Перенос заряду в кристалах силенітів
Дослідження електричних, оптичних та фотоелектричних властивостей номінально чистих та легованих ванадієм кристалів Bi12GeO20. закономірності переносу заряду в плівках силікосиленіта. Аналіз придатності моделі легованих компенсованих напівпровідників.
Подобные документы
Анализ концепции "корпускулярно-полевого дуализма" физических характеристик микрочастицы. Исследование соответствия электрического векторного потенциала электрическому заряду микрочастицы, кратному кванту электрического потока - заряду электрона.
статья, добавлен 24.11.2018Оптичні характеристики хімічно чистих перехідних металів, їхніх бінарних сплавів, сплавів із благородними металами у широкій області спектра. Зв'язок оптичних властивостей з електронною енергетичною структурою чистих металів та двокомпонентних сполук.
автореферат, добавлен 22.04.2014Розробка фізичної моделі рухливості коротких приповерхневих дислокацій. Розрахунок параметрів дислокаційно-домішкової взаємодії в кристалах кремнію з різним складом домішкових атмосфер. Нові електропластичні та магнітопластичні ефекти у кристалах кремнію.
автореферат, добавлен 28.07.2014Вибір оптимальної технології виготовлення шарів оксиду цинку, дослідження їх основних фізичних властивостей та можливостей практичного використання. Особливості структурних, електричних, оптичних і люмінесцентних властивостей гетерошарів оксиду цинку.
автореферат, добавлен 25.07.2015Основні виявлення ролі часткових дислокацій, які рухаються, в процесах фазових перетворень в кристалах сульфіду та селеніду цинку. Вивчення зміни фізичних властивостей кристалів, які залежать від стану електричної активності нерухомих дислокацій.
автореферат, добавлен 28.08.2014Аналіз електрокінетичних і магнетних властивостей нелегованих інтерметалічних напівпровідників у температурному інтервалі 4,2-460 К і впливу на них значних концентрацій домішок. Механізми електропровідності нелегованих інтерметалічних напівпровідників.
автореферат, добавлен 14.09.2015Дослідження особливостей механізмів тензорезистивних ефектів у деформованих кристалах кремнію й германія n-типу провідності. Розробка методів визначення фізичних механізмів тензоефектів у сильно деформованих кристалах багатодолинних напівпровідників.
автореферат, добавлен 25.08.2014- 108. Термодинаміка протонної моделі кристалів сім’ї KH2PO4 з тунелюванням і п’єзоелектричною взаємодією
Розробка статистичної теорії фазового переходу і термодинамічних властивостей сегнетоактивних недейтерованих кристалів. Модифікація протонної моделі з короткосяжними і далекосяжними взаємодіями. Отримання температурних залежностей спонтанних поляризації.
автореферат, добавлен 28.07.2014 Дослідження частотної залежності електропровідності сплавів і напівпровідників. Виникнення квіазіщілини в енергетичному спектрі електронів при атомному і магнітному впорядкуваннях. Зміни енергетичного спектру електронів та оптичної провідності кристалів.
автореферат, добавлен 28.09.2015Розробка двовимірної математичної моделі переносу консервативних забруднюючих речовин у природних водотоках з урахуванням анізотропних властивостей турбулентних течій. Метод чисельної реалізації моделі з обґрунтуванням початкових і граничних умов.
автореферат, добавлен 22.07.2014Умови виникнення та властивості структур конденсованих фаз екситонів у неоднорідних зовнішніх полях. Модель фотоіндукованих фазових переходів в органічних сполуках з комплексами з переносом заряду. Поведінка системи екситонів у подвійних квантових ямах.
автореферат, добавлен 22.07.2014Встановлення фізичних закономірностей технології виготовлення нових фоточутливих елементів і інтерференційно-абсорбційних фільтрів. Дослідження залежності фотоелектричних електричних властивостей фоточутливих елементів на основі гетеропереходів сполук.
автореферат, добавлен 25.06.2014Основні характеристики і дефекти оптичних лінз. Вимірювання довжини хвилі джерела світла за допомогою дифракційної гратки. Шляхи зменшення сферичної аберації. Перевірка закону Малюса. Вивчення вентильного фотоефекту. Аналіз властивостей напівпровідників.
методичка, добавлен 21.07.2017Дослідження фізичних процесів, що визначають електричні та оптичні характеристики діодних структур на основі телуриду ртуті-індію. Властивості напівпровідникового детектора випромінювання. Фотоелектричні процеси в діодних структурах на основі Hg3In2Te6.
автореферат, добавлен 14.09.2014Роль часткових дислокацій, що рухаються, в процесах фазових перетворень в кристалах сульфіду та селеніду цинку. Вивчення змін фізичних властивостей кристалів сульфіду та селеніду цинку, які залежать від стану електричної активності нерухомих дислокацій.
автореферат, добавлен 28.12.2015Спорудження експериментального стенду колективного прискорювача іонів. Отримання прискорення іонів плазми електричним полем віртуального катоду, потік яких слугує інжектором в основну секцію, де прискорення здійснюється хвилею просторового заряду.
автореферат, добавлен 29.08.2015Моделі переносу енергії в мембранних системах. Фізичні механізми і особливості індуктивно-резонансного переносу енергії в модельних білково-ліпідних мембранах. Структурні характеристики комплексів цитохрому і гемоглобіну з фосфоліпідними мембранами.
автореферат, добавлен 29.07.2014Виявлення і дослідження зміни мікромеханічних, електрофізичних характеристик і наноструктури кристалів кремнію при впливі магнітного поля. Аналіз особливостей зміни мікротвердості кристалів кремнію при довготривалій дії слабких постійних магнітних полів.
автореферат, добавлен 30.07.2015- 119. Випромінювальні остовно-валентні та міжконфігураційні переходи в галоїдних сцинтиляційних матеріалах
Взаємодія остовних дірок з електронними домішковими рівнями, розташованими вище вершини валентної зони кристала. Виявлення основних механізмів передачі енергії збудження до церієвих центрів у кристалах галоїдів шляхом рекомбінації гарячих носіїв заряду.
автореферат, добавлен 22.07.2014 Визначення електростатичного тиску, динамічних властивостей комплексної термічної плазми. Дослідження нерівноважної іонізації в шарі просторового заряду. Математичне моделювання структуризації полідисперсної конденсованої фази в плазмі продуктів згоряння.
автореферат, добавлен 26.09.2015Модель двошарової плівки, що складається із полікристалічних шарів металу різної товщини та ступеня чистоти. Залежність коефіцієнта двошарової полікристалічної плівки від відношення товщин шарів металу та зерномежового параметра, взаємодія носіїв заряду.
доклад, добавлен 30.10.2010Власна та домішкова провідність напівпровідників. Зростання електропровідності напівпровідника з ростом температури. Використання ефекту Холла. Енергетичні зони в кристалах, їх розщеплення. Обгрунтування позитивних та негативних сторін фотоопорів.
методичка, добавлен 16.07.2017- 123. Елекрооптичні ефекти в структурах МДН - рідкий кристал, зумовлені перенесенням і накопиченням заряду
Взаємозв’язок процесів переносу і накопичення зарядів в структурах МДН-рідкий кристал з характеристиками електрооптичних ефектів, а також умови виникнення і релаксації нестійкостей орієнтованих нематиків в області пор діелектрика структур М-РК-Д-Н.
автореферат, добавлен 12.02.2014 Вивчення впливу механізмів розсіювання носіїв струму в кристалах халькогенідів свинцю n-типу провідності на концентраційні та температурні залежності основних кінетичних параметрів. Освоєння технології синтезу та вирощування кристалів халькогенідів.
автореферат, добавлен 28.07.2014Визначення пружних властивостей масиву вуглецевих нанотрубок і їх порівняння з відповідними властивостями терморозширеного графіту. Аналіз впливу різних типів дефектів на перерозподіл носіїв заряду і концентрацію квазівільних електронів в нанотрубках.
автореферат, добавлен 14.07.2015