Коммутация в полупроводниковых преобразователях
Техника полупроводниковых приборов как самостоятельная область электроники. Выпрямительные диоды малой, средней и большой мощности. Импульсные диоды и полупроводниковые стабилитроны. Полупроводниковый преобразователь тепловой энергии окружающей среды.
Подобные документы
Использование метода сравнения показаний при определении погрешности средств измерений в метрологии. Принцип действия полупроводниковых приборов. Применение транзистора в радиоэлектронике. Средства пожаротушения, их назначение и правила эксплуатации.
контрольная работа, добавлен 07.10.2015Сущность и классификация транзисторов как радиоэлектронных компонентов из полупроводникового материала. Устройство биполярного транзистора. Эпитаксиальные транзисторы. Материалы для изготовления полупроводниковых приборов. Особенности расчёта транзистора.
курсовая работа, добавлен 21.02.2018Рассмотрение возможности создания спектрометра высокого разрешения терагерцового (ТГц) диапазона. Использование наноструктурированных полупроводниковых и сверхпроводниковых устройств в режиме прямого детектирования в качестве приемника ТГц-излучения.
статья, добавлен 30.10.2018Применение параллельных вычислений на графических процессорах при решении задачи переноса носителей заряда в полупроводниковых приборах с учетом радиационного воздействия. Сведение системы уравнений в производных к дифференциально-алгебраической задаче.
статья, добавлен 06.11.2018Оптоэлектронные приборы, их определение, устройство и принцип работы. Выпрямительные диоды, их определение и устройство. Работа транзистора в режиме насыщения. Принципиальные особенности оптоэлектронных устройств. Распространение световых лучей.
контрольная работа, добавлен 09.01.2011Понятие о полупроводниковых диодах и транзисторах, их свойства. Характеристика и схема работы триода. Полевой МДП транзистор и его схематическое изображение. Зонная структура n-полупроводника при отрицательном заряде. Схема включения транзистора в цепь.
реферат, добавлен 07.11.2013Биполярные транзисторы с улучшенными малосигнальными параметрами. Разработка и эксплуатация полупроводниковых приборов. Выбор концентрации примеси в эпитаксиальном слое коллектора. Расчет граничной частоты, напряжения насыщения и импульсных характеристик.
курсовая работа, добавлен 19.11.2014- 83. Шоттки диоды
Использование выпрямляющего электрического перехода между металлом и полупроводником на диоде. Выпрямительные свойства и устранение инжекции неосновных носителей зарядов. Эффект туннелирования. Варианты структур диодов Шотки с двухслойной базой.
контрольная работа, добавлен 17.10.2013 Применение ЭВМ (пакет OrCAD) для построения и анализа схемы пассивной линейной RLC цепи. Создание моделей полупроводниковых приборов с помощью Model Editor. Исследование шумовых и температурных свойств усилительного каскада на биполярном транзисторе.
методичка, добавлен 10.08.2013Общие сведения о микросхемах и технологии их изготовления. Классификация микросхем: полупроводниковые и гибридно-пленочные. Элементы электрической схемы полупроводниковых ИС. Структура биполярных транзисторов. Условное обозначение серии микросхем.
презентация, добавлен 05.04.2020Показатели надежности современного радиоэлектронного оборудования. Виды отказов и основные дефекты. Неразрушающиеся методы испытания элементов радиоэлектронной аппаратуры. Автоматизация измерения НЧ шумов полупроводниковых приборов и интегральных схем.
реферат, добавлен 22.02.2011Чувствительность к перегрузке и изменению температуры - одна из отличительных особенностей полупроводниковых приборов. Методика определения постоянной составляющей анодного тока в пиковой точке. Анализ системы охлаждения радиопередающего устройства.
курсовая работа, добавлен 28.01.2019Принцип действия биполярных транзисторов. Технология изготовления полупроводниковых микросхем на основе биполярных транзисторов с диэлектрической изоляцией. Структура полупроводниковых ИМС на основе биполярного транзистора. Метод диэлектрической изоляции.
курсовая работа, добавлен 20.11.2011Особенность исследования уровня надежности микроэлектронных систем. Анализ отказов полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Изучение устойчивости компонентов электронных схем. Основные составляющие исправности программного обеспечения.
лекция, добавлен 22.03.2018Элементная база полупроводниковых приборов, интегральных схемных и пассивных элементов. Технические характеристики аналоговых устройств. Элементы и узлы цифровых устройств. Функциональные узлы комбинационного типа. Интегральные запоминающие устройства.
курс лекций, добавлен 15.03.2022Процессы формирования радиационно-стойких гетероструктур с требуемым набором структурных и электрофизических параметров, позволяющих расширить область их применения. Исследование влияния облучения на параметры гетеро- и полупроводниковых структур.
статья, добавлен 08.04.2019Расчет цепей управления силовых полупроводниковых приборов с изолированным затвором. Обеспечение оптимальных значений времени переключения с целью снижения коммутационных потерь и повышении надежности схем управления микропроцессорными устройствами.
статья, добавлен 20.02.2019Техническая характеристика усилителей мощности гармонических и импульсных сигналов. Схематизация выходного каскада и расчет энергетических параметров четырехполюсника. Параметры подбора транзистора и трансформатора для полупроводниковых приборов.
курсовая работа, добавлен 25.11.2013Формула для идеального диода. Сопротивления контактов металл-полупроводник. Термогенерация носителей непосредственно в области p-n перехода. Поверхностные утечки. Энергетические уровни, обеспечивающие активные процессы генерации и рекомбинации, причины.
презентация, добавлен 23.09.2016Общие сведения о полупроводниках. Приборы, действие которых основано на использовании свойств полупроводников. Характеристика и параметры выпрямительных диодов. Параметры и предназначение стабилитронов. Вольтамперная характеристика туннельного диода.
реферат, добавлен 24.04.2017Виды микроволновых полупроводниковых приборов и направления их развития. Технологии флэш-памяти - вида энергонезависимой перезаписываемой полупроводниковой памяти. Технология формирования флэш-памяти компаний Intel, StrataFlash, Wireless Memory System.
реферат, добавлен 22.08.2015Анализ вольтамперных характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером. Изучение выходных характеристик полевого транзистора в схеме с общим истоком. Режимы работы полупроводниковых приборов. Порядок входного сопротивления транзисторов.
лабораторная работа, добавлен 21.11.2017Изучение принципа действия полупроводниковых и фотоэлектронных приборов. Функционирование типовых электронных узлов и устройств. Характеристики основных семейств логических операций. Применение цифровых запоминающих устройств. Виды стабилизаторов.
учебное пособие, добавлен 09.12.2013Общие принципы построения выпрямительных устройств. Структурная схема, классификация полупроводниковых выпрямителей. Однофазные выпрямители: с двухполупериодной схемой со средней точкой, с мостовой схемой. Нулевая и мостовая схемы трехфазных выпрямителей.
контрольная работа, добавлен 25.11.2020Создание spice-модели компонентов для моделирования схемы в среде Altium Designer. Определение параметров полупроводниковых приборов, индуктивных элементов и цифровых компонентов. Методика расчетов в процессе проектирования цифровых электронных схем.
курсовая работа, добавлен 26.10.2017