Энергонезависимая полупроводниковая память
Виды микроволновых полупроводниковых приборов и направления их развития. Технологии флэш-памяти - вида энергонезависимой перезаписываемой полупроводниковой памяти. Технология формирования флэш-памяти компаний Intel, StrataFlash, Wireless Memory System.
Подобные документы
Рассмотрение способов теоретического исследования транспортных свойств двухмерных систем. Особенности переноса заряда в низкоразмерной полупроводниковой структуре с учетом немарковских эффектов. Анализ теории квантоворазмерных полупроводниковых структур.
статья, добавлен 19.06.2018Wireless networks for sparsely populated rural areas of the Far North. Spatial pattern optimization of the developed wireless network based on the variant probability method. The problem of choice of place for access points of the growing network.
статья, добавлен 13.02.2018Функционирование последовательностного (многотактного) автомата. Виды триггеров (средства реализации памяти) по способу подачи переключающих сигналов: асинхронный, синхронный, счетный, со статическим и динамическим управлением. Их взаимные преобразования.
лекция, добавлен 23.07.2013Характеристика полупроводниковой интегральной микросхемы, методы оценки технологичности ее конструкции. Особенности и достоинства эпитаксиально-планарной технологии. Технологический маршрут изготовления микросхемы. Детальное описание основных операций.
курсовая работа, добавлен 25.12.2012Анализ прогресса в изготовлении транзисторов. Влияние попадания тяжелых заряженных частиц на работу транзисторов и КМОП-ячейки памяти. Моделирование воздействия заряженных частиц при разных размерах и разной температуре. Влияние радиации на транзисторы.
дипломная работа, добавлен 28.11.2019История изобретения полупроводниковых приборов диода и транзистора, принципы их работы и дальнейшее применение. Разработка и появление интегральных микросхем, особенности их применения. Технологии изготовления элементной базы для электронной техники.
реферат, добавлен 09.12.2015Intel 8051 — однокристальный микроконтроллер гарвардской архитектуры, который был впервые произведен Intel в 1980 году, для использования во встраиваемых системах. Архитектура и пример выполнения работы микроконтроллера Intel 8051 в режиме прерываний.
контрольная работа, добавлен 25.02.2018Зависимость проводимости полупроводников от температуры. Терморезисторы, датчики Холла. Классификация полупроводниковых приборов. Вольт-амперная характеристика полупроводникового диода. Однополупериодные выпрямители на полупроводниковых диодах.
реферат, добавлен 31.03.2015Роль тонкопленочной технологии в производстве интегральных схем и в процессе металлизации полупроводниковых приборов. Основные факторы, влияющие на свойства тонких пленок. Сущность подложки, основные виды и задачи. Тонкопленочные резисторы, конденсаторы.
реферат, добавлен 17.03.2013Ознакомление с историей совершенствования микропроцессоров путем изучение архитектуры вычислительного устройства, начиная с самой первой модели серии 4004, выпущенной в 1971 году, и заканчивая новейшими разработками фирмы Intel (Willamette, Itanium).
реферат, добавлен 20.02.2010Требования к интегральным схемам и полупроводниковым подложкам. Технология получения монокристаллического кремния, его калибровка, резка, шлифовка и полировка. Химическое травление полупроводниковых пластин и подложек. Алмазное и лазерное скрайбирование.
курсовая работа, добавлен 03.11.2012Знакомство с классификацией полупроводниковых приборов по признаку их функционального назначения в радиоэлектронных схемах. Варикап как полупроводниковый нелинейный управляемый конденсатор. Особенности параметрических и полупроводниковых диодов.
дипломная работа, добавлен 21.08.2015Особенность сравнения полупроводниковых приборов с электронными лампами. Характеристика электронно-дырочного перехода. Рассмотрение вольтамперной характеристики диода и выявление его нелинейных свойств. Принцип действия и схема включения транзистора.
реферат, добавлен 15.11.2015Классификация и механизмы отказов транзисторов и диодов, причины выхода их из строя. Зависимость интенсивности отказов полупроводниковых приборов от условий их применения. Выбор щадящего режима работы устройств для увеличения надежности оборудования.
контрольная работа, добавлен 25.11.2012Материалы, используемые для формирования элементов МСТ в LIGA-технологии. LIGA-технологии как возможность создания элементов МСТ большой толщины с вертикальными сторонами. Технология поверхностной микрообработки. MUMPs-технология, планарные элементы МСТ.
курс лекций, добавлен 26.10.2013Способ описания степени неупорядоченности активных слоев полупроводниковых приборов. Введение функциональной зависимости энергетического спектра на основе упрощенного построения дефектной решетки материала. Результаты экспериментальных исследований.
статья, добавлен 03.03.2012Общая структура биллинговой системы для автоматизации расчетов сотовых операторов и перспективы их развития. Кэширование биллинговых данных в оперативной памяти отдельного сервера с целью увеличения скорости обработки данных и уменьшения нагрузки на СУБД.
статья, добавлен 26.04.2017Области применения и технические характеристики датчиков температуры. Особенности полупроводниковых температурных датчиков. Преимущества и недостатки датчиков на основе диодов и транзисторов, терморезисторов и пленочных полупроводниковых приборов.
реферат, добавлен 06.08.2010Техника полупроводниковых приборов как самостоятельная область электроники. Выпрямительные диоды малой, средней и большой мощности. Импульсные диоды и полупроводниковые стабилитроны. Полупроводниковый преобразователь тепловой энергии окружающей среды.
реферат, добавлен 09.04.2009Создание электронных узлов, блоков и устройств, выполняющих функцию преобразования, обработки сигнала и накапливания информации. Элементы и задачи интегральных микросхем. Использование полупроводниковых устройств в компьютерной технике и процессорах.
реферат, добавлен 20.11.2018Изучение активных полупроводниковых приборов, управляемых электрическим полем. История создания полевых транзисторов и их классификация. Исследование приборов с управляющим p-n-переходом и изолированным затвором. Схемы включения и область применения.
реферат, добавлен 07.07.2016Физические основы полупроводниковых приборов. Строение полупроводниковых материалов. Понятие дырочной проводимости. Характеристика основных носителей заряда. Причины появления электрического тока в полупроводнике. Влияние примесной электропроводности.
презентация, добавлен 31.10.2020- 98. Методика измерения параметров объектов телекоммуникаций на основе технологии виртуальных приборов
Анализ методики измерения параметров объектов телекоммуникаций ОТК на основе технологии виртуальных приборов которая опирается на методику выполнения прямых измерений с многократными независимыми наблюдениями и основные положения обработки результатов.
статья, добавлен 15.08.2020 Создание криоэлектронных информационно-измерительных приборов на основе высокотемпературных сверхпроводников. Разработка технологии формирования многокомпонентных пленок и слоистых структур, используемых в ВТСП с учетом свойств исходных материалов.
автореферат, добавлен 27.03.2018Фильтры как важная часть многих микроволновых устройств, применяемых в радиолокации, радионавигации, космической связи. Знакомство со способами повышения эффективности проектирования микроволновых узкополосных ступенчатых эллиптических фильтров.
автореферат, добавлен 31.07.2018