекомбинации носителей заряда. Исследование температурных зависимостей подвижности носителей заряда и удельной проводимости. Расчет времени жизни неравновесных носителей заряда.
презентация, добавлен 29.08.2015Контакт двух полупроводников одного вида с различными типами проводимости (электронным и дырочным). Несимметричный p-n переход. Область применения диодов. Прямое и обратное смещение p-n перехода. Способ образования интегрального полупроводникового диода.
презентация, добавлен 09.07.2015Типы полупроводников c примесями n-типа и p-типа. Структура полупроводникового диода. Граница раздела двух областей с различной проводимостью. Включение диода в простейшую электрическую цепь. Вольт-амперная характеристика диода. Выпрямительные диоды.
реферат, добавлен 07.07.2016Типы полупроводников c примесями n-типа и p-типа. Структура полупроводникового диода. Граница раздела двух областей с различной проводимостью. Включение диода в простейшую электрическую цепь. Вольт-амперная характеристика диода. Выпрямительные диоды.
реферат, добавлен 11.12.2011Анализ излучательних характеристик плазмы в Ar, Kr, Xe. Расчет импульсных разрядов в смеси Kr-Xe в широком диапазоне относительных концентраций. Условия достижения порога генерации на димерах инертных газов в импульсных разрядах с УФ-предыонизацией.
автореферат, добавлен 15.02.2018- 48. Увеличение электрической прочности ускоряющего промежутка электронного источника при наличии пучка
Разработка плазменной электронной пушки. Создание плазменного источника электронов в комбинации полого катода и плоского ускоряющего промежутка для генерации электронного пучка в форвакуумном диапазоне давлений. Использование математической модели.
реферат, добавлен 26.01.2017 Проведение исследования двух видов делителей мощности - планарного и пространственного, реализованных на основе однопроводниковой ленточной меандровой линии c прямоугольным меандром. Исследования проведены с использованием двух численных методов.
статья, добавлен 04.11.2018Особенности решения однофазной задачи со свободной границей. Доказательство ее локальной разрешимости по времени. Параметризация границы, поиск решения в постоянной области. Применение ранее разработанного общего метода для данного конкретного случая.
статья, добавлен 31.05.2013