Рафінування кадмію, цинку і телуру дистиляційними і кристалізаційними методами
Особливість дослідження розрахунковими методами процесів рафінування кадмію, цинку і телуру дистиляцією у вакуумі. Аналіз способів визначення рівноважних і граничних коефіцієнтів розподілення домішок у металах при їхній спрямованій кристалізації.
Подобные документы
Встановлення кореляційних властивостей фононних станів в кристалах дифосфідів цинку та кадмію та побудова для них дисперсійних кривих. Дослідження особливостей динаміки кристалічних ґраток монокристалів різних модифікацій дифосфідів цинку і кадмію.
автореферат, добавлен 28.07.2014Оптимізація процесів парофазного вирощування методом ХТР структурно досконалих монокристалів телуридів кадмію та цинку, створення структур з БШ для одержання фізичної інформації про поверхню вирощених монокристалів, розробка фізичних основ приладів.
автореферат, добавлен 25.02.2014Технологічні особливості легування кристалів селеніду цинку та дослідження їх оптичних і електрофізичних властивостей. Природа оптичних переходів та розробка методу визначення коефіцієнтів дифузії домішок хрому і кобальту в монокристалах селеніду цинку.
автореферат, добавлен 14.09.2015Експериментальне дослідження впливу домішок хрому і кобальту на оптичні та електрофізичні властивості кристалів селеніду цинку. Визначення природи оптичних переходів. Визначення та розрахунок коефіцієнтів дифузії домішок в монокристалах ZnSe:Cr і ZnSe:Co.
автореферат, добавлен 26.07.2014Дослідження впливу pН розчину на формування нанокристалів сульфіду кадмію та їхній розмір у процесі синтезу. Залежність розміру нанокристалів сульфіду кадмію, отриманих за допомогою золь-гель технології в желатиновому розчині, від значення pН середовища.
статья, добавлен 07.12.2016Аналіз перерізів збудження ізомерних станів важких ізотопів телуру. Визначення ролі статистичного і напівпрямого механізмів в реакціях. Аналіз впливу природи і структури низькозбуджених станів на перерозподіл імовірності переходів між рівнями парності.
статья, добавлен 27.12.2016Дослідження процесів випаровування й осадження речовини тіогалату цинку при одержанні тонких плівок. Побудова моделі росту конденсату тіогалату цинку на підкладках. Розкриття впливу термічної і лазерної обробки на структуру й оптичні параметри плівок.
автореферат, добавлен 24.02.2014Вибір оптимальної технології виготовлення шарів оксиду цинку, дослідження їх основних фізичних властивостей та можливостей практичного використання. Особливості структурних, електричних, оптичних і люмінесцентних властивостей гетерошарів оксиду цинку.
автореферат, добавлен 25.07.2015Дослідження структури ближнього порядку аморфних сплавів систем Ga-Te, In-Te, Si-Te, отриманих методом спінінгування розплаву. Розрахунок температури Дебая та динамічного зміщення атомів. Оцінка ближнього порядку в аморфних сплавах на основі телуру.
автореферат, добавлен 27.02.2014Дослідження впливу розмірних ефектів і домішок, електрофізичних властивостей та технологічних умов отримання і обробки зразків на оптичні та електричні характеристики і структуру низькорозмірних систем розроблених на базі дийодиду свинцю і сполук цинку.
автореферат, добавлен 29.09.2014Дослідження впливу розмірних ефектів і домішок, а також технологічних умов отримання і обробки зразків на оптичні та електричні характеристики і структуру досліджуваних низькорозмірних систем на основі кисневмісних сполук цинку та дийодиду свинцю.
автореферат, добавлен 14.10.2015Визначення критеріїв конкурентоздатності домінуючих міжзонних і домішкових механізмів рекомбінації в кристалах телуридів кадмію, ртуті в залежності від складу і рівня легування матеріалу. Встановлення процесів природної деградації кристалів КРТ n-типу.
автореферат, добавлен 12.11.2013Неоднорідність розподілу домішок Te та In в монокристалах антимоніду кадмію і їх вплив на електрофізичні ефекти. Вплив освітлення на кінетичні параметри монокристалів. Характер впливу гамма опромінення на явища переносу в монокристалах CdSb, легованих In.
автореферат, добавлен 27.07.2015Фізичні процеси, що протікають при релаксації молекул з високозбуджених станів. Механізми у полікристалічних шарах і в полімерних розчинах поліаценів. Процеси в шарах з галогенідами ртуті, кадмію й цинку при реєстрації рентгенівського випромінювання.
автореферат, добавлен 24.07.2014Роль часткових дислокацій, що рухаються, в процесах фазових перетворень в кристалах сульфіду та селеніду цинку. Вивчення змін фізичних властивостей кристалів сульфіду та селеніду цинку, які залежать від стану електричної активності нерухомих дислокацій.
автореферат, добавлен 28.12.2015Теорія оптичних констант. Дослідження поверхневих поляритонів в напівпровідниках та діелектриках. Метод порушеного повного відбивання. Поверхневі поляритони в системі ZnO на сапфірі. Дослідження структури окису цинку на сапфірі методами ІЧ спектроскопії.
курсовая работа, добавлен 09.05.2020Аналіз процесу створення шарів селеніду кадмію зі стабільними кубічною та гексагональною кристалічними структурами методом твердофазного заміщення. Комплексне дослідження їх основних фізичних властивостей і вивчення можливостей практичного використання.
автореферат, добавлен 24.02.2014- 18. Центри люмінесценції і центри захоплення в кристалічних системах галоїдних сполук кадмію і свинцю
Експериментальне дослідження структур центрів люмінесценції і центрів захоплення в кристалічних системах, що складаються з галоїдних сполук кадмію і свинцю. Розрахунки спектрів поглинання кристалічних систем, складених з галоїдних сполук кадмію і свинцю.
автореферат, добавлен 25.04.2014 - 19. Надтонкі взаємодії та стан домішок і дефектів у телуридах свинцю-олова і моноселенідах індію і галію
Дослідження надтонких взаємодій радіоспектроскопічними методами. Визначення особливостей зонного спектра та динаміки перетворень у системі домішок і дефектів у телуридах свинцю й олова. Аналіз стану домішок і дефектів у моноселенідах індію та галію.
автореферат, добавлен 30.10.2015 Виявлення оптимального методу створення гетеропереходів в системі сульфід-телурид кадмію на основі низькоомних монокристалів CdS. Дослідження електричних, фотоелектричних та дозиметричних характеристик структур у залежності від технології їх виготовлення.
автореферат, добавлен 10.01.2014Встановлення оптимальних умов отримання діркової провідності у кристалах селеніду цинку при їх легуванні елементами І та V груп. Комплексне дослідження основних фізичних властивостей виготовлених зразків та вивчення можливостей практичного використання.
автореферат, добавлен 10.01.2014Основні виявлення ролі часткових дислокацій, які рухаються, в процесах фазових перетворень в кристалах сульфіду та селеніду цинку. Вивчення зміни фізичних властивостей кристалів, які залежать від стану електричної активності нерухомих дислокацій.
автореферат, добавлен 28.08.2014Вимірювання спектра гамма-квантів при взаємодії швидких нейтронів з ядрами кадмію із застосуванням методу часу прольоту. Залежність розрахованих перерізів від параметрів оптичного потенціалу, густини ядерних рівнів та радіаційної силової функції.
статья, добавлен 02.09.2013Структура кристалів твердих сполук на основі сульфіду цинку з різноманітними активаторами. Енергетичний спектр фоточутливих парамагнітних центрів у забороненій зоні твердих сполук. Механізм рекомбінації носіїв заряду, що належить видимій області спектра.
автореферат, добавлен 27.02.2014Визначення розподілення електростатичного потенціалу за умови, що між електродами існує різниця потенціалів U0. Розв’язок рівняння Лапласа. Визначення коефіцієнтів ряду Фур’є. Особливості застосування методу Треффтца та методу Рітца та Гальоркіна.
статья, добавлен 19.06.2018