Технологический процесс изготовления n-p-n транзистора типа КТ-872
Сведения о математических моделях радиоэлектронных средств. Расчет физико-топологической модели биполярного транзистора с использованием модели Эберса-Молла. Разработка маршрутной карты технологического процесса изготовления транзистора типа КТ-872.
Подобные документы
Вимоги до стабільності частоти генерованих коливань. Вплив інерційності транзистора на роботу автогенератора. Ефект Ерлі на колекторно-базовому переході. Засоби термокомпенсації режиму роботи транзистора. Визначення частоти контуру та його добротності.
реферат, добавлен 13.07.2017Полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления электрического тока и управления. Устройство и конструкция диффузиозно-сплавного транзистора структуры p–n–p. Включение p–n–p транзистора по схемах общего эмиттера, общей базы и общего коллектора.
реферат, добавлен 29.01.2014- 103. Модель Гуммеля-Пуна
Дослідження будови та принципу дії біполярного транзистора, напівпровідникового елемента електронних схем. Вивчення режимів його роботи та схем включення. Аналіз впливу ефектів другого порядку на характеристики біполярного транзистора в активному режимі.
реферат, добавлен 08.11.2013 Физические свойства транзистора как усилительного элемента. Назначение Усилителя "З-1": схема электрическая принципиальная, принципы работы. Описание рабочего места для проведения экспериментальных исследований схемы Усилителя "З-1", техника безопасности.
отчет по практике, добавлен 25.10.2012Физические процессы в базе дрейфового транзистора при низком уровне инжекции. Влияние неравномерного распределения примесей в базе на концентрацию и движение электронов. Определение параметров аппроксимации электрического заряда. Скорость передачи тока.
реферат, добавлен 21.03.2015Изучение устройства и описание принципа действия биполярного транзистора - трехэлектродного полупроводникового прибора, имеющего взаимодействующие электронно-дырочные переходы. Технологические типы биполярных транзисторов и их применение в электронике.
реферат, добавлен 21.07.2013Проведение исследований принципа действия, измерения характеристик и определения основных параметров полевого транзистора с управляющим p-n переходом. Крутизна характеристики прямой передачи. Дифференциальное сопротивление стока, коэффициент усиления.
лабораторная работа, добавлен 19.04.2016Изготовление твердотельных интегральных транзисторов методами планарной или изопланарной технологий. Материалы, необходимых для изготовления планарного транзистора. Расчет профиля легирования примесей и количества диффузанта при загонке примеси.
контрольная работа, добавлен 02.02.2016Расчёт импульсного усилителя в транзисторном варианте и на операционном усилителе. Выбор транзистора для выходного каскада и микросхемы операционного усилителя. Определение параметров транзистора на основе рабочей точки, приращение в ней тока, напряжения.
курсовая работа, добавлен 18.01.2016Описание блока и характеристика его как объекта производства, технологическая подготовка производства. Технологический анализ конструкции блока и оценка технологичности, разработка средств автоматизации при производстве, процесс изготовления детали.
курсовая работа, добавлен 10.06.2009Расчет усилителя в схеме включения с общим эмиттером. Определение требований к транзистору по предельным параметрам. Проверка амплитуды тока коллектора. Схема замещения биполярного транзистора с эмиттером. Расчет емкости разделительных конденсаторов.
курсовая работа, добавлен 23.07.2014История изобретения полупроводниковых приборов диода и транзистора, принципы их работы и дальнейшее применение. Разработка и появление интегральных микросхем, особенности их применения. Технологии изготовления элементной базы для электронной техники.
реферат, добавлен 09.12.2015Разработка и расчет узлов аналого-цифрового преобразователя (АЦП). Разработка и расчет тактового генератора для АЦП. Процесс частотно-импульсного преобразования. Электрические параметры транзистора КТ503А. Расчет статической помехоустойчивости.
курсовая работа, добавлен 28.05.2015Разработка конструкторской документации с использованием средств P-Cad для проектирования модуля усилителя низких частот. Особенности конструкции усилителя низкой частоты, технологический процесс изготовления и сборки. Чертеж печатной платы и модуля.
курсовая работа, добавлен 25.08.2010Анализ инерционности фотогенерированных носителей заряда в структуре кремниевого фотопреобразователя (ФЭП). Разработка многоэмиттерного биполярного транзистора. Исследование специфики влияния зарядовых насосов на световую вольтамперную характеристику ФЭП.
статья, добавлен 09.07.2013Проектирование переносной радиостанции СВЧ-диапазона с высокими технико-экономическими показателями. Разработка схемы, конструкции и ее анализ. Особенности расчета надежности и вибропрочности. Технологический процесс изготовления платы радиостанции.
дипломная работа, добавлен 27.08.2017Разработка технологической карты регулировки блока, принципы его работы и методика регулирования. Контрольно-измерительные приборы, используемые инструменты и материалы. Определение параметров транзистора в режиме преобразования. Расчет цепи приемника.
курсовая работа, добавлен 21.08.2015Особенность описания работы синтезатора частот. Вычисление колебательной системы автогенератора. Калькуляция коэффициента использования источника питания. Главный расчет насыщенного симметричного триггера. Основные критерии при выборе типа транзистора.
контрольная работа, добавлен 03.01.2016Полевой транзистор с цифровым интерфейсом. Схема, реализующая возможность снятия крутизны полевого транзистора. Требования к цифровому устройству, реализующему процедуру снятия зависимости крутизны полевого транзистора. Управляемый источник напряжения.
курсовая работа, добавлен 07.08.2013- 120. Гибкие производственные системы (ГПС) механообработки деталей модулей электронных аппаратов (МЭА)
Гибкие производственные системы механообрабатывающего производства. Особенности технологического процесса изготовления, технические характеристики ГПМ изготовления корпусных деталей. Технические характеристики изготовления деталей типа "тела вращения".
контрольная работа, добавлен 23.05.2010 - 121. Интегральные схемы
Методы изготовления интегральных микросхем. Пентоды и их конструкции. Принцип работы МДП транзистора со встроенным каналом. Получение в кристалле многослойной структуры, воспроизводящей заданную электрическую схему, основные технологические процессы.
реферат, добавлен 29.03.2021 Основные технологические этапы построения схемы И-НЕ на n-МОП транзисторах. Характеристика схемы нагрузочного и активного транзистора. Этапы расчета емкости перекрытия каналов. Особенности расчета схемы при помощи программы P-Spice, параметры схемы.
контрольная работа, добавлен 27.05.2012Расчет параметров полупроводникового усилителя с общим эмиттером. Снижение выходного сопротивления источника питания. Определение максимального тока коллектора биполярного транзистора и мощности драйвера. Применение метода эквивалентного четырехполюсника.
курсовая работа, добавлен 17.01.2016Устройство и характеристики транзистора. Его типы, функции и технология изготовления. Назначение областей и электродов полупроводника. Выбор режима трёхполюсника. Схемы включения и принцип работы усилительного каскада. Уменьшение пробивного напряжения.
контрольная работа, добавлен 04.06.2014Визначення залежності струму колектора від струму бази та напруги колектор-емітер. Розрахунок сімейства вихідних характеристик біполярного транзистора в схемі із загальним емітером. Фактори, що визначають силу струму, що протікає через колектор.
лабораторная работа, добавлен 27.03.2014