Наноэлектроника "снизу-вверх": кулоновская блокада и одноэлектронный нанотранзистор на молекуле бензола
Оценка зарядовой стабильности одноэлектронного полевого транзистора на молекуле бензола в качестве проводящего канала в режиме кулоновской блокады. Вычисление энергии заряда молекулы по теории функционала плотности, модель ее взаимодействия со средой.
Подобные документы
Устройство плоскостного биполярного транзистора. Режимы работы биполярного транзистора. Схема включения с общим эмиттером, базой и коллектором. Эквивалентная схема транзистора с использованием h-параметров. Усилительный каскад на биполярном транзисторе.
реферат, добавлен 06.12.2015Проектирование и моделирование однопортового резонансного транзисторного усилителя, состоящего из полевого транзистора и резонансного колебательного контура, преимущества его применения. Методика расчёта конструктивных индуктивностей генератора Хартли.
статья, добавлен 28.09.2016Оценка обстановки в районе проведения спасательной операции. Определение количества сил и средств связи, привлекаемых для обеспечения управления проведением спасательной операции, пропускной способности канала связи. Расчет и оценка достоверности связи.
курсовая работа, добавлен 18.03.2013Разработка открытых неоднородных направляющих структур для распределения электромагнитной энергии в трубе с диссипативной средой. Анализ математической модели распределения электромагнитной энергии в канале с многослойной коаксиальной структурой.
автореферат, добавлен 28.03.2018Воздействие ионизирующих излучений - фактор, ухудшающий параметры элементов электронных схем. Соотношение от дозы облучения при изменении порогового напряжения при разных значениях напряжения на затворе полевого транзистора с изолированным каналом.
дипломная работа, добавлен 05.08.2018Входные характеристики при включении транзистора по схеме с общим эмиттером. Характеристики управления при включении транзистора по схеме. Параметры и эквивалентные схемы биполярных транзисторов. Эквивалентная схема в виде модели Эбертса-Молла (вид).
презентация, добавлен 23.09.2016Мощность сигнала на выходе многолучевого канала. Числовые характеристики. Модель Кларка гладких замираний. Имитационное моделирование многолучевого канала с рассеянием по частоте и по времени. Медленные дружные замирания и разнесенный прием, кодирование.
диссертация, добавлен 24.05.2018Развитие технологий биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT), совмещение в одном приборе лучших свойства полевого и биполярного транзистора. Устройство и особенности работы, целесообразность применения в дискретном и модульном исполнениях.
реферат, добавлен 25.09.2009Рассмотрение способов теоретического исследования транспортных свойств двухмерных систем. Особенности переноса заряда в низкоразмерной полупроводниковой структуре с учетом немарковских эффектов. Анализ теории квантоворазмерных полупроводниковых структур.
статья, добавлен 19.06.2018Принцип действия полевого транзистора с управляющим р-n переходом. Выходные (стоковые), передаточные (стоко-затворные) и вольт-амперные характеристики полевых транзисторов. Графо-аналитический и аналитический методы определения основных параметров ПТ.
лабораторная работа, добавлен 20.12.2021Определение параметров и характеристик транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером. Дифференциальные параметры входного и выходного сопротивлений. Определение величины крутизны транзистора, которая связывает напряжение базы с током коллектора.
лабораторная работа, добавлен 22.10.2012Построение временных функций исследуемых сигналов, расчет их спектральных характеристик и частотной зависимости энергии. Расчет технических характеристик АЦП, ИКМ и построение графиков автокорреляционной функции и спектральной плотности энергии.
курсовая работа, добавлен 18.08.2013Определение коэффициента передачи усилителя с отрицательной обратной связью. Выбор рабочей точки и транзистора для выходного каскада. Выбор транзистора для промежуточного каскада. Проверка правильности выбора транзистора. Расчет емкостных элементов.
курсовая работа, добавлен 13.10.2017Оптоэлектронные приборы, их определение, устройство и принцип работы. Выпрямительные диоды, их определение и устройство. Работа транзистора в режиме насыщения. Принципиальные особенности оптоэлектронных устройств. Распространение световых лучей.
контрольная работа, добавлен 09.01.2011Разработка математической модели, позволяющей анализировать излучающий электромагнитный кристалл в режиме смешения сигналов, который представляет интерес с точки зрения построения приемных нелинейных остронаправленных антенн. Анализ неизлучающих структур.
статья, добавлен 04.11.2018Разработка технологической карты регулировки блока, принципы его работы и методика регулирования. Контрольно-измерительные приборы, используемые инструменты и материалы. Определение параметров транзистора в режиме преобразования. Расчет цепи приемника.
курсовая работа, добавлен 21.08.2015Получена формула для термодинамического потенциала "грязного" сверхпроводника, выражающая его через квазиклассические функции Грина теории Узаделя. Проведено описание динамических процессов и флуктуаций в устройствах сверхпроводниковой наноэлектроники.
статья, добавлен 03.11.2018Характеристики и параметры антенны в режиме приема. Фазовая диаграмма направленности антенны. Связь параметров антенны в режиме передачи и приема. Шумовая температура антенны. Условия выделения максимальной мощности в нагрузке приемной антенны.
лекция, добавлен 14.08.2015Расчет параметров транзистора в рабочей точке и вычисление сопротивления эквивалентного генератора. Емкость блокировочного конденсатора промежуточного каскада, его максимально достижимая площадь усиления. Построение амплитудно-частотных характеристик.
курсовая работа, добавлен 08.06.2018Способы обработки выхода фотоэлектронного умножителя, касающихся дисперсии производимых оценок. Рассмотрение детектирования излучения, производящего в среднем менее одного одноэлектронного импульса за время корреляции флуктуаций интенсивности излучения.
статья, добавлен 30.10.2018- 121. Микромощный избирательный усилитель в элементном базисе радиационно-стойкого техпроцесса АБМК_1_3
Базовые схемы микромощного избирательного усилителя. Применение полевого транзистора управляющим p-n переходом. Схемы избирательного усилителя с высоким затуханием выходного сигнала в диапазоне низких частот. Схема техпроцесса АБМК_1_3 в среде PSpice.
статья, добавлен 30.05.2017 Разработка математической модели пропускной способности беспроводного моноканала в условиях воздействия помех. Анализ погрешности разработанной модели. Исследование различных режимов работы с использованием разработанной модели беспроводного канала.
статья, добавлен 23.02.2016Проблема транспортировки электронного пучка с эллиптическим сечением при однородном и неоднородном распределении плотности пространственного заряда. Изменение эмиссионной способности под действием ионной бомбардировки. Эквипотенциальные поверхности.
статья, добавлен 03.11.2018Обоснование новой роли социальной коммуникации в информационном пространстве. Презентация подходов в определении ее сущности и влияния на процессы трансформации мирового сообщества. Оценка эффективности речевого канала взаимодействия в отношениях людей.
статья, добавлен 28.04.2018Характеристика и специфика принципа действия биполярного транзистора, понятие верхнего тока. Вольтамперная характеристика, вычисление возможного изменения тока. Схемы биполярных транзисторов, отличительные черты положительного и отрицательного напряжения.
лекция, добавлен 23.09.2017