Изоляция элементов и технологические процессы производства биполярных ИМС
Электрические и физические свойства области расположения элементов интегральных транзисторов и значение изоляции. Характеристика операций технологического процесса производства биполярных полупроводниковых ИМС с диэлектрической изоляцией элементов.
Подобные документы
Анализ маршрутных технологических процессов производства типовых интегральных микросхем. Разработка структурной схемы технологического процесса. Толстопленочные проводники и резисторы. Производство толстопленочных гибридных больших интегральных схем.
курсовая работа, добавлен 10.01.2013Структура и основные режимы работы транзистора и схемы включения. Сочетание диффузии и дрейфа - принцип движения, инжектированных эмиттером носителей. Методика определения зависимости коэффициентов передачи тока от величины напряжения на коллекторе.
учебное пособие, добавлен 21.08.2015Обоснование выбора элементов, резисторов, конденсаторов, микросхем, диодов и транзисторов. Расчет коэффициента заполнения печатной платы и надежности прибора. Обоснование разработки трассировки печатной платы. Технология изготовления печатных плат.
дипломная работа, добавлен 07.06.2012- 79. Технологические аспекты формирования функциональных элементов на поверхностях узлов гироприборов
Создание функциональных элементов на поверхности сферического ротора бескарданного варианта электростатического гироскопа. Анализ тонкопленочного покрытия износостойкого нитрида титана и светоконтрастного рисунка, нанесенного лазерным маркированием.
статья, добавлен 28.10.2018 Изучение принципа работы, статических характеристик и методов анализа цифровых эмиттерно-связанных логических (ЭСЛ) элементов. Область использования ЭСЛ-элементов и их основные свойства. Передаточная характеристика токового ключа и ЭСЛ-элемента.
лабораторная работа, добавлен 14.11.2011Виды микрооптикоэлектромеханических систем. Анализ конструкции интегральных микромеханических зеркал с крестообразным и интегрированным внутренними подвесами. Разработка модели равновесия зеркальных элементов и ее использование при их проектировании.
статья, добавлен 30.05.2017Транзисторно-транзисторная логика (ТТЛ) со сложным инвертором. Планарная технология производства микросхем. Расчет параметров элементов и топология схемы ТТЛ, расчеты входных и выходных характеристик биполярного транзистора с помощью программы LTSpice.
курсовая работа, добавлен 27.11.2012Обоснование способа увеличения плотности элементов в схемах NOR и OR, сформированных на базе полевых гетеротранзисторов. Разработка рекомендации по оптимизации технологического процесса с целью формирования более компактного распределения примесей.
статья, добавлен 21.06.2020Исследование способа поверки кориолисовых расходомеров на месте эксплуатации. Описание вариантов элементов конструкции системы, физические принципы их работы. Результаты моделирования воздействия импульсных помех. Резонансный режим работы расходомера.
статья, добавлен 31.08.2018Основные механизмы отказа биполярного транзистора с изолированным затвором (IGBT) при коротком замыкании нагрузки и выключении индуктивной нагрузки. Существующие методы тестирования IGBT приборов и базисные требования к неразрушающему методу контроля.
статья, добавлен 28.07.2013Устройство, назначение, принцип и режимы действия биполярных транзисторов, как трехэлектродного полупроводникового прибора. Основные носители биполярного транзистора: электроны и дырки, схемы включения. Слои полупроводника и тип приметной проводимости.
контрольная работа, добавлен 18.08.2010Биполярные и униполярные (полевые) транзисторы - базовые элементы большинства полупроводниковых интегральных схем. Изучение основных технологические процессов для формирования полупроводниковых структур. Локальное изменение типа проводимости кремния.
презентация, добавлен 01.03.2023Анализ и обоснование выбора элементов управления, Разработка принципиальной схемы и трассировки печатной платы логического контроллера. Программный код программы управления. Зондовые установки, принцип их работы. Интерфейс работы программы управления.
дипломная работа, добавлен 28.08.2018Особенности выбора входного транзистора, расчет входных элементов и элементов отрицательной обратной связи. Основы расчета мощности элементов схемы. Определение оконечного каскада. Исследование основных аспектов проектирования электронного устройства.
курсовая работа, добавлен 05.01.2015Описание комплекта типового лабораторного оборудования "Теоретические основы электротехники". Исследование параметрического стабилизатора напряжения. Испытание слоев и выпрямительного действия биполярных транзисторов. Операционные усилители, их виды.
учебное пособие, добавлен 10.11.2014Электронно-дырочные и металлополупроводниковые переходы. Принцип действия полупроводников, биполярных транзисторов, диодов. Цифровая микросхемотехника. Логические функции и их реализация. Характеристики усилителей. Устройства отображения информации.
книга, добавлен 07.02.2014Физические основы действия полупроводниковых приборов. Техника безопасности при выполнении лабораторных работ. Оформление отчета по работе. Анализ свойств операционных усилителей. Микросхемы базовых логических элементов. Цифровые микросхемы триггеров.
методичка, добавлен 23.06.2013Конструктивно-технологические и схемотехнические решения совместного использования цифровых ИМС различных серий. Обеспечение совместимости уровней цифровых элементов при проектировании микроэлектронной аппаратуры на цифровых интегральных микросхемах.
реферат, добавлен 10.02.2013Обзор роли тонкопленочной технологии в производстве интегральных схем. Тонкопленочная металлизация полупроводниковых приборов и интегральных схем. Факторы, влияющие на свойства тонких пленок. Тонкопленочные конденсаторы, пленки тантала и его соединений.
реферат, добавлен 08.12.2012Наблюдение небольших нелинейных искажений. Процесс усиления сигнала в классе А. Определение четырех параметров данного каскада (четырехполюсника). Влияние температуры. Зависимость от соотношения входного сопротивления транзистора. Синусоидальная ЭДС.
презентация, добавлен 23.09.2016Принцип действия, типы и схемы включения биполярных транзисторов. Причины инжекции электронов из эмиттера в базу. Определение коэффициента усиления по току и напряжению. Усиление света в полупроводниках. Квантовые генераторы и светоизлучающие диоды.
реферат, добавлен 04.12.2018Назначение, основные типы и характеристики биполярных транзисторов. Принципы переноса заряда в полупроводниковой структуре. Понятие рекомбинации электронов. Схемы включения и режимы работы. Анализ зависимости токов эмиттера и коллектора от напряжения.
реферат, добавлен 21.01.2019Материалы, которые определяют параметры и характеристики электронных элементов и материалы, которые должны обеспечивать механическую прочность изделий, создаваемых из радиоматериалов. Сведения о строении вещества. Электрические и механические свойства.
презентация, добавлен 23.09.2016Исследование полупроводникового диода, биполярных транзисторов и транзисторных усилителей, неуправляемых однофазных выпрямителей, управляемых однофазных выпрямителей. Расчет динамического сопротивления стабилитрона, коэффициента нестабильности.
лабораторная работа, добавлен 16.12.2015- 100. Электронные приборы
Основы физики полупроводников. Классификация диодов, биполярных транзисторов. Структура и принцип действия тиристоров. Полупроводниковые приборы с зарядной связью. Приборы на квантово-размерных эффектах. Электролюминесцентные и пленочные излучатели.
учебное пособие, добавлен 08.09.2015