Расчет биполярных транзисторов
Методика расчёта дискретного биполярного транзистора с использованием пакета программ MathCad. Расчёт параметров биполярного транзистора с учётом эффектов высокого уровня легирования, инжекции и Кирка. Выбор топологии кристалла. Проверка базы на прокол.
Подобные документы
Расчет параметров усилителя низкой частоты на биполярном транзисторе. Выбор биполярного транзистора и положения рабочей точки. Расчет параметров элементов схемы и определение параметров усилительного каскада на биполярном и полевом транзисторах.
контрольная работа, добавлен 19.11.2017Изучение особенностей строения схемы транзисторного усилителя низкой частоты. Выбор биполярного транзистора, положения рабочей точки. Расчет параметров элементов схемы. Аналитический расчет параметров усилительного каскада на полевом транзисторе.
контрольная работа, добавлен 19.11.2017Изготовление твердотельных интегральных транзисторов методами планарной или изопланарной технологий. Материалы, необходимых для изготовления планарного транзистора. Расчет профиля легирования примесей и количества диффузанта при загонке примеси.
контрольная работа, добавлен 02.02.2016Развитие технологий биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT), совмещение в одном приборе лучших свойства полевого и биполярного транзистора. Устройство и особенности работы, целесообразность применения в дискретном и модульном исполнениях.
реферат, добавлен 25.09.2009Определение координат точки покоя напряжения питания прибора. Построение статической и динамической линий нагрузки, выбор транзистора. Графоаналитический расчет параметров усилителя. Определение hэ-параметров и физических параметров транзистора.
реферат, добавлен 27.11.2013Факторы, ограничивающие возможность использования низкочастотных транзисторов в сверхвысокочастотном диапазоне. Устройство и принцип действия биполярного транзистора. Уменьшение толщины и легирование базы. Представление СВЧ БТ эквивалентными схемами.
реферат, добавлен 20.01.2016Основные механизмы отказа биполярного транзистора с изолированным затвором (IGBT) при коротком замыкании нагрузки и выключении индуктивной нагрузки. Существующие методы тестирования IGBT приборов и базисные требования к неразрушающему методу контроля.
статья, добавлен 28.07.2013Виды устойчивых состояний (режимов) для биполярного транзистора: активный, инверсивный, режим отсечки и режим насыщения. Проверка достаточности напряжения питания схемы, выбор сопротивления нагрузки в цепи эмиттера. Расчет каскада по постоянному току.
контрольная работа, добавлен 29.08.2015АЦП параллельного преобразования и расчет тактового генератора. Выбор и описание микросхем, разработка преобразователя уровней и выбор биполярного транзистора. Расчет схемы ПУ, подбор номиналов резисторов и специфика расчета мощности, потребляемой ПУ.
курсовая работа, добавлен 03.12.2014Ознакомление с параметрами нелинейной модели биполярного транзистора Эберса-Молла. Расчет среднегеометрического значения статического коэффициента передачи тока. Вычисление омического сопротивления и емкости коллектора транзисторов с малой мощностью.
задача, добавлен 27.12.2013Принцип работы биполярного транзистора. Графоаналитический метод расчета усилительного каскада. Физический смысл h-параметров. Характерная особенность усилителя и его отличие от других преобразующих устройств. Выбор величины ЭДС источника питания.
методичка, добавлен 02.05.2014Характеристика полупроводниковых приборов. Принцип работы биполярного транзистора, полевого транзистора и тиристора. Исследование усилительных каскадов на биполярном транзисторе. Свойства, амплитудные и частотные характеристики трехкаскадного усилителя.
учебное пособие, добавлен 18.04.2016АЦП параллельного преобразования. Расчет тактового генератора для АЦП. Выбор и описание микросхем. Разработка преобразователя уровней. Выбор биполярного транзистора. Расчет схемы ПУ, подбор номиналов резисторов. Построение передаточной характеристики.
курсовая работа, добавлен 27.08.2012Основные области применения транзисторов. Схема лабораторного источника питания. Включение биполярного транзистора в ключевом режиме. Переделка узла управления для устройства плавного включения ламп накаливания. Схемы базовых элементов ТТЛ и КМОП.
доклад, добавлен 29.08.2013Механизм образования и электрическое поле в p-n переходе. Расчет контактной разности потенциалов и максимального электрического поля кремниевого p-n перехода. Расчет зависимости коэффициента передачи тока кремниевого p-n-p транзистора от напряжения.
курсовая работа, добавлен 18.10.2014Экспериментальное определение параметров транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером. Использование эквивалентных схем, основанных на представлении транзистора как активного линейного четырехполюсника. Измерение напряжения коллектора транзистора.
лабораторная работа, добавлен 22.10.2012Расчет усилителя в схеме включения с общим эмиттером. Определение требований к транзистору по предельным параметрам. Проверка амплитуды тока коллектора. Схема замещения биполярного транзистора с эмиттером. Расчет емкости разделительных конденсаторов.
курсовая работа, добавлен 23.07.2014Определение коэффициента передачи усилителя с отрицательной обратной связью. Выбор рабочей точки и транзистора для выходного каскада. Выбор транзистора для промежуточного каскада. Проверка правильности выбора транзистора. Расчет емкостных элементов.
курсовая работа, добавлен 13.10.2017Назначение, устройство, система обозначения и способы изготовления транзисторов. Получение электронно-дырочных переходов в полупроводниковом приборе. Особенности биполярного низкочастотного транзистора NPN. Его техническая спецификация и сфера применения.
реферат, добавлен 16.06.2014Диффузионное электрическое поле эмиттерного и коллекторного переходов. Характеристика схемы включения транзистора. Входное и выходное сопротивление для структуры с общей базой. Коэффициент передачи тока. Влияние роста частоты на работу радиоприемника.
контрольная работа, добавлен 28.03.2014Полевой транзистор как электронный прибор. Описание полевых транзисторов с изолированным затвором, с индуцированным каналом. Температурный режим работы прибора. Расчет электрических, электрофизических, дифференциальных параметров, мощности транзистора.
курсовая работа, добавлен 25.08.2021Классификация и система обозначений полупроводниковых диодов: стабилитрон, туннельный, варикап, фотодиод и диод Шотки. Устройство биполярного транзистора, его частотные и усилительные свойства. Статические характеристики полевых транзисторов, их схема.
курсовая работа, добавлен 19.04.2014Исследование характеристик и определение параметров усилителей на полупроводниках. Выбор схемы включения и режима работы каскада на трёхполюсниках. Отличия биполярного и полевого транзистора. Влияние температуры на токи в цепях. Функции обратной связи.
лабораторная работа, добавлен 08.04.2018Концентрация носителей заряда в эмиттере. Принцип действия биполярного транзистора (р-n-р- типа). Статический режим работы транзистора, предотвращение его перегрева. Схема простейшего усилительного каскада на биполярном транзисторе с общим эмиттером.
реферат, добавлен 28.06.2016Топологический расчет транзистора. Расчет геометрических размеров резисторов. Расчет геометрических размеров конденсаторов. Расчет топологии и технологический процесс полупроводникового кристалла. Биполярные микросхемы с изоляцией р-п переходом.
курсовая работа, добавлен 23.03.2010