Интегральная электроника
Разработка топологии логической схемы ИМС, предназначенной для эксплуатации в современной электронной аппаратуре. Расчет электрических параметров биполярного транзистора и габаритов интегральных резисторов. Выбор конденсаторов для полупроводников.
Подобные документы
Принцип действия биполярного транзистора. Ток электронов из эмиттера в коллектор. Отношение коллекторного тока к базовому. Использование в электронике усилителей по напряжению. Дифференциальное коллекторное сопротивление у схемы с общим эмиттером.
лекция, добавлен 26.10.2013Определение понятия, а также основных свойств коммутатора. Выбор и обоснование схемы структурного коммутатора. Выбор серии интегральных микросхем, схемы электрической принципиальной. Расчет тактового генератора. Моделирование электронного коммутатора.
курсовая работа, добавлен 17.04.2014Разработка конструкций пленочных резисторов и конденсаторов. Расчет надежности гибридной интегральной схемы. Анализ требований к корпусу. Обеспечение вакуумно-плотной герметизации микросхемы. Создание топологического чертежа механизма и его оптимизация.
курсовая работа, добавлен 08.06.2016Технологический цикл изготовления структур транзисторов, резисторов и конденсаторов при производстве полупроводниковых интегральных схем. Пример профиля структуры полупроводниковой ИС. Применение ИС вместо дискретных элементов электронных устройств.
презентация, добавлен 23.09.2016Разработка схемы автоматической регулировки мощности для генератора сигналов качающейся частоты с рабочим диапазоном частот 20-100 МГЦ. Эмиттерный повторитель с использованием биполярного транзистора. Расчет схемы усилителя с автоподстройкой усиления.
дипломная работа, добавлен 02.12.2013Специфика статических характеристик биполярного транзистора. Расчёт статического коэффициента передачи тока. Дифференциальное входное сопротивление транзистора и результаты измерения тока коллектора. Особенности порядка проведения экспериментов.
лабораторная работа, добавлен 27.12.2014Исследование характеристик и определение параметров усилителей на полупроводниках. Выбор схемы включения и режима работы каскада на трёхполюсниках. Отличия биполярного и полевого транзистора. Влияние температуры на токи в цепях. Функции обратной связи.
лабораторная работа, добавлен 08.04.2018Выбор усилителя звуковых частот. Определение числа каскадов. Расчет цепей питания и термостабилизации. Построение структурной схемы передатчика. Основные параметры генератора. Выбор и расчёт предоконечного транзистора. Расчёт блокировочных конденсаторов.
курсовая работа, добавлен 10.09.2015Расчет усилителя в схеме включения с общим эмиттером. Определение требований к транзистору по предельным параметрам. Проверка амплитуды тока коллектора. Схема замещения биполярного транзистора с эмиттером. Расчет емкости разделительных конденсаторов.
курсовая работа, добавлен 23.07.2014Разработка и расчет принципиальной схемы импульсного усилителя. Выбор транзистора оконечного каскада. Моделирование рассчитанной схемы усилителя в пакете MicroCap. Расчёт параметров оконечного каскада. Значение ёмкости разделительного конденсатора.
курсовая работа, добавлен 14.11.2017Входные характеристики при включении транзистора по схеме с общим эмиттером. Характеристики управления при включении транзистора по схеме. Параметры и эквивалентные схемы биполярных транзисторов. Эквивалентная схема в виде модели Эбертса-Молла (вид).
презентация, добавлен 23.09.2016Физические основы полупроводников. Структура и принцип действия транзистора. Применение тиристора в управляемом выпрямителе. Устройства промышленной электроники. Логические функции и логические схемы. Трехразрядный двоичный счетчик на вычитание.
учебное пособие, добавлен 05.07.2013Определение координат точки покоя напряжения питания прибора. Построение статической и динамической линий нагрузки, выбор транзистора. Графоаналитический расчет параметров усилителя. Определение hэ-параметров и физических параметров транзистора.
реферат, добавлен 27.11.2013Сведения о математических моделях радиоэлектронных средств. Расчет физико-топологической модели биполярного транзистора с использованием модели Эберса-Молла. Разработка маршрутной карты технологического процесса изготовления транзистора типа КТ-872.
курсовая работа, добавлен 25.05.2013Описание устройства и принципа действия биполярного транзистора как трёхполюсного полупроводникового прибора с двумя p-n переходами. Электросвязь и полупроводниковые области биполярного транзистора. Общий активный режим, отсечка и насыщение транзистора.
лекция, добавлен 19.09.2011Принципиальные схемы вентилей на интегральных микросхемах. Минимизация переключательных функций с помощью карт Карно. Пример построения схемы для мажоритарного подсчета голосов при баллотировке. Составление таблицы истинности, выбор логической схемы.
контрольная работа, добавлен 23.02.2015Параметры биполярного транзистора, определяющие работу линейного усилителя. Принципиальная схема усилителя низкой частоты, амплитудная характеристика работы. Расчет и проверка рабочей точки, значения сопротивлений усилителя и разделительных емкостей.
курсовая работа, добавлен 20.09.2014Схемотехника как раздел электроники. Разработка схемотехнических решений (электрических и структурных схем), используемых в электронной аппаратуре. Аналоговые и дискретные электрические схемы. Методы исследования прохождения сигналов в электронных цепях.
презентация, добавлен 12.11.2017Основные характеристики драйвера моторов L293D. Выбор силового драйвера управления. Разработка печатной платы, сборочного чертежа и алгоритма программы управления учебным роботом. Выбор микросхемы и интерфейса связи. Расчет резисторов и конденсаторов.
курсовая работа, добавлен 18.05.2013Получение выражений для определения максимального динамического блокирующего напряжения мощного биполярного транзистора с трехслойным коллектором. Механизм тепловой неустойчивости развития вторичного пробоя при переключении транзистора в режим насыщения.
статья, добавлен 20.08.2013Обоснование конструктивно-технологического исполнения гибридной интегральной микросхемы. Проведение конструктивного расчета тонкопленочных резисторов и конденсаторов, подбор навесных компонентов. Выбор материала платы, определение ее минимальных размеров.
курсовая работа, добавлен 03.12.2010Входное сопротивление транзистора. Небольшие нелинейные искажения, их искажение. Процесс усиления сигнала в классе А. Определение четырех параметров данного каскада. Зависимость параметров биполярного транзистора от частоты. Влияние температуры.
презентация, добавлен 23.09.2016Выбор биполярного транзистора и положения рабочей точки. Расчёт параметров усилителя низкой частоты на биполярном транзисторе. Допустимое напряжение между коллектором и эмиттером. Амплитуда переменной составляющей тока коллектора (тока нагрузки).
лабораторная работа, добавлен 17.10.2017Условия согласования интегрального малошумящего усилителя с источником сигнала, результаты моделирования зависимостей коэффициента передачи по напряжению и коэффициента шума от длины эмиттера биполярного транзистора и ширины затвора МОП транзистора.
статья, добавлен 15.08.2013- 75. Транзисторы
Классификация, схемы включения и характеристики транзисторов. Рассмотрение показателей, характеризирующих схемы включения транзистора. Физические принципы работы биполярного транзистора. Оценка энергетической эффективности ключевого режима транзисторов.
реферат, добавлен 27.06.2015