Рефракційні властивості кристалів сульфатів і селенатів в області фазових переходів
Дослідження температурних залежностей властивостей сегнетоелектричних кристалів тригліцинсульфату, диметиламонійалюмінійсульфату, калія селенату та амонія гідроселенату. Ступень анізотропії показника заломлення та коефіцієнта лінійного розширення.
Подобные документы
Встановлення особливостей магнітної сприйнятливості монокристалічного і ниткоподібного кремнію, зумовлених термічними дефектами та інтерпретація виявлених ефектів. Дослідження магнітних властивостей рентгеноструктурні кристалів після їх термообробки.
автореферат, добавлен 29.09.2015Аналіз динаміки гратки, аномалій термодинамічних властивостей при структурних фазових переходах та дипольне упорядкування для анізотропних кристалів. Встановлення місця статистичного розподілу взаємозаміщення атомів халькогену в аніонній підгратці.
автореферат, добавлен 23.02.2014Дослідження еволюції дислокаційної структури кристалів в залежності від способів її введення. Вплив термічної обробки монокристалічних напівпровідникових матеріалів на характеристики дислокаційно-домішкової структури і розсіяння рентгенівських променів.
автореферат, добавлен 29.01.2016Проведення чисельного моделювання змін параметра порядку в неспівмірій фазі сегнетоелектричних кристалів залежно від товщини зразка. Теоретичне дослідження впливу параметра анізотропної взаємодії на порушення просторової періодичності надструктури.
статья, добавлен 27.12.2016Спонтанний та індукований п’єзооптичний і фотопружній ефект в кристалах Cs2HgBr4 і Cs2CdBr4 та коефіцієнти акустооптичної якості кристалів, вивчення дифракції світла в них. Поляризаційно-оптичні, мікроскопічні та дилатометричні дослідження кристалів.
автореферат, добавлен 28.07.2014Розгляд особливостей синтезу та результати досліджень коливних спектрів і теплового розширення халькогалогенідних стекол. Вивчення інфрачервоних спектрів, спектрів комбінаційного розсіювання, температурних залежностей відносного видовження зразків.
статья, добавлен 27.12.2016Розробка методу цифрової голографічної інтерферометрії для дослідження фазових мікрооб'єктів. Створення макету голографічного інтерференційного мікроскопа з цифровою реєстрацією голограм. Розподіл показника заломлення у перерізі оптичного волокна.
статья, добавлен 23.09.2016Аналіз впливу термічної обробки монокристалічних напівпровідникових матеріалів. Характеристика дислокаційно-домішкових структур та розсіянь рентгенівських променів. Дослідження анізотропії полів напруг кремнію з впорядкованою дислокаційною конструкцією.
автореферат, добавлен 29.08.2014Встановлення оптимальних умов отримання діркової провідності у кристалах селеніду цинку при їх легуванні елементами І та V груп. Комплексне дослідження основних фізичних властивостей виготовлених зразків та вивчення можливостей практичного використання.
автореферат, добавлен 10.01.2014- 110. Особливості магнітних фазових переходів у сильно корельованих та низьковимірних електронних системах
Аналіз механізмів і характеру магнітних фазових переходів в сполуках рідкісноземельних елементів і актінидів та у спінових квазіодновимірних системах. Низькотемпературні термодинамічні характеристики квантового антиферомагнитного ланцюжка Гейзенберга.
автореферат, добавлен 28.07.2014 Експериментальне вивчення "недозволеної" доменної структури та оптичних властивостей твердих розчинів K2Cd2xMn2(1-x)(SO4)3. Поляризаційні дослідження сегнетоеластичної фази кристалів. Оцінка фізичної ролі області парафази в структурі доменної стінки.
автореферат, добавлен 25.02.2014Формування моноваріантної мартенситної двійникової структури кристалів, індукування сильної магнітної анізотропії, механічні властивості. Температурна залежність та часова стабільність деформацій, спричинених магнітним полем та механічними напруженнями.
автореферат, добавлен 29.07.2014Розробка методу синтезу круглих одномодових волоконних світловодів з використанням в якості вихідного волоконного світловода зі східчастим профілем показника заломлення. Профілі показника заломлення в поперечному перерізі круглих одномодових світловодів.
автореферат, добавлен 29.07.2014- 114. Дослідження розмірних ефектів в сегнетоелектричних тонких плівках з урахуванням впливу електродів
Дослідження електричного поля в різних електродах. Обчислення вкладу електродів у вільну енергію системи. Розрахунок аналітичних залежностей властивостей сегнетоелектричної тонкої плівки. Побудова діаграм фазового переходу індукованого електродами.
автореферат, добавлен 26.02.2015 Зміни параметра анізотропії рухливості K в n-Si з точковими дефектами під впливом високого гідростатичного тиску. Зміни рухливості носіїв струму під впливом гама-опромінення і пружної направленої деформації досліджуваних кристалів, опис експерименту.
автореферат, добавлен 04.03.2014- 116. Дослідження топографії та атомної структури поверхонь сколювання (100) шаруватих кристалів In4Se3
Методами скануючих тунельної, атомно-силової мікроскопій та дифракції повільних електронів на відбивання досліджено топографію, кристалографію та атомну структуру поверхонь сколювання шаруватих кристалів In4Se3, одержаних шляхом сколювання in situ.
статья, добавлен 13.10.2016 Процес отримання стабільних суспензій сегнетоелектричних наночастинок Sn2P2S6 та BaTiO3 в нематичних рідкокристалічних матрицях. Експериментальне дослідження їх впливу на основні параметри рідких кристалів, встановлення основних причин цього впливу.
автореферат, добавлен 30.08.2014Використання методів визначення абсолютних значень періодів ґратки кристалів за допомогою багатохвильової дифрактометрії. Компланарна багатохвильова дифракція. Умові реалізації компланарної дифракції. Динамічна теорія розсіювання рентгенівських променів.
автореферат, добавлен 30.07.2014Дослідження геометричної дисперсії акустоелектричних хвиль в кругових циліндрах з п’єзоелектричних матеріалів низької анізотропії типу кристалів ромбічної системи. Аналіз дисперсійних характеристик хвиль і їх залежності від фізико-механічних параметрів.
автореферат, добавлен 05.01.2014Аналіз температурних залежностей електропровідності тонких плівок металів. Розмірна залежність ефективного параметру електрон-фононної взаємодії. Тангенс кута нахилу експериментальних температурних залежностей опору для плівок Pd, Pt і Sc. Енергія фонона.
статья, добавлен 23.12.2016Напівпровідники, пов’язані із створенням DX-подібних центрів при легуванні кристалів домішками із змінною валентністю. Розробка технології одержання та дослідження фізичних властивостей багатокомпонентних твердих розчинів на основі телуриду свинцю.
автореферат, добавлен 24.02.2014Структура кристалів. Сполучення елементів симетрії структур. Грати Браве. Кристалографічні категорії, системи та сингонії. Як утворюються розплави. Вирощування монокристалів розплавів. Метод Вернейля, Чохральського. Метод твердофазної рекристалізації.
курсовая работа, добавлен 12.03.2015Умови формування в одновимірних магнітних фононних кристалів об'ємних і еванесцентних зсувних пружних хвиль у залежноcті від їхньої частоти та величини проекції хвильового вектора на поверхню. Ефективне збудження типів поверхневих акустичних потоків.
автореферат, добавлен 28.09.2015Вплив умов кристалізації на атомну будову поверхонь кристалів. Фактори, що впливають на рельєф плівок при рідкофазній епітаксії. Роль адсорбційних процесів при рості кристалів. Характеристика механізму утворення плівок шляхом конденсації з газової фази.
автореферат, добавлен 27.08.2015- 125. Фізичні процеси в гетеропереходах на основі шаруватих кристалів халькогенідів галію, індію та олова
Опис топології шаруватих кристалів і можливостей її модифікації в процесі термічного окислення кристала. Вплив тунельно-прозорих шарів діелектриків на фотоелектричні характеристики гетеропереходів. Поведінка спектральної фоточутливості гетеропереходів.
автореферат, добавлен 29.08.2015