Диоды Ганна на основе варизонных InBN и GaBN
Использование варизонных полупроводников как один из основных механизмов увеличения эффективности и выходной мощности диодов Ганна. Высокая концентрация электронов в боковых долинах в области катода - причина возникновения доменной неустойчивости.
Подобные документы
Наличие крутого падающего участка на амплитудной характеристике как физическая причина генерации хаотических колебаний в клистронном автогенераторе. Анализ зависимости нормированной выходной мощности от частоты внешнего гармонического воздействия.
статья, добавлен 30.10.2018Приближённый расчёт теплового режима катода микротрона. Решение уравнений с помощью математической библиотеки Fortran Power Station. Оценка вклада мощности обратной бомбардировки в температурный режим катода. Создание катодного узла под эффективный режим.
курсовая работа, добавлен 17.05.2011- 28. Диоды Шоттки
Выпрямительные диоды Шоттки. Время перезарядки барьерной ёмкости перехода и сопротивление базы диода. ВАХ кремниевого диода Шоттки 2Д219 при разных температурах. Импульсные диоды. Номенклатура составных частей дискретных полупроводниковых приборов.
реферат, добавлен 20.06.2011 Классификация и система обозначений полупроводниковых диодов: стабилитрон, туннельный, варикап, фотодиод и диод Шотки. Устройство биполярного транзистора, его частотные и усилительные свойства. Статические характеристики полевых транзисторов, их схема.
курсовая работа, добавлен 19.04.2014Рассмотрение эквивалентной схемы синхронизированного генератора сверхвысоких частот, позволяющей получение на выходе удвоенного значения выходной мощности по отношению к максимальному значению для одного диода. Расчетные соотношения для полученной схемы.
статья, добавлен 27.07.2016Метод построения малогабаритных датчиков мощности, входящих в состав широкополосного четырехщелевого преобразователя. Современные СВЧ диоды с барьером Шотки в SMD исполнении. Разработка и анализ датчиков мощности для ВЩП трехсантиметрового диапазона.
статья, добавлен 04.09.2013Изучение конструкции и принципов работы полупроводниковых туннельных и обращенных диодов. Предельно допустимые значения токов, напряжений и мощностей в цепях отдельных электродов прибора. Определение дифференциального сопротивления туннельного диода.
лабораторная работа, добавлен 28.06.2015Электропроводность полупроводников, определение и специфика плотности дрейфового тока. Параллельное соединение диодов, характеристика и предназначение стабилитронов, стабисторов. Транзисторы, управляемые с помощью p-n перехода или барьера Шоттки.
курс лекций, добавлен 02.10.2016История развития и физические основы полупроводниковых приборов. Электронно-дырочный переход. История создания диодов. Ламповые диоды. Диодные выпрямители и детекторы. Три схемы включения биполярного транзистора. Устройство и принцип работы динистора.
реферат, добавлен 15.04.2010Полупроводниковый диод как полупроводниковый прибор с одним электрическим переходом и двумя выводами: рассмотрение типов, знакомство с принципом устройства. Знакомство с особенностями применения полупроводниковых диодов для выпрямления переменного тока.
курсовая работа, добавлен 23.03.2016Электронно-дырочные и металлополупроводниковые переходы. Принцип действия полупроводников, биполярных транзисторов, диодов. Цифровая микросхемотехника. Логические функции и их реализация. Характеристики усилителей. Устройства отображения информации.
книга, добавлен 07.02.2014Схемные решения мощных высоковольтных генераторов с полупроводниковыми коммутаторами в виде IGBT-транзисторов и SOS-диодов. использование в разрядном контуре генератора с SOS-диодами высоковольтной и низковольтной цепи импульсного трансформатора.
статья, добавлен 29.07.2016Принцип действия, типы и схемы включения биполярных транзисторов. Причины инжекции электронов из эмиттера в базу. Определение коэффициента усиления по току и напряжению. Усиление света в полупроводниках. Квантовые генераторы и светоизлучающие диоды.
реферат, добавлен 04.12.2018Основные области применения и характеристики датчиков температуры. Изучение основных типов полупроводниковых датчиков температуры. Применение датчиков температуры на основе диодов и транзисторов. Пленочные полупроводниковые датчики температуры.
курсовая работа, добавлен 16.05.2016Вольт-амперная характеристика диода. Применение двухполупериодного выпрямителя. Фильтры в источниках питания. Расщепление напряжения питания. Схема выпрямителей с умножением напряжения. Пример использования диодов. Индуктивные нагрузки и диодная защита.
лекция, добавлен 09.12.2013Основы физики полупроводников. Классификация диодов, биполярных транзисторов. Структура и принцип действия тиристоров. Полупроводниковые приборы с зарядной связью. Приборы на квантово-размерных эффектах. Электролюминесцентные и пленочные излучатели.
учебное пособие, добавлен 08.09.2015- 42. Туннельные диоды
Изготовление туннельного диода из германия или арсенида галлия с высокой концентрацией примеси. Электронно-дырочный переход в вырожденном полупроводнике. Диффузионное перемещение. Туннельный переход электронов с энергией меньшей потенциального барьера.
презентация, добавлен 23.09.2016 Электронно-дырочные и металлополупроводниковые переходы, движение электронов в электрических и магнитных полях. Электропроводность полупроводников: дрейфовый и диффузионный токи. Представление о полевых транзисторах и специфика электровакуумных приборов.
учебное пособие, добавлен 11.10.2014Изучение принципа динамического управления электронным потоком и его применения в приборах СВЧ. Исследование характеристик и параметров ЛБВ-О. Изучение устройства детекторных и смесительных диодов СВЧ. Характеристики квантовых парамагнитных усилителей.
контрольная работа, добавлен 27.03.2012Характеристика способа увеличения плотности полевых транзисторов в составе усилителя мощности, а так же уменьшения их размеров. Формирование гетероструктуры специальной конфигурации. Особенность оптимизированного отжига примеси и радиационных дефектов.
статья, добавлен 07.11.2018Основные варианты построения усилителя низких частот. Использование специализированной микросхемы-усилителя мощности низких частот. Особенности выбора режима усилителя мощности. Параметры портативного одноканального усилителя мощности низких частот.
практическая работа, добавлен 10.05.2013Изложение процесса разработки устройства автоматической стабилизации уровня выходной мощности блока опорных частот. Схема усилителя с автоподстройкой усиления, в выходном каскаде которой был использован эмиттерный повторитель с биполярным транзистором.
дипломная работа, добавлен 18.07.2014Использование автоматических классификаторов сигналов - механизм увеличения эффективности обработки информации современными экспресс-анализаторами. Особенности временного представления сигналов на входе и выходе корреляционно-фильтрового устройства.
статья, добавлен 30.10.2018- 49. Туннельные диоды
Вольт-амперная характеристика туннельного диода. Описания варикапа, в котором используется емкость p-n-перехода. Исследование режимов работы фотодиода. Светоизлучающие диоды - преобразователи энергии электрического тока в энергию оптического излучения.
презентация, добавлен 20.07.2013 Общая характеристика туннельного и обращенного диодов. Сущность теории туннельного эффекта в полупроводниках. Основные преимущества туннельного диода перед обычными полупроводниковыми диодами и триодами. Принцип работы туннельных диодов, их схемы.
контрольная работа, добавлен 17.10.2011