Схемотехника: аппаратура и программа
Влияние емкостей на форму импульсов, свойства полупроводникового диода. Свойства биполярного транзистора в ключевом режиме. Разновидности логических интегральных элементов на биполярных транзисторах. Подключение нагрузки к выходу микросхем усилителей.
Подобные документы
Определение окружения усилителя. Установление выходной мощности. Обзор схем предварительного каскада усиления на биполярном транзисторе и двухтактного усилителя мощности. Изучение области использования интегральных схем. Оценка работы в ключевом режиме.
реферат, добавлен 01.11.2017Общие сведения об интегральных микросхемах, решение с их помощью различных технико-экономических задач. Особенности интегральной схемотехники и усилителей низкой частоты в микросхемах. Построение усилителя мощности на интегральных микросхемах серии 174.
реферат, добавлен 07.01.2015Устройство и работа полупроводниковых диодов. Строение диода и обозначение диода на схеме. Включение диода в обратном направлении. Характеристики диодов, конструкции и особенности применения. Энергетические диаграммы p-n-перехода туннельного диода.
курсовая работа, добавлен 24.12.2015Ознакомление с конструкцией полевого транзистора, который управляется напряжением, или полем. Исследование биполярных транзисторов, где носители заряда диффундируют к коллектору. Расчет коэффициента усиления усилителя на основе полевого транзистора.
лекция, добавлен 23.09.2017Моделирование туннельного тока в металл-оксид-полупроводниковых транзисторах, являющихся основой элементов флеш-памяти. Влияние затворного и стокового напряжения, толщины туннельного окисла транзистора на распределение плотности туннельного тока.
статья, добавлен 21.06.2018Полупроводниковые приборы с большим числом слоёв разного типа электропроводности, расположенных в разном сочетании. Особенности принципа действия биполярного транзистора. Приложение внешнего приложения к слоям. Схема транзистора с общим эмиттером.
лекция, добавлен 30.07.2013Основные характеристики и области применения полупроводникового детектора. Знакомство с а-спектрометром на базе полупроводникового счетчика. Амплитудные спектры импульсов в спектрометрическом тракте кремниевого детектора при регистрации заряженных частиц.
лабораторная работа, добавлен 05.12.2013Анализ электрофизических свойств полупроводников. Проведение исследования устройства и принципа действия биполярных транзисторов. Особенность изоляции элементов в монолитных интегральных микросхемах. Характеристика нелинейных искажений в усилителях.
курс лекций, добавлен 15.09.2017Свойства электроприемников, включенных в сеть - фактор, который обусловливает характер нагрузки и ее технико–экономические показатели и оказывает влияние на качество электроэнергии. Способы получения фактического графика нагрузки электроприемника.
лекция, добавлен 03.04.2019Особенность применения элементов электронных схем. Характеристика биполярных и полевых транзисторов. Анализ устройства для формирования и аналого-цифрового преобразования сигналов. Сущность линейных конфигураций на основе операционных усилителей.
учебное пособие, добавлен 17.01.2015Основные свойства лавины релятивистских убегающих электронов, развитие механизма гигантских восходящих атмосферных разрядов с их участием. Численная модель кинетики заряженных частиц, оптического излучения, генерации импульсов проникающих излучений.
автореферат, добавлен 02.03.2018Знакомство с входными и выходными характеристиками транзистора. Анализ причин роста тока эмиттера. Особенности транзисторов, работающих при высокой плотности тока. Основные причины роста коллекторного напряжения. Этапы расчета транзисторных схем.
реферат, добавлен 21.07.2013Оптические свойства, поглощение в Германии. Редкоземельные элементы, размещение лантаноидов в соответствии с их электронным строением и периодическим законом Менделеева. Контактный метод определения типа проводимости и спектрофотометр инфракрасный.
курсовая работа, добавлен 01.08.2014Основные характеристики и параметры полупроводниковых р-n переходов, влияние на них температуры окружающей среды. Преобразование переменного тока в постоянный. Прямой и обратный токи полупроводникового диода, расчет дифференциального сопротивления.
контрольная работа, добавлен 13.12.2021Расчет параметров кремниевого интегрального биполярного транзистора. Распределение донорной и акцепторной примесей. Расчет коэффициента передачи эмиттерного тока. Расчет электрических характеристик кремниевого интегрального канального транзистора.
курсовая работа, добавлен 01.10.2017Специфические волновые свойства упругих и электромагнитных волн. Особенности и квантовые свойства электромагнитного излучения. Обзор элементов квантовой механики и атомной физики. Принципы работы лазеров, свойства их излучения и сфера применения.
методичка, добавлен 13.11.2012Появление усилительных элементов – транзисторов, интегральных схем и других электронных приборов, усиливающих электрические сигналы. Создание широкополосных усилителей гармонических и импульсных сигналов, предназначенных для телевидения, радиолокации.
контрольная работа, добавлен 09.10.2018Классификация пассивных элементов электрических цепей: резисторы, конденсаторы; система условных обозначений. Вольтамперная характеристика электронно-дырочных переходов. Полупроводниковые диоды, устройство и принцип действия биполярного транзистора.
курс лекций, добавлен 02.08.2013Исследование амплитудно-частотных характеристик модели акустического диода в широком диапазоне частот. Изучение влияния формы волнового фронта на амплитуду прошедшей волны. Использование метода конечных элементов и программы AutoCAD при моделировании.
статья, добавлен 06.09.2021Использование органической электроники для компактного моделирования надпорогового тока стока органического полевого транзистора. Обеспечение корректного учёта выходной проводимости в режиме насыщения с монотонным её убыванием от максимального значения.
статья, добавлен 17.07.2018Создание и сбор регулируемого AC-DC преобразователя напряжения на основе биполярного транзистора. Регулирование выходного напряжения преобразователя. Поступление напряжения с R2 на вход базы транзистора VT1, включенного по схеме эмиттерного повторителя.
лабораторная работа, добавлен 06.06.2023Оптические свойства германия, редкоземельные элементы, размещение лантаноидов. Методы определения коэффициентов пропускания и поглощения, закон Бургера-Ламберта-Бера. Оптическое исследование, расчет коэффициентов. Четырехзондный, точечно-контактный методы
курсовая работа, добавлен 02.08.2014Понятие упругой деформации и ее виды: растяжение (сжатие), сдвиг. Влияние внешней нагрузки на упруго деформированный кристалл. Описание закономерностей упругого поведения металлов законом Гука. Влияние температуры и анизотропии на модуль упругости.
реферат, добавлен 13.03.2019Реальные электрические схемы П- и ПИ-регуляторов на базе интегральных микросхем и их передаточные функции. Графики временных характеристик входного и выходного сигналов заданных регуляторов при постоянном, треугольном и синусоидальном воздействиях.
лабораторная работа, добавлен 29.10.2012Методы получения кварцевых емкостей для нагрева, высушивания, сжигания, обжига или плавления монокристаллов кремния. Влияние примесей в материале тигля на качество и анизотропию физических свойств однородных кристаллов. Механические свойства тигля.
статья, добавлен 28.02.2016