Элементы полупроводниковых ИМС на биполярных транзисторах
Характеристики биполярных интегральных транзисторов, их элементы, назначение и область применения. Разновидности интегральных резисторов, их параметры и конструкции. Конфигурации интегральных диффузионных конденсаторов, их конструирование и формирование.
Подобные документы
Описания особенностей конструирования интегральных микросхем и радиоэлектронной аппаратуры на их основе. Структура ячейки флэш-памяти. Обзор внутреннего устройства микросхемы. Основные элементы биполярных микросхем. Конструктивно-технологические типы ИМС.
презентация, добавлен 20.07.2013Понятие и признаки топологий интегральных микросхем. Регистрация топологий интегральных микросхем и уведомление о правах. Права авторов топологий интегральных микросхем и их защита. Особенности, топологий как результата интеллектуальной деятельности.
контрольная работа, добавлен 13.06.2010Разработка, расчет и построение принципиальной схемы усилителя, амплитудно-частотной характеристики (АЧХ). Расчет АЧХ на нижних и верхних частотах. Разработка топологии интегральной микросхемы усилителя. Расчет резисторов, конденсаторов, транзисторов.
курсовая работа, добавлен 16.09.2017Построение схемы оконечного каскада на комплиментарной паре. Использование RC-каскада на биполярном транзисторе. Расчет амплитуды выходного тока и сопротивления в цепи эмиттера. Вычисление усилителя на интегральных микросхемах и источника питания.
курсовая работа, добавлен 06.12.2012Изучение устройства и описание принципа действия биполярного транзистора - трехэлектродного полупроводникового прибора, имеющего взаимодействующие электронно-дырочные переходы. Технологические типы биполярных транзисторов и их применение в электронике.
реферат, добавлен 21.07.2013Микроэлектроника как комплекс конструкторских, технологических и схемотехнических вопросов проектирования и изготовления радиоэлектронных приборов с использованием интегральных микросхем, имеющих малые габариты, массу и повышенную механическую прочность.
реферат, добавлен 20.11.2012Технологический процесс изготовления гибридных интегральных микросхем. Поверочный расчет конструкций тонко- и толстопленочных резисторов, выбор формы и геометрических размеров. Определение конструкций пленочных конденсаторов, выбор материала диэлектрика.
курсовая работа, добавлен 11.02.2013Обзор интегральных микросхем в системах управления производственными процессами. Аналоговые и цифровые электронные устройства. Принцип построения аналоговых и цифровых интегральных микросхем. Микромодульный способ конструирования радиоаппаратуры.
статья, добавлен 02.06.2016Разработка топологии гибридной схемы широкополосного усилителя К174УВ1. Технология гибридных интегральных микросхем. Параметры, определяющие выбор конструкции и материал пленки. Этапы технологического процесса изготовления гибридных интегральных схем.
контрольная работа, добавлен 24.09.2012Система условных обозначений интегральных микросхем. Конструктивно-технологическая группа. Присвоение серии как порядковый номер разработки. Элементы арифметических и дискретных устройств. Схема вторичных источников питания. Сигналы специальной формы.
контрольная работа, добавлен 18.01.2014Обширная номенклатура интегральных микросхем в Российской Федерации. Основа последовательностных цифровых приборов. Интегральные микросхемы комбинационного типа. Электронные часы с кварцевым генератором. Таймер на интегральных микросхемах серии К155.
книга, добавлен 11.03.2014Каскады на биполярных и полевых транзисторах. Рассмотрение параметров операционных усилителей. Основные преобразования аналоговых сигналов. Методы коррекции частотной характеристики операционных усилителей. Сложная схема "токового зеркала" Уилсона.
презентация, добавлен 18.04.2021Биполярные и униполярные (полевые) транзисторы - базовые элементы большинства полупроводниковых интегральных схем. Изучение основных технологические процессов для формирования полупроводниковых структур. Локальное изменение типа проводимости кремния.
презентация, добавлен 01.03.2023Роль тонкопленочной технологии в производстве интегральных схем. Тонкопленочная металлизация полупроводниковых приборов и интегральных схем. Фактор, влияющий на свойства тонких пленок. Процесс изготовления двухуровневой металлизации в системе А1-А1гОз-А1.
контрольная работа, добавлен 21.01.2017Схемотехника усилительных каскадов на биполярных транзисторах, особенности их построения. Вычисления коэффициентов усиления, входного и выходного сопротивления. Типовые схемные решения усилительного каскада с общими эмиттером и базой, их анализ.
учебное пособие, добавлен 09.04.2015- 41. Металлооксидные чувствительные элементы интегральных датчиков концентраций водородсодержащих газов
Повышение селективности детектирования водородсодержащих газов металлооксидными чувствительными элементами интегральных датчиков. Влияние амплитуды и профиля нагрева на характер отклика газочувствительного слоя, легированного разными катализаторами.
автореферат, добавлен 02.08.2018 Понятие и методы технологического контроля при изготовлении интегральных схем. Особенности пооперационного, визуального контроля и тестовых интегральных микросхем. Основные виды контрольных испытаний: параметрические, функциональные, диагностические.
реферат, добавлен 01.09.2013Основные физические процессы биполярных транзисторов. Проведение исследования концентрации примеси в эмиттере и коллекторе. Изменение напряжений на коллекторном и эмиттерном переходах. Эквивалентная схема полупроводникового прибора для постоянного тока.
лекция, добавлен 23.09.2016Структура, типы и параметры полупроводниковых транзисторов. Типы проводимости и управляющих переходов. Способы изоляции элементов интегральных микросхем. Схемы включения и режимы работы трёхполюсников. Измерение коэффициента передачи тока и напряжения.
курс лекций, добавлен 03.03.2018- 45. Защита кристаллов полупроводниковых приборов и интегральных микросхем от воздействий внешней среды
Понятие и функциональные особенности интегральных микросхем, эксплуатационные и технологические требования к ним. Виды корпусов данных микросхем, современный этап развития: керамические, пластмассовые, металлополимерные. Методы герметизации пластмассами.
курсовая работа, добавлен 11.03.2012 Разработка структурной и принципиальной схем устройства. Параметры и характеристики бескорпусных транзисторов. Вычисление сопротивления в цепи эмиттера. Нахождение коэффициента передачи тока базы. Дифференциальный каскад на биполярных транзисторах.
курсовая работа, добавлен 22.02.2014Изучение принципа действия, основных характеристик и параметров электронных ключей на биполярных транзисторах. Выполнение инженерного расчета транзисторного ключа на БТ. Определение силы тока коллектора. Напряжение насыщения биполярного транзистора.
контрольная работа, добавлен 16.08.2023Физические процессы, устройство, характеристики, параметры основных полупроводниковых приборов – диодов, биполярных и полевых транзисторов, тиристоров. Принципы работы, синтеза и методы анализа электронных усилителей. Краткие сведения по микроэлектронике.
учебное пособие, добавлен 27.06.2014Использование интегральных микросхем в радиоэлектронной аппаратуре. Назначение арифметически-логических интегральных схем. Классификация сумматоров, выбор и обоснование функциональной схемы. Расчет потребления мощности, быстродействия и надежности.
реферат, добавлен 06.03.2010Выбор режима работы транзистора. Определение сопротивления делителя в цепи базы, параметров транзистора по статическим характеристикам и элементов схемы по напряжению, коэффициентов усиления и нелинейных искажений каскада. Выбор резисторов, конденсаторов.
курсовая работа, добавлен 20.01.2014