Физические основы микроволновой электроники
Определение значение барьерной емкости Cj (-2B). Расчет электрического поля вдали от перехода в Р области при прямом смещение 0,5В. Построение YD(VG) для двух значений VD. Модель идеального диода. Определение дрейфового тока и подвижности электронов.
Подобные документы
Определение для основного закона о соотношении флуктуационного и электрического тока. Расчёт вольт-амперной характеристики прямого тока для полупроводникового диода. Отрицательные обратные связи в уравнении вольт-амперной характеристики вакуумного диода.
контрольная работа, добавлен 10.05.2015Микроволновые электронные приборы. Принцип действия приборов с динамическим управлением электронным потоком. Принцип работы двухрезонаторного пролетного клистрона. Пространственно-временная диаграмма группирования электронов в отражательном клистроне.
учебное пособие, добавлен 22.08.2015На основе численного решения гиперсингулярных интегральных уравнений определение распределения электрического поля в двух главных плоскостях однозеркальной антенны в ближней зоне смоделированого с помощью датчика в виде электрического вибратора.
статья, добавлен 04.11.2018Исследование вольт-амперной характеристики диода при различной температуре в линейном и полулогарифмическом масштабах. Определение температурного коэффициента напряжения диода при различной температуре и значениях прямого тока для построения термометра.
лабораторная работа, добавлен 02.01.2023Электропроводность полупроводников, определение и специфика плотности дрейфового тока. Параллельное соединение диодов, характеристика и предназначение стабилитронов, стабисторов. Транзисторы, управляемые с помощью p-n перехода или барьера Шоттки.
курс лекций, добавлен 02.10.2016Механизм образования и электрическое поле в p-n переходе. Расчет контактной разности потенциалов и максимального электрического поля кремниевого p-n перехода. Расчет зависимости коэффициента передачи тока кремниевого p-n-p транзистора от напряжения.
курсовая работа, добавлен 18.10.2014Электрические и магнитные цепи. Электромагнитные устройства и электрические машины. Элементная база электронных устройств. Основы аналоговой и цифровой электроники. Физические основы работы полупроводниковых приборов. Расчет сглаживающего фильтра.
методичка, добавлен 26.09.2017Определение понятия и принципов работы лавинно-пролётного диода. Рассмотрение особенностей линейной теории полупроводникового диода. Определение напряжений, а также плотности тока проводимости. Усиление сигнала, природа шумов лавинно-пролётного диода.
реферат, добавлен 17.06.2015- 9. Диоды Шоттки
Выпрямительные диоды Шоттки. Время перезарядки барьерной ёмкости перехода и сопротивление базы диода. ВАХ кремниевого диода Шоттки 2Д219 при разных температурах. Импульсные диоды. Номенклатура составных частей дискретных полупроводниковых приборов.
реферат, добавлен 20.06.2011 Физические процессы, протекающие в транзисторной структуре биполярного типа. Входные и выходные характеристики транзистора. Характеристикам для прямого тока диода. Увеличение тока базы. Свойства коллекторного перехода, работающего при обратном напряжении.
лабораторная работа, добавлен 25.11.2014Свойства полупроводникового диода Шоттки. Параметры стабилитрона и его вольтамперная характеристика. Принципиальная схема параметрического стабилизатора напряжения. Общие сведения о стабисторах, светодиодах, фоторезисторах и оптоэлектронных приборах.
лекция, добавлен 15.04.2014Анализ электрической цепи синусоидального тока. Определение комплексных действующих значений токов. Построение графиков мгновенных значений токов. Проверка баланса активных и реактивных мощностей. Показатели тока или напряжения при переходном процессе.
курсовая работа, добавлен 15.06.2014Физические основы полупроводниковых приборов. Строение полупроводниковых материалов. Понятие дырочной проводимости. Характеристика основных носителей заряда. Причины появления электрического тока в полупроводнике. Влияние примесной электропроводности.
презентация, добавлен 31.10.2020- 14. Туннельные диоды
Вольт-амперная характеристика туннельного диода. Описания варикапа, в котором используется емкость p-n-перехода. Исследование режимов работы фотодиода. Светоизлучающие диоды - преобразователи энергии электрического тока в энергию оптического излучения.
презентация, добавлен 20.07.2013 Вольт-амперная характеристика кремниевого диода. Иллюстрация графического метода определения тока через диод и напряжения на нем. Условное графическое обозначение стабилитрона - диода, сконструированного для работы в режиме электрического пробоя.
учебное пособие, добавлен 26.05.2014Конструкция и принципы классификации полупроводниковых диодов. Преобразование переменного тока с помощью выпрямительного диода; работа в импульсных цепях. Изучение основных особенностей транзисторов. Расчет и основные характеристики МДП-транзистора.
курсовая работа, добавлен 30.11.2013Схематическое построение вольт-амперной характеристики идеализированного кремниевого диода и определение его сопротивления. Расчет величины сопротивления ограничительного резистора, параметры его стабилизации. Построение нагрузочной схемы транзистора.
контрольная работа, добавлен 16.09.2013Расчет комплексных значений реактивных сопротивлений. Полные напряжения в ветвях цепи по закону параллельного соединения. Определение номинальных значений напряжений на индуктивных элементах. Расчет активной, реактивной и полной мощности в цепи.
контрольная работа, добавлен 04.06.2017Рассмотрение принципа действия прибора, его основных параметров и характеристик. Зависимость барьерной ёмкости перехода от обратного напряжения. Характеристика особенностей статического и дифференциального сопротивления перехода при отсутствии напряжения.
курсовая работа, добавлен 11.12.2016Формула для идеального диода. Сопротивления контактов металл-полупроводник. Термогенерация носителей непосредственно в области p-n перехода. Поверхностные утечки. Энергетические уровни, обеспечивающие активные процессы генерации и рекомбинации, причины.
презентация, добавлен 23.09.2016Расчет мгновенной мощности суммы двух сигналов. Определение эффективной ширины спектра. Построение автокорреляционной и взаимной корреляционной функции двух сигналов. Расчет информационных параметров сообщения и его расчет в виде двоичного кода.
контрольная работа, добавлен 11.02.2017Влияние тепловых флуктуаций тока нормальных электронов на переход, резонансные свойства антенны и меняющуюся с частотой часть импеданса, связанную с электродинамическим окружением перехода и дающую вклад на данных частотах. Параметры эквивалентной схемы.
статья, добавлен 03.11.2018Понятие электрического тока как направленного движение заряженных частиц. Виды потребления электроэнергии. Выбросы в атмосферу продуктов ископаемого топлива. Спутниковые наблюдения и дистанционное зондирование. Естественные экосистемы и их значение.
презентация, добавлен 24.05.2014Расчет параметров сети, исходя из требований по обеспечению абонентской емкости и выделенного частотного ресурса. Расчет дальности сетевой связи. Определение абонентской нагрузки, которую сможет обслужить станция. Построение регулярной структуры сот.
курсовая работа, добавлен 16.10.2017Суть электрического тока. Функция распределения Ферми-Дирака. Электропроводность в металлах, диэлектриках и полупроводниках. Зависимость концентрации электронов от энергии. Эффективная плотность состояний в валентной зоне. Рекомбинация электронов и дырок.
лекция, добавлен 26.10.2013