Властивості напівпровідникових кристалів
Явища переносу в напівпровідниках. Кінетичне рівняння Больцмана. Температурна залежність рухливості носіїв. Ефект Холла в напівпровідниках. Електропровідність в сильних електричних полях. Взаємодія світла з речовиною. Оптичні характеристики кристалів.
Подобные документы
Кристалічні речовини, їх характерні властивості, як: стала температура плавлення, спайність, анізотропія, пружність. Існування рідких кристалів, їх застосування для створення осциляторів для годинників, радіо, телевізорів, електронних ігор, комп’ютерів,
презентация, добавлен 27.02.2020Дослідження електричних, оптичних та фотоелектричних властивостей номінально чистих та легованих ванадієм кристалів Bi12GeO20. закономірності переносу заряду в плівках силікосиленіта. Аналіз придатності моделі легованих компенсованих напівпровідників.
автореферат, добавлен 20.04.2014Дослідження оптичних та нелінійно-оптичних властивостей кристалів ніобату літію та кристалів групи боратів. Вивчення таких НЛО ефектів як генерація вищих оптичних гармонік, генерація сумарної частоти, фотоіндукована генерація другої оптичної гармоніки.
автореферат, добавлен 30.07.2015Фізичні властивості низькорозмірних напівпровідникових гетероструктур. Дослідження морфологічного переходу від двомірного псевдоморфного росту до трьохмірного в InxGa1-xAs/GaAs наноструктурах. Комбінаційне розсіювання світла в InAs/Al(Ga)Sb структурах.
автореферат, добавлен 30.10.2015Поведінка енергетичних рівнів хвильових функцій, оптичні параметри екситонів у подвійних квантових ямах на базі напівмагнітних напівпровідникових сплавів. Використання в якості спінового фільтра системи CdTe з домішками Mn. Розрахунок спінового фільтру.
автореферат, добавлен 24.07.2014Вивчення фононних спектрів. Огляд коливальних характеристик кристалічних систем з істотними порушеннями трансляційної симетрії розташування атомів: кристалів зі складними дефектами, квазінизьковимірних та багатошарових кристалів, мікро- і нанокластерів.
автореферат, добавлен 25.08.2015- 82. Оптичні дослідження інтеркальованих шаруватих кристалів як матеріалів функціональної електроніки
Динаміка зміни спектру поглинання інтеркальованих шаруватих кристалів, вплив на неї структурних змін обумовлених інтеркаляцією та змін анізотропії електронного перемішування інтеркалянт-матриця. Прогнозування немонотонної зміни інтенсивності піку.
статья, добавлен 25.03.2016 Існування у низькосиметричних сегнетоелектриках-напівпровідниках заряджених, нахилених до вектора поляризації, доменних границь. Аналіз кристалічної структури, аномалії діелектричних властивостей, суперіонної провідності, швидкості поширення ультразвуку.
автореферат, добавлен 27.08.2014Закономірності впливу компенсації на електричні оптичні та спектрометричні характеристики ряду бінарних і атомарних напівпровідників. Дослідження сильнолегованих і компенсованих власними дефектами монокристалів CdTe як модель аморфного напівпровідника.
автореферат, добавлен 26.08.2014Дисертаційна робота присвячена дослідженню природи фотолюмінесценції, спектрів поглинання і відбиття, та фотопровідності органічних кристалів і плівок, які складаються з гетероциклічних похідних молекул карбазола, акридона, індола та фенатиазина.
автореферат, добавлен 28.07.2014Побудова функції розподілу атомних зміщень простого ідеального кристалу та зведення її до бінарної функції розподілу з урахуванням кореляцій руху сусідніх атомів. Обчислення вільної енергії, рівняння стану та термодинамічних функцій простих кристалів.
автореферат, добавлен 13.07.2014Встановлення характерних особливостей дефектної структури кристалів, обумовлених істотно нерівноважними умовами їх росту й екстремальними зовнішніми впливами. Математичне моделювання пружних коливань і характеристик діелектричної релаксації кристалів.
автореферат, добавлен 30.08.2014Огляд результатів дослідження оптичних характеристик кристалів ZnS:Mn. Аналіз небезпечних, шкідливих факторів і заходи з охорони праці під час роботи установок кріогенної техніки. Розрахунок системи штучного освітлення при обробці експериментальних даних.
дипломная работа, добавлен 08.02.2016Закономірності впливу всебічного стиснення, електричних полів та катіон-аніонного заміщення на температурну поведінку фізичних властивостей сегнетоелектриків-напівпровідників системи Sn(Pb)2P2S(Se)6. Кристали із неспівмірно-модульованими фазами.
автореферат, добавлен 22.07.2014Розрахунок пропускання світла у напівпровідник в залежності від параметрів поверхневої провідної плівки і статистичних характеристик шорсткостей поверхні. Вплив різних хімічних обробок на оптичні і електронні властивості поверхнево-бар'єрної структури.
автореферат, добавлен 28.09.2015Огляд феноменологічного та експериментального вивчення ефектів параметричної кристалооптики, які виникають під дією статичних неоднорідних механічних полів: тензорний аналіз деформацій кручення, згинання, їх вплив на гіротропні властивості кристалів.
автореферат, добавлен 12.02.2014Програма розрахунку кінетичних коефіцієнтів напівпровідників. Енергетичне положення міжвузлового типу дефектів у забороненій зоні кремнію. Параметри кластерів дефектів, утворених нейтронами, протонами, 50 МеВ електронами в бінарних напівпровідниках.
автореферат, добавлен 28.08.2015Встановлення елементарних механізмів рухливості дислокацій в зоні низьких температур на підставі експериментальних даних. Особливості кристалів з високими бар'єрами Пайєрлса. Властивості низькоенергетичного піка в нормальному та надпровідному ніобії.
автореферат, добавлен 05.01.2014Закономірності транспорту заряду та зміни оптичних характеристик у напівпровідникових матеріалах. Спряжені поліарилени під дією зовнішніх факторів – температури, електричного поля, протонного та акцепторного легування. Спряжені поліарилени у пристроях.
автореферат, добавлен 28.07.2014Розгляд підходу до спектроскопії свинцевих активаторних центрів у лужно-галоїдних кристалах. Опис методики створення монокристалів та дослідження їх люмінесцентно-кінетичних властивостей. Аналіз впливу квантово-розмірного ефекту на властивості кристалів.
автореферат, добавлен 29.04.2014Структура кристалів твердих сполук на основі сульфіду цинку з різноманітними активаторами. Енергетичний спектр фоточутливих парамагнітних центрів у забороненій зоні твердих сполук. Механізм рекомбінації носіїв заряду, що належить видимій області спектра.
автореферат, добавлен 27.02.2014Вивчення впливу термічного відпалу, оточуючої атмосфери, електричного поля та дії опромінення на закономірності емісії електронів з грані (000І) кристалів CdS. Встановлення електрофізичних параметрів структур, отриманих на грані (000І) монокристалів CdS.
автореферат, добавлен 25.08.2014Динаміка заселеності енергетичних рівнів у напівпровідниках під дією електромагнітного випромінювання, вплив часу життя рівнів і механізму релаксації. Розрахунок модуляційних спектрів оптичного поглинання для інтерпретації спектрів п'єзофотопровідності.
автореферат, добавлен 04.03.2014Дослідження непружного розсіяння світла флуктуаціями густини повного кутового моменту носіїв. Вивчення властивостей колективних збуджень вільних носіїв заряду. Виявлення впливу направленої деформації кристала на властивості плазмонів і розсіяння світла.
автореферат, добавлен 22.06.2014Заломлення світла на межі двох середовищ. Досліди із заломлення світла: причини та закони. Мотивація навчальної діяльності. Зміна швидкості світла в разі переходу з одного прозорого середовища в інше. Оптична густина середовища. Деякі оптичні явища.
конспект урока, добавлен 13.02.2013