Частотний перетворювач тиску з активним індуктивним елементом на основі двостокового МДН тензотранзистора
Розглянуто вплив тиску на електрофізичні параметри двостокового МДН тензотранзистора. Розглянуто автогенераторний сенсор тиску, в якому первинним перетворювачем виступає двостоковий МДН транзистор, а пасивна індуктивність замінена на активний елемент.
Подобные документы
Вдосконалення вимірювального перетворювача витрати за оцінками ентропії шумів. Аналіз джерел виникнення таких випадкових сигналів в потоці газу, їх статистичні характеристики. Зміна потужності вимірювальних сигналів зі зміною частотного спектру.
статья, добавлен 18.02.2016Підвищення достовірності й ефективності вимірювань в широкому діапазоні. Розробка технології виготовлення автодинного сенсора дециметрового діапазону частот. Вплив схемотехнічних факторів на ефективність детектування. Покращення співвідношення сигнал/шум.
автореферат, добавлен 13.08.2015Застосовування схеми без індуктивностей, характеристика та особливості автогенератора з багатоланковим RC-фільтром. Причини поганої форми генерованих коливань, процес узгодження вихідного опору фазообертаючого RC-ланцюжка, опис опору транзистора.
контрольная работа, добавлен 16.07.2017Дослідження впливу несинусоїдального періодичного сигналу на лінійне коло, складовими якого є реактивні елементи - індуктивність та резистор. Порівняння спектрів вхідної і вихідної напруги, побудова лінійчатого амплітудного спектру вихідного сигналу.
курсовая работа, добавлен 02.06.2014Методика та етапи розробки транзисторного перетворювача із дроселем у первинному ланцюзі на основі найпростішої схеми, із системою керування. Зміст та вимоги до складання електричної та принципової схеми даного проекту. Розрахунок системи керування.
курсовая работа, добавлен 20.07.2010- 31. Методи та пристрої зменшення впливу кліматичних факторів на облік газу в комунально-побутовій сфері
Стан обліку газу в комунально-побутовій сфері. Результати теоретичних досліджень впливу кліматичних факторів на достовірність обліку газу в побуті. Розробка пристроїв компенсації впливу атмосферного тиску і температури повітря на об’єм газу в побуті.
автореферат, добавлен 30.10.2015 Великий коефіцієнт спотворення форми струму - один з основних недоліків сучасних перетворювачів частоти, що пов’язані з діодними випрямлячами, від яких живляться інвертори. Характеристика заступної схеми перетворювача системи з активним фільтром.
статья, добавлен 14.09.2016Аналіз існуючих вимог до мікроелектронних частотних датчиків на шляху поліпшення їх технічних характеристик. Розробка і дослідження автогенераторних вимірювальних частотних перетворювачів для мікроелектронних частотних датчиків технологічного обладнання.
автореферат, добавлен 15.07.2014Механізми струмопроходження та електрофізичні властивості бар’єрних структур на основі органічних напівпровідникових матеріалів. Розробка технології тонкоплівкових фотоперетворювачів та сенсорних пристроїв на основі органічних бар’єрних структур.
автореферат, добавлен 26.09.2015Понятие о полупроводниковых диодах и транзисторах, их свойства. Характеристика и схема работы триода. Полевой МДП транзистор и его схематическое изображение. Зонная структура n-полупроводника при отрицательном заряде. Схема включения транзистора в цепь.
реферат, добавлен 07.11.2013Разработан и экспериментально исследован быстродействующий интегрально-оптический волноводный химический сенсор, являющийся частью прибора с аналого-цифровым преобразованием сигнала. Его основой служит интегрально-оптический волновод диффузионного типа.
статья, добавлен 07.11.2018Створення структур типу "кремній на ізоляторі" зі заданими властивостями шару полікремнію та розробка на їх основі мікроелектронних сенсорів для застосування в широкому інтервалі температур, включаючи кріогенні. Дослідження їх характеристик та параметрів.
автореферат, добавлен 12.07.2014- 38. Вплив гамма-радіації і НВЧ випромінювання на параметри GaAs польових транзисторів з бар'єром ШОТТКІ
Процеси масопереносу в омічних і бар'єрних контактах. Радіаційно-стимульована релаксація внутрішніх механічних напружень в омічних і бар'єрних контактах. Поліпшення параметрів транзисторів. Зменшення коефіцієнту шуму. Розподіл параметрів по пластині.
автореферат, добавлен 20.04.2014 Підсилювач звукової частоти зібраний за двокаскадною схемою з активними елементами на транзисторах. Схема радіопередавача, що працює в діапазоні 140-150 Мгц з вузькосмуговою частотною модуляцією. Функціональна схема таймера. Призначення виводів ІМС.
контрольная работа, добавлен 03.05.2012Дослідження розвитку семіотики у XX ст. Характеристика різних підходів семіотичної теорії до акту комунікації, який розглянуто як обмін еквівалентними сутностями, знаками у структурі семіотичних спілкувань. Вплив поведінки на ефективність комунікації.
статья, добавлен 26.07.2023Розробка методів лінеаризації амплітудно–частотних характеристик п'єзоелектричних перетворювачів механічних величин. Фізичні та математичні моделі симетричних і асиметричних біморфних п’єзоперетворювачів з п’єзоелементом у ланцюгу зворотного зв’язку.
автореферат, добавлен 06.07.2014Транзистор как полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления электрического тока и управления им, основные области его применения и механизм действия. Характеристика видов: тиристоры, симистор, полевые и МОП-транзисторы. Недостатки и надежность.
реферат, добавлен 23.03.2014Вакуумний метод отримання напiвпровiдникових плівок моносульфіду самарію. Електрофізичні властивості та рекомбінаційні параметри плівкових структур. Можливість управління метрологічними характеристиками тензорезистора за допомогою прикладеної напруги.
автореферат, добавлен 12.02.2014Транзистор n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный в пластмассовом корпусе для использования в усилительных схемах. Назначение изделия, условия эксплуатации. Сведения о математических моделях РЭС. Автоматизация конструкторского проектирования РЭС.
контрольная работа, добавлен 01.08.2012Передумови інтенсивного розвитку фотоелектрики у 50-х рр. ХХ ст. Досягнення в розробці кремнієвих транзисторів. Вирішення конструктивно-технологічних питань К. Фуллером, Д. Пірсоном та Д. Чапіном у створенні фотоелектричних кремнієвих перетворювачів.
статья, добавлен 27.03.2018Розробка нових елементів молекулярної оптоелектроніки. Використання плівки Лангмюр-Блоджетт в оптохемотронних пристроях. Дослідження процесів переносу заряду в тонких шарах органічних молекул. Побудова фізичної і математичної моделей роботи сенсора.
автореферат, добавлен 02.08.2014Необходимость разработки интегральных трехосных микромеханических сенсоров угловой скорости и линейных ускорений, позволяющих улучшить массогабаритные характеристики данных микросистем, уменьшить их себестоимость. Технологические требования к ним.
статья, добавлен 28.05.2017Полевой транзистор - полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом. Вольтамперные характеристики и принцип работы транзистора с управляющим pn переходом.
реферат, добавлен 26.01.2012Можливість практичної реалізації вимірювальних перетворювачів температури на основі серійно випускаємих давачів інфрачервоного випромінювання. Проектування та тестування високочутливих вимірювальних перетворювачів температури з частотним виходом.
статья, добавлен 23.12.2018Апріорні імовірності передачі повідомлень. Імовірності переходу переданих повідомлень у прийняті. Інтерпретація прийнятих повідомлень з метою мінімізації помилок. Частотний коефіцієнт передачі кола і його смуга пропущення. Дисперсія процесу на виході.
контрольная работа, добавлен 06.03.2013