Релаксаційні процеси та подвійні електричні шари на межі поділу електрод - рідкий діелектрик
Встановлення особливостей сольватації іонів в об'ємі рідини та причини адсорбції іонів на поверхні електродів. Розробка методів визначення структури і параметрів подвійного електричного шару. Аналіз механізму обміну електронами між електродом та іонами.
Подобные документы
Спорудження експериментального стенду колективного прискорювача іонів. Отримання прискорення іонів плазми електричним полем віртуального катоду, потік яких слугує інжектором в основну секцію, де прискорення здійснюється хвилею просторового заряду.
автореферат, добавлен 29.08.2015Розробка високоточного ab initio підходу до розрахунку характеристик радіаційного і автоіонізаційного розпаду збуджених станів важких атомів, іонів на підставі КЕД теорії з побудовою калібровочного інваріантного 1-квазічастинкового представлення.
автореферат, добавлен 18.04.2014- 53. Механізми формування стохастично неоднорідної структури аморфних халькогенідів систем АIV-ВV-ХVI
Нові методи електронномікроскопічних та електронографічних досліджень структури аморфних речовин, чутливих до зовнішніх впливів. Встановлення закономірностей впливу структурних неоднорідностей на фазові переходи, стимульовані зміни і релаксаційні процеси.
автореферат, добавлен 29.08.2015 Кремнієві фотоперетворювачі на основі p-n переходу. Керування рекомбінаційними та транспортними ефектами на межі поділу за допомогою зовнішніх факторів. Вплив газової адсорбції та магнітного поля на процеси струмозбирання в структурах з гетеро шарами.
автореферат, добавлен 27.09.2014Аналіз динаміки крутих гравітаційних хвиль на поверхні рідини в межах канонічної моделі гідродинаміки. Розробка спектрального методу розрахунку стаціонарних періодичних хвиль у випадку нескінченної глибини. Знайдення нового сімейства сингулярних хвиль.
автореферат, добавлен 29.07.2014Розробка нового, високоточного, калібровочно-інваріантного методу релятивістського розрахунку характеристик діелектронних сателітів спектральних ліній складних багатозарядних іонів на основі теорії збурень для трьохквазічастинкових атомних систем.
автореферат, добавлен 29.07.2014Аналіз інформації про зміну властивостей парамагнітних центрів іонів групи заліза в умовах механічних деформацій монокристалічного зразка, що досліджується. Вплив на ці властивості внутрішніх динамічних деформацій, пов'язаних із зміною температури.
автореферат, добавлен 23.11.2013Виявлення фізичних закономірностей розподілу вуглецю в системі графітований електрод-шлак-метал. Розроблення методики і визначення сульфідної ємності розплавів системи CaF2–CaO–Al2O3–SiO2 в діапазоні концентрацій компонентів, що входять до її складу.
автореферат, добавлен 30.08.2014- 59. Процеси утворення позитивних і негативних іонів молекул цитозину, тиміну, урацилу електронним ударом
Дослідження процесів іонізації молекул азотистих основ нуклеїнових кислот. Створення експериментальної мас-спектрометричної установки. Розробка джерела молекулярного пучка. Встановлення перебігу процесів іонізації у молекулах цитозину, тиміну, урацилу.
автореферат, добавлен 27.07.2015 Комплексне дослідження локальної структури, ступеня та типу впорядкування невпорядкованих сегнетоелектриків та їх твердих розчинів. Діелектричні властивості твердого розчину релаксорних сегнетоелектриків. Вивчення особливостей поведінки домішкових іонів.
автореферат, добавлен 23.11.2013Розробка масивних соленоїдів та електродів складних форм, що забезпечують розподіли сильних імпульсного магнітного та електричного полів на граничних поверхнях. Соленоїд для магнітно-імпульсної обробки металів. Розподіл імпульсного магнітного поля.
автореферат, добавлен 12.07.2015Дослідження методики аналізу структури металевого модифікованого поверхневого шару (нітридів та зони твердого розчину азоту в основі), з азотуванням в тліючому розряді. Концептуальні підходи до визначення ширини окремих фазових структур та шару в цілому.
статья, добавлен 27.07.2016Встановлення впливу технологічних факторів на процеси формування ростового забарвлення в кристалах ітрій-алюмінієвого перовськиту. дослідження ролі домішкових іонів рідкісноземельних та перехідних елементів в радіаційно- і термоіндукованих процесах.
автореферат, добавлен 22.06.2014Оцінка ролі іонів у радіаційно-стимульованих процесах в сцинтиляційних кристалах CsI, CsI(Na) і CsI(Tl). Процеси радіаційного дефектоутворення в напівпровідниках. Утворення центрів свічення та центрів забарвлення в сцинтиляційних кристалах йодиду цезію.
автореферат, добавлен 24.02.2014Аналіз процесів захоплення носіїв заряду та рекомбінаційної люмінесценції в складних оксидах з домішками іонів перехідних металів. Використання сцинтиляторів для комп’ютерних рентгенівських томографів, активних середовищ та пасивних затворів для лазерів.
автореферат, добавлен 27.08.2014Дослідження особливості взаємодії поверхні вуглецьвмісних матеріалів (терморозширеного графіту) та наносекундного лазерного ультрафіолетового опромінення в методах мас-спектрометрії з лазерною десорбцією. Експериментальний показ існування іонів-асоціатів.
автореферат, добавлен 27.08.2015З’ясування причин анізотропії віддзеркалення електронів проводимості від реальної поверхні вольфраму з орієнтацією. Розробка методів літографічної модифікації поверхні Si у надвисокому вакуумі. Методика отримання надгострих вольфрамових вістрів.
автореферат, добавлен 18.11.2013Молекулярна теорія роботи виходу атомів з плоскої поверхні простої діелектричної рідини в газ. Взаємозв’язок роботи виходу атомів з поверхні простої рідини та критеріїв стійкості рідини. Мікроскопічна теорія поверхневої енергії крапель металічних рідин.
автореферат, добавлен 27.08.2014- 69. Дослідження розмірних ефектів в сегнетоелектричних тонких плівках з урахуванням впливу електродів
Дослідження за допомогою феноменологічної теорії Гінзбурга – Ландау впливу електродів на розмірні ефекти та властивості сегнетоелектричної тонкої плівки. Аналіз моделі сегнетоелектричного конденсатора на базі нанорозмірної сегнетоелектричної плівки.
автореферат, добавлен 28.09.2015 Фізичні процеси, які виникають на межі поділу контактів Ti (Ni) – n-SiC, які традиційно використовуються, а також TiBx (ZrBx) – n-SiC, під час активних впливів. Розробка терморегулюючого пристрою на діапазон температур 77–1000 К, його структура.
автореферат, добавлен 28.07.2014Побудова самоузгодженої моделі генерації радіального струму резонансних іонів при спалаховій активності моди фішбон. Вплив іонів на пилчасті коливання у токамаках та сферичних торах. Теорія фішбонних коливань, не пов’язаних з модою внутрішнього кінка.
автореферат, добавлен 28.09.2014Закономірності впливу іонів Cr і Mn на формування термо- і фотоелектретних станів та на діелектричні властивості кристалів BSO у звуковому діапазоні частот. Об'ємно-зарядовий і квазідипольний механізми поляризації. Особливості термічного дефектоутворення.
автореферат, добавлен 07.03.2014Сутність нелінійного резонансного руху частинки під впливом збурення в тороїдальній магнітній конфігурації. Механізми стохастичної дифузії швидких іонів у сферичному токамаці. Умови зміни нейтронного випромінювання з плазми, альфвенівські коливання.
автореферат, добавлен 26.09.2015Аналіз розподілу електричного поля типових моделей краю обкладки. Визначення чинників і ступеню їх впливу на характер розподілу поля. Дослідження механізму руйнування конденсаторної ізоляції в широкому діапазоні зміни робочих напруженостей поля.
автореферат, добавлен 11.11.2013Шляхи досягнення важливого рівня розвитку технології літієвих батарей. Оптимальні властивості матеріалу та рівня електродів для швидкої їх зарядки. Фізико-хімічні основи різних комбінацій матеріалів, що визначають транспорт літію всередині електродів.
статья, добавлен 16.04.2024