Закономірності гетерогенного зародкоутворення при вирощуванні монокристалів алмазу методом температурного градієнту без використання алмазних затравок
Розподіл температури в ростовому об'ємі та її зміни при застосуванні різних матеріалів для створенні центрів ініціювання зародкоутворення в заданих місцях підкладки. Вирощування монокристалів алмазу при гетерогенному ініціюванні зародкоутворення.
Подобные документы
Вивчення дефектно-домішкового складу монокристалів алмазу різних типів, отриманих в ростових системах Fe-Co-Ti(Zr)-С, при різному вмісті Ti або Zr. Дослідження особливостей формування габітусу та утворення ростових дефектів при вирощуванні кристалів.
автореферат, добавлен 29.08.2015Визначення умов вирощування монокристалів методом Чохральського при впливі ультразвукових хвиль на розплав. Розробка методик моделювання процесів росту монокристалів і епітаксіальних шарів в ультразвуковому полі. Дослідження шаруватості в монокристалах.
автореферат, добавлен 26.02.2015Визначення впливу теплових умов на розподіл щільності мікродефектів і нерівномірність розподілу кисню по довжині монокристалів кремнію. Розробка моделі, що забезпечує визначення технологічних параметрів процесу вирощування монокристалів кремнію.
автореферат, добавлен 29.08.2014Характеристика закономірностей ущільнення алмазних порошків різної зернистості під дією стискання при кімнатній температурі в апаратах високого тиску. Дослідження взаємозв'язку властивостей із структурою полікристалів і композитів на основі алмазу.
автореферат, добавлен 27.04.2014Визначення впливу теплових умов на розподіл щільності мікродефектів і нерівномірність розподілу кисню по довжині монокристалів кремнію. Аналіз конструкції теплового вузла, що забезпечує формування теплових умов для вирощування монокристалів кремнію.
автореферат, добавлен 29.01.2016Оцінка впливу мікромеханічних властивостей монокристалів діелектричних матеріалів, структурної досконалості їх епітаксійних структур. Переміщення дислокацій у полі механічних напруг. Використання підкладок GaAs в вирощуванні діелектричних матеріалів.
автореферат, добавлен 24.02.2014- 7. Вирощування легованих монокристалів InSb і моделювання конвекції в розплаві при впливі ультразвуку
Характеристика основних фізичних і фізико-хімічних властивостей кристалів напівпровідникової сполуки InSb та їх розплаву. Структура домішкових шарів і способи зниження цих видів неоднорідностей. Методика вирощування монокристалів в ультразвуковому полі.
автореферат, добавлен 22.06.2014 Встановлення впливу очистки полікристалічних стрижнів кремнію на властивості монокристалів. Розроблення технології для прецизійного легування у процесі безтигельної зонної плавки. Вплив радіаційної обробки монокристалів на їх структурну досконалість.
автореферат, добавлен 21.11.2013Огляд процесу механічного оброблення монокристалів парателуриту і тетраборату літію зі зниженням витрат абразивів. Метод контролю якості робочих поверхонь оптичних деталей з них на різних стадіях оброблення з урахуванням технологічних умов їх вирощування.
автореферат, добавлен 28.08.2014Дослідження кристалографічних параметрів і методів вирощування, відпалу й обробки монокристалів корунду, їх трибологічнї властивості. Розробка фізико-технологічних основ одержання виробів з високими експлуатаційними біомеханічними характеристиками.
автореферат, добавлен 29.08.2014Обробка акустооптичних монокристалів парателуриту. Процес розрізання та шліфування монокристалів. Найбільш ефективних режимних параметрів для операцій з урахуванням найвищих показників продуктивності, без втрати якості поверхні, що піддається обробці.
автореферат, добавлен 28.12.2015- 12. Вплив характеристик розплаву на умови кристалізації та властивості вирощуваних кристалів кремнію
Встановлення закономірностей впливу властивостей розплаву на кристалізацію монокристалів і розподіл домішок. Удосконалення методу отримання якісніших монокристалів кремнію з високим виходом готової продукції, на основі отриманих закономірностей.
автореферат, добавлен 25.08.2014 Визначення особливостей фазоутворення в системах вихідних компонентів при синтезі сполук Ba(1-x)SrxNb2O6, La3Ga5SiO14 і Li6GdB3O9. Розробка технологічних процесів отримання монокристалів та розробка відповідних температурно-часових режимів їх створення.
автореферат, добавлен 04.03.2014Кремній в напівпровідникових приладах. Технологічні операції виробництва напівпровідникового кремнію. Вирощування кремнію з різних з'єднань, очищення від супутніх домішок і формування необхідних властивостей. Кінетичні особливості теплопереносу.
реферат, добавлен 20.02.2013Дослідження факторів, що впливають на якість відрізуваних пластин, стійкість інструменту і витрати сировини, при різанні злитків напівпровідникових монокристалів алмазними кругами із внутрішньою ріжучою крайкою. Модель напружено-деформованого стану круга.
автореферат, добавлен 25.02.2015Тенденція розвитку засобів автоматизації управління технологічними процесами виробництва об'ємних монокристалів кремнію. Розробка апаратно-програмного методу вимірювання діаметра монокристалічного злитка. Засоби вимірювання положення рівня розплаву.
автореферат, добавлен 14.08.2015Метод витягування кристалів із розплаву, геометрія вільної поверхні якого змінюється в тиглях перемінного по висоті перетину. Автоматизовані універсальні установки та відповідні технологічні процеси для вирощування сцинтиляційних ЛГК великих діаметрів.
автореферат, добавлен 23.08.2014Оптимізація технології отримання високочистої сировини для вирощування органічних монокристалів і поліпшення характеристик сцинтиляційних детекторів на їх основі. Розробка засобів спрямованого відведення тепла для отримання великогабаритних кристалів.
автореферат, добавлен 21.11.2013Опис процесу термообробки і сушіння зерноматеріалів інфрачервоним випромінюванням, практична ідентифікація моделей. Залежність зміни температури випромінювача і матеріалу в часі. Динаміка зміни температури і вологовмісту рухомого шару зернових матеріалів.
научная работа, добавлен 30.01.2017Дослідження надійності різців з алмазних непереточуваних композитних матеріалів при точінні. Аналіз сигналів акустичної емісії та шорсткості обробленої поверхні. Оцінка ймовірності руйнування ріжучого інструменту на прикладі процесів точіння силумінів.
автореферат, добавлен 14.08.2015Закономірності формування структури і властивостей профільованого сапфіру при вирощуванні груповими методами. Вплив умов вирощування і відпалу на структуру і фізичні властивості профілів. Розробка способів управління тепловими умовами в зоні зростання.
автореферат, добавлен 29.07.2014Розробка моделей процесу кристалізації з урахуванням несиметричності теплових і гідравлічних полів системи кристал-розплав, що забезпечують прийнятний компроміс між властивими для цього об'єкта якостями нестаціонарності та параметричної невизначеності.
автореферат, добавлен 29.08.2014Технологія одержання надчистих структурно-досконалих монокристалів Si з електрофізичними параметрами для фотоприймачів і детекторів іонізуючих випромінювань на основі дослідження впливу технологічних факторів процесу бестигельного зонного вирощування.
автореферат, добавлен 25.04.2014Застосування бавовни в якості підкладки для тканин. Широкий спектр текстильних матеріалів. Типи волокон, використовуваних в покритті. Застосування покритих матеріалів легкої промисловості в санітарних та медичних виробах, одязі та штучних шкірах.
статья, добавлен 27.07.2016Процес зміцнювально-вигладжувального оброблення деталей після токарної операції. Використання вигладжуючих інденторів з синтетичного алмазу. Дослідження шорсткості та побудова опорних кривих профілю поверхні. Порівняльний аналіз отриманих профілограм.
статья, добавлен 27.07.2016