Биполярные транзисторы
Принцип действия биполярного транзистора. Возникновение коэффициента усиления по напряжению с учётом конкретных схем включения транзистора: с общим эмиттером (ОЭ), с общим коллектором (ОК) и с общей базой (ОБ). Таблица сравнительных данных по этим схемам.
Подобные документы
Общая характеристика биполярного транзистора как трехэлектродного, электропреобразовательного полупроводникового прибора. Изучение принципов, режимов работы и физических процессов биполярного транзистора. Расчет токов и пробоя биполярного транзистора.
курсовая работа, добавлен 01.05.2011Устройство и характеристики транзистора. Его типы, функции и технология изготовления. Назначение областей и электродов полупроводника. Выбор режима трёхполюсника. Схемы включения и принцип работы усилительного каскада. Уменьшение пробивного напряжения.
контрольная работа, добавлен 04.06.2014Методика расчёта дискретного биполярного транзистора с использованием пакета программ MathCad. Расчёт параметров биполярного транзистора с учётом эффектов высокого уровня легирования, инжекции и Кирка. Выбор топологии кристалла. Проверка базы на прокол.
учебное пособие, добавлен 29.10.2013Рабочий участок выходной характеристики транзистора. Неудобство полевых транзисторов. Питание цепи затвора и стока. Определение коэффициента усиления усилителя на основе полевого транзистора. Зависимость тока стока от напряжения на затворе и стоке.
лекция, добавлен 30.07.2013Общая характеристика этапов расчета каскада транзисторного усилителя по напряжению питания. Рассмотрение особенностей выбора предельно-допустимого напряжения коллектор-эмиттер. Знакомство со способами определения типа транзистора, его режима работы.
контрольная работа, добавлен 25.04.2013Характеристики полупроводниковых приборов, имеющих два p-n перехода, пригодных для усиления мощности электрических сигналов. Принцип инжекции носителей в базу транзистора. Свойства коллекторного перехода. Отличия кремниевого и германиевого транзисторов.
реферат, добавлен 24.04.2017Расчет транзисторных схем с общей базой и общим эмиттером. Вычисление статических, динамических, "h" параметров каскадов. Анализ коэффициентов усиления по току, по мощности, спада выходного сигнала. Определение значений выходной функции логической схемы.
контрольная работа, добавлен 25.01.2016Выбор режима работы мощного усиления. Расчет способа включения транзистора и точки покоя по семейству выходных характеристик транзистора. Расчет коэффициента трансформации, активных сопротивлений первичной и вторичной обмоток выходного трансформатора.
курсовая работа, добавлен 10.01.2016Описание схемы и разработка проекта усилительного каскада с распределённой нагрузкой с общим эмиттером. Проведение расчетов по нахождению статической линии нагрузки и рабочей точки транзистора КТ602А. Общий расчет h-параметров проектного транзистора.
курсовая работа, добавлен 13.09.2019Свойства полевого транзистора с изолированным затвором (МОSFЕТ), его преимущества и отличие от биполярного транзистора. Характеристика и особенности применение полевых транзисторов. Процессы, происходящие в транзисторе при его управлении и переключении.
реферат, добавлен 30.08.2010Характеристика рабочего сектора биполярного транзистора, образующего усилительный каскад. Изучение общих требований к положению рабочей точки в пределах рабочего сектора. Исследование усилительного каскада на биполярном транзисторе с общим эмиттером.
лекция, добавлен 04.10.2013Расчет основных характеристики усилительного каскада на биполярном транзисторе. Паспортные данные и электрические параметры биполярного транзистора с общим эмиттером КТ312А. Определение величин элементов цепи питания и стабилизации рабочего режима.
курсовая работа, добавлен 08.03.2013Получение методом моделирования статических выходных и входных характеристик биполярного транзистора заданной марки. Исследование влияния температуры на данные характеристики. Расчет параметров транзистора, анализ их зависимости от тока в активном режиме.
контрольная работа, добавлен 14.02.2015Схема резистивного усилительного каскада с общим эмиттером и питанием от одного источника. Дестабилизирующие факторы, нарушающие устойчивую работу транзистора. Определение коэффициента нелинейных искажений усилителя, позиционные обозначения элементов.
практическая работа, добавлен 16.11.2010Факторы, ограничивающие возможность использования низкочастотных транзисторов в сверхвысокочастотном диапазоне. Устройство и принцип действия биполярного транзистора. Уменьшение толщины и легирование базы. Представление СВЧ БТ эквивалентными схемами.
реферат, добавлен 20.01.2016Виды устойчивых состояний (режимов) для биполярного транзистора: активный, инверсивный, режим отсечки и режим насыщения. Проверка достаточности напряжения питания схемы, выбор сопротивления нагрузки в цепи эмиттера. Расчет каскада по постоянному току.
контрольная работа, добавлен 29.08.2015Выбор структурной и электрической принципиальных схем устройства. Выбор по заданным начальным параметрам напряжения питания, транзистора VT1, диода VD1, расчет номиналов остальных деталей. Алгоритм расчета блокинг-генератора по схеме с общим эмиттером.
дипломная работа, добавлен 24.11.2011Срок службы полупроводниковых триодов и их экономичность по сравнению с электронными лампами. Типы транзисторов: биполярные и полевые. Основные материалы, из которых изготовляют транзисторы. Максимально допустимые параметры полевого транзистора.
реферат, добавлен 11.01.2012Выбор режима работы транзистора. Определение сопротивления делителя в цепи базы, параметров транзистора по статическим характеристикам и элементов схемы по напряжению, коэффициентов усиления и нелинейных искажений каскада. Выбор резисторов, конденсаторов.
курсовая работа, добавлен 20.01.2014Расчет коэффициента усиления усилителя с разомкнутой цепью обратной связи ОС. Выбор режима усиления и его обоснование. Определение мощности, рассеиваемой коллектором. Режим покоя транзистора и оценка его работоспособности. Расчет КПД данного усилителя.
контрольная работа, добавлен 04.01.2011Цифровая схема логики или-не на биполярных транзисторах из идентичных каскадов, состоящих из биполярного транзистора, резистора и конденсатора. Электрические параметры элементов схемы. Последовательность расчета параметров биполярного транзистора.
курсовая работа, добавлен 20.03.2011Назначение усилителя на биполярном транзисторе по схеме с общим эмиттером. Расчёт параметров рабочего режима, элементов схемы усилительного каскада, коэффициента ослабления синфазного сигнала. Понятие температурного дрейфа операционного усилителя.
курсовая работа, добавлен 07.08.2013Входное сопротивление транзистора. Небольшие нелинейные искажения, их искажение. Процесс усиления сигнала в классе А. Определение четырех параметров данного каскада. Зависимость параметров биполярного транзистора от частоты. Влияние температуры.
презентация, добавлен 23.09.2016Усилительный каскад с общим эмиттером: электрические режимы, частотные свойства и основные параметры работы. Определение динамического режима работы усилительного каскада с общим коллектором. Расчет многокаскадного резисторного усилителя и цепей питания.
учебное пособие, добавлен 13.06.2015Физические основы полупроводников. Виды пробоев электронно-дырочного перехода. Собственная проводимость полупроводников i-типа. Основные параметры полупроводниковых диодов и их маркировка. Принцип действия биполярного транзистора, схемы включения.
курс лекций, добавлен 04.03.2017