Электроны в кристаллах
Расчет электропроводности металлов на основе квантовой теории. Собственная и примесная проводимость полупроводников. Сущность электронно-дырочного перехода как граница соприкосновения двух полупроводников. Термоэлектрические явления по зонной теории.
Подобные документы
- 26. Полупроводники
Исторические сведения появления полупроводников. Электрическая и электронная проводимость металлов, движение электронов. Зависимость сопротивления проводника от температуры. История открытия сверхпроводимости. Сущность понятия "ковалентная связь".
контрольная работа, добавлен 19.04.2013 Обусловленность примесной проводимости примесями и дефектами типа избыточных атомов. Возникновение электронной проводимости в полупроводниках с примесью. Особенности изменения положения уровня Ферми при наличии примесных уровней в полупроводниках.
реферат, добавлен 28.07.2015Энергетические диаграммы примесных полупроводников. Концентрация носителей заряда и удельная проводимость, факторы, влияющие на нее. Инвертирующий усилитель: схема, принцип работы, коэффициент усиления, условия и факторы эффективного применения.
контрольная работа, добавлен 11.03.2015Определение электропроводности материалов. Зависимость концентрации собственных носителей от температуры. Описание лабораторной установки. Оценка электропроводности образца при всех температурах. Определение ширины запрещенной зоны полупроводника.
лабораторная работа, добавлен 24.01.2017Характеристики, особенности и процесс возникновения мартенсита. Энергетическое отличие диэлектриков oт полупроводников и металлических проводников c точки зрения зонной теории твepдoгo тела. Описание зависимости магнитных свойств ферритов от состава.
реферат, добавлен 21.04.2016Комплексное исследование электропроводности перовскитовых манганитов на основании модели электропроводности с переменной длиной прыжка, разработанной для сильнолегированных полупроводников. Вычисление микроскопических параметров носителей заряда.
автореферат, добавлен 27.03.2018Рассмотрение процесса образования твердого тела из изолированных атомов. Энергетические уровни изолированных атомов. Определение степени заполнения электронами энергетических уровней в зоне. Различия металлов и диэлектриков с точки зрения зонной теории.
реферат, добавлен 28.07.2015Кристаллическая решетка полупроводников. Изучение периодичности расположения атомов в пространстве. Индексы узлов направлений и плоскостей в кристалле. Возникновение сразу двух точечных дефектов. Полное или частичное испарение атомов с поверхности.
статья, добавлен 04.12.2018Полупроводники как вещества с электронной электропроводностью, удельные сопротивления которых при нормальной температуре занимают промежное расположение среди металлов. Анализ особенностей влияния внешних факторов на электропроводность полупроводников.
статья, добавлен 05.05.2022Расчет "Методом узловых потенциалов". Применение законов Кирхгофа. Проводимость между узлами. Метод эквивалентного генератора. Расчет замены звезды треугольником. Собственная проводимость узлов. Составление баланса исходной и преобразованной схем.
контрольная работа, добавлен 13.06.2013Распределение концентрации носителей при монополярной диффузии в кремниевом и германиевом полупроводниках. График распределения Ферми-Дирака, построение диаграмм для перехода из германия. Потенциалы Ферми для дырочного и электронного полупроводников.
контрольная работа, добавлен 21.10.2018Определение сущности электронно-дырочного перехода, который является основным элементом большинства полупроводниковых приборов. Рассмотрение и анализ зонной диаграммы гетероперехода. Характеристика особенностей границ раздела "полупроводник–диэлектрик".
реферат, добавлен 31.01.2015Неравновесные электронные явления, возникающие при прохождении тока через контакт полупроводника с металлом или электролитом. Механизм образования электронно–дырочного р-n-перехода. Причины появления собственной и примесной проводимости полупроводника.
лекция, добавлен 11.11.2021Появление носителей заряда в полупроводниках. Термоэлектрические явления в полупроводниках, эффект Холла. Перераспределение основных носителей заряда в полупроводнике. Эффект Пельтье и эффект Томпсона. Изготовление термоэлементов охлаждающих устройств.
отчет по практике, добавлен 04.10.2019Рассмотрение энергетических зон полупроводников. Определение генерации и рекомбинации носителей заряда. Исследование температурных зависимостей подвижности носителей заряда и удельной проводимости. Расчет времени жизни неравновесных носителей заряда.
презентация, добавлен 29.08.2015Сущность электронно-дырочного перехода, динамическое равновесие процессов диффузии. Понятие теплового и электрического пробоя. Типы электропреобразовательных полупроводниковых диодов, их применение в технике. Характеристика варикапов, их применение.
контрольная работа, добавлен 15.10.2014Устройство пьезоэлектрического полупроводника. Взаимодействие электронов проводимости с пьезоэлектрическим полем. Поглощение и усиление звука, физическая основа. Основные результаты линейной теории. Усиление акустических шумов и связанные с этим явления.
реферат, добавлен 10.12.2010Оценка основных условий образования бозе-конденсата из триплетных экситонов высокой плотности. Исследование особенностей спиновой поляризации на поверхности ферромагнитных металлов и диэлектрических прослойках мультислойных ферромагнитных структур.
автореферат, добавлен 02.03.2018Анализ факторов, определяющих проводимость полупроводников. Классификация полупроводниковых материалов. Особенности применения неорганических кристаллических полупроводниковых материалов. Основные электрофизические свойства полупроводниковых материалов.
реферат, добавлен 23.12.2015Сущность опыта Э. Рикке. Экспериментальное определение Т. Стюартом и Р. Толменом удельного заряда частиц. Создание физиками Друде и Лоренцем классической теории электропроводности металлов, ее основные положения. Сверхпроводимость металлов и сплавов.
презентация, добавлен 18.05.2012Рассмотрение использования функции состояния системы для описания систем в квантовой механике. Приведение решения координатного уравнения Шредингера. Нахождение коэффициента надбарьерного отражения, энергии Ферми и зависимости уровня Ферми от температуры.
контрольная работа, добавлен 16.10.2014Общие сведения о полупроводниках, распределение электронов по энергиям в атоме твердого тела. Кристаллическая решётка. Плоская модель идеальной решётки полупроводника. Понятие примесных полупроводников, их электропроводность и энергетические диаграммы.
методичка, добавлен 13.06.2011Основные понятия квантовой статистики. Рассмотрение распределения Ферми-Дирака и Бозе-Эйнштейна. Колебания кристаллической решетки с большим числом степеней свободы. Квантовая теория теплоёмкости кристаллов. Ознакомление со свойствами электронного газа.
реферат, добавлен 14.08.2018Контакт двух полупроводников одного вида с различными типами проводимости (электронным и дырочным). Несимметричный p-n переход. Область применения диодов. Прямое и обратное смещение p-n перехода. Способ образования интегрального полупроводникового диода.
презентация, добавлен 09.07.2015Типы полупроводников c примесями n-типа и p-типа. Структура полупроводникового диода. Граница раздела двух областей с различной проводимостью. Включение диода в простейшую электрическую цепь. Вольт-амперная характеристика диода. Выпрямительные диоды.
реферат, добавлен 07.07.2016