Полупроводниковые транзисторы

Назначение, основные типы и характеристики биполярных транзисторов. Принципы переноса заряда в полупроводниковой структуре. Понятие рекомбинации электронов. Схемы включения и режимы работы. Анализ зависимости токов эмиттера и коллектора от напряжения.

Подобные документы

  • Изучение активных полупроводниковых приборов, управляемых электрическим полем. История создания полевых транзисторов и их классификация. Исследование приборов с управляющим p-n-переходом и изолированным затвором. Схемы включения и область применения.

    реферат, добавлен 07.07.2016

  • Осциллографическое исследование внешней нагрузочной характеристики однофазного удвоителя напряжения. Построение схемы двухполупериодного удвоителя напряжения. Определение коэффициента пульсации на выходе схемы удвоения, анализ его зависимости от нагрузки.

    лабораторная работа, добавлен 04.12.2017

  • Предназначение транзисторов и их виды, особенности биполярных транзисторов. Анализ и расчет схем транзистора n-p-n типа, определение сопротивления резисторов, коэффициентов усиления тока, напряжения и мощности. Изготовление и монтаж усилительного каскада.

    курсовая работа, добавлен 07.01.2015

  • Составление и расчет структурной схемы передатчика радиопередающего устройства, типовые гальванические батареи и аккумуляторы. Генератор с внешним возбуждением: малосигнальные усилители и транзисторы, типы ламп, режимы работы с избирательными цепями.

    курсовая работа, добавлен 18.03.2011

  • Понятие полевого транзистора, его типы и способы управления. Особенности работы системы и зависимости основных показателей. Входные и выходные характеристики и схема ключа на приборе с p-n переходом и каналом n-типа. Сущность изолированного затвора.

    реферат, добавлен 01.05.2009

  • Ячейка флэш-памяти на основе МОП-транзистора: её структура и особенности. Обобщенная стокозатворная характеристика транзисторов различного типа. Обзор полевых транзисторов с изолированным затвором. Распространение транзисторов с управляющим p-n-переходом.

    презентация, добавлен 20.07.2013

  • Общие сведения о микросхемах и технологии их изготовления. Классификация микросхем: полупроводниковые и гибридно-пленочные. Элементы электрической схемы полупроводниковых ИС. Структура биполярных транзисторов. Условное обозначение серии микросхем.

    презентация, добавлен 05.04.2020

  • Рассмотрение модуляционно-легированных полевых транзисторов. Особенности биполярных транзисторов на гетеропереходах. Изучение резонансного туннельного эффекта. Анализ транзисторов на горячих электронах, с резонансным туннелированием и одноэлектронных.

    реферат, добавлен 26.08.2015

  • Конструкция полевых транзисторов с р-п переходом. Определение коэффициента усиления усилителя. Переходная и выходная характеристики полупроводника (кремний, германий) р-типа электропроводности. Зависимость тока стока от напряжения на затворе и стоке.

    лекция, добавлен 01.09.2013

  • Главные параметры характеризующие стабилизаторы напряжения, их основные типы: параметрические, компенсационные, линейные. Назначение операционного усилителя сигнала (стабилитрона), построение функциональной электронной схемы автоматической работы прибора.

    курсовая работа, добавлен 22.10.2015

  • Электропроводность полупроводников, действие полупроводниковых приборов. Рекомбинация электронов и дырок в полупроводнике и их роль в установлении равновесных концентраций. Нелинейные полупроводниковые резисторы. Верхние разрешенные энергетические зоны.

    лекция, добавлен 04.10.2013

  • Изучение устройства и описание принципа действия биполярного транзистора - трехэлектродного полупроводникового прибора, имеющего взаимодействующие электронно-дырочные переходы. Технологические типы биполярных транзисторов и их применение в электронике.

    реферат, добавлен 21.07.2013

  • Физические процессы, устройство, характеристики, параметры основных полупроводниковых приборов – диодов, биполярных и полевых транзисторов, тиристоров. Принципы работы, синтеза и методы анализа электронных усилителей. Краткие сведения по микроэлектронике.

    учебное пособие, добавлен 27.06.2014

  • Основные области применения и характеристики датчиков температуры. Изучение основных типов полупроводниковых датчиков температуры. Применение датчиков температуры на основе диодов и транзисторов. Пленочные полупроводниковые датчики температуры.

    курсовая работа, добавлен 16.05.2016

  • Анализ вольтамперных характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером. Изучение выходных характеристик полевого транзистора в схеме с общим истоком. Режимы работы полупроводниковых приборов. Порядок входного сопротивления транзисторов.

    лабораторная работа, добавлен 21.11.2017

  • Свойства каскада с общим эмиттером. Вольт-амперная характеристика эмиттерного повторителя. Анализ работы схемы с общей базой. Определение коэффициентов усиления по напряжению, току и мощности. Виды смещения транзисторов, влияние на фазу входного сигнала.

    реферат, добавлен 01.06.2014

  • Классификация полупроводниковых диодов по функциональному назначению: выпрямительные и специальные. Вольтамперная характеристика, основные параметры и допустимые режимы использования диодов, понятие пробоя тока. Свойства германиевых и кремниевых приборов.

    реферат, добавлен 27.12.2010

  • Общие сведения об аналоговых электронных устройствах. Основные технические параметры и характеристики автоматических электронных устройств. Методы обеспечения режима работы биполярных и полевых транзисторов в каскадах усиления, многокаскадные усилители.

    курс лекций, добавлен 15.10.2010

  • Рабочий участок выходной характеристики транзистора. Неудобство полевых транзисторов. Питание цепи затвора и стока. Определение коэффициента усиления усилителя на основе полевого транзистора. Зависимость тока стока от напряжения на затворе и стоке.

    лекция, добавлен 30.07.2013

  • Основы физики полупроводников. Классификация диодов, биполярных транзисторов. Структура и принцип действия тиристоров. Полупроводниковые приборы с зарядной связью. Приборы на квантово-размерных эффектах. Электролюминесцентные и пленочные излучатели.

    учебное пособие, добавлен 08.09.2015

  • Основные рекомендации относительно правильного выполнения параллельного соединения полевых транзисторов. Способы решения проблемы защиты своих устройств от токов короткого замыкания. Специфические потери обратного восстановления паразитных диодов.

    реферат, добавлен 30.08.2010

  • Конструкция, строение и принцип действия транзисторов. Анализ их работы с разной схемой включения. Виды параметров транзисторов. Типы приборов и их системы обозначений. Расчет маломощного биполярного транзистора на основе германия, усиление его мощности.

    курсовая работа, добавлен 18.12.2012

  • Изучение свойств p-n перехода. Исследование принципов действия полупроводниковых диодов и триодов. Анализ схем включения транзисторов, их достоинств и недостатков. Рассмотрение областей применения. Построение выпрямителей и фильтров переменного тока.

    реферат, добавлен 16.10.2017

  • Основные свойства, разновидности и классификация полупроводниковых приборов, контактные и поверхностные явления в них. Биполярные и полевые транзисторы. Переключательные и оптоэлектронные полупроводниковые приборы. Логические интегральные схемы.

    курс лекций, добавлен 11.09.2012

  • Выбор функциональной схемы измерительного усилителя переменного напряжения. Расчет сопротивления обратной связи. Снижение коэффициента нелинейных искажений. Выбор транзисторов по току для бестрансформаторных схем. Частотные свойства выходных транзисторов.

    курсовая работа, добавлен 06.06.2014

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.