Електронні процеси у напівпровідниках в умовах фото-Ганн-ефекту
Встановлення закономірностей одночасного впливу лазерного опромінення та гріючого носія заряду електричного поля на електронні процеси та розповсюдження хвиль у напівпровідниках. Побудова теорії фотовідгуку напівпровідника в умовах фото-Ганн-ефекту.
Подобные документы
Розрахунок залежності положення рівня Фермі та концентрації вільних носіїв заряду в високоомному кремнії від дози опромінення нейтронами. Визначення зсуву вольт-амперних характеристик кремнієвих структур та розподіл електричного поля в стрип-детекторах.
автореферат, добавлен 07.01.2014Дослідження впливу магнітодомішкових станів електронів у нормальних металах, напівметалах і вироджених напівпровідниках на властивості спіральних і магнітоплазмових хвиль. Розрахунок характеристик нових типів хвиль: поляризації, спектру і швидкості.
автореферат, добавлен 05.01.2014Формулювання і розвинення методики розв'язання тривимірної задачі динамічної теорії пружності для прямокутного хвилеводу. Дослідження закономірностей розповсюдження нормальних хвиль і особливостей впливу граничних поверхонь на формування хвильового поля.
автореферат, добавлен 28.08.2015Аналітичні вирази для ефективних потенціалів порошинки та розподілів густини заряду в плазмі, використання різних моделей динаміки плазми. Аналіз впливу самоузгодженого заряджання порошинок на розповсюдження поздовжніх хвиль у запорошеній плазмі.
автореферат, добавлен 28.09.2014Встановлення закономірностей процесу утворення атомів та молекул у метастабільних станах при їх взаємодії з електронами та іонами низьких енергій. Дослідження явища ізотопного ефекту при однократній та дисоціативній іонізації молекул електронним ударом.
автореферат, добавлен 22.07.2014Термодинамічні функції електронного газу у сильноанізотропних шаруватих напівпровідниках для моделей залежності енергії від квазіімпульсу. Залежність термодинамічних функцій від параметра перемішування, застосування теорії пружності Дебая в кристалах.
статья, добавлен 29.09.2016Закономірності впливу компенсації на електричні оптичні та спектрометричні характеристики ряду бінарних і атомарних напівпровідників. Дослідження сильнолегованих і компенсованих власними дефектами монокристалів CdTe як модель аморфного напівпровідника.
автореферат, добавлен 26.08.2014Інформація про електронні процеси й взаємодії, які формують нормальну та надпровідну фази в мідно-оксидних високотемпературних надпровідників. Процеси флуктуаційного спарювання та квазічастинкової взаємодії в системах із сильними електронними кореляціями.
автореферат, добавлен 29.09.2014Поняття та властивості пружних хвиль, фізичне обґрунтування та закономірності їх розповсюдження в просторі. Хвилі у різних середовищах і їх дисперсія. Принцип суперпозиції та групова швидкість. Інтерференція хвиль і сутність ефекту Доплера в акустиці.
контрольная работа, добавлен 28.08.2017Виявлення у фотогенерованій електронно-дірковій плазмі поздовжних термодифузійних автосолітонів. Вивчення поведінки і взаємодії. З'ясування механізму утворення доменів сильного поля і осциляцій струму. Дослідження інфрачервоного випромінювання електронів.
автореферат, добавлен 14.07.2015Виявлення природи нових динамічних явищ, індукованих взаємодіями спінових систем локальних і нелокальних центрів у напівпровідниках та низькоомних твердих розчинах. Їх впливу на мікрохвильовий відгук, магнітні та електричні властивості цих матеріалів.
автореферат, добавлен 22.06.2014Явища переносу в напівпровідниках. Кінетичне рівняння Больцмана. Температурна залежність рухливості носіїв. Ефект Холла в напівпровідниках. Електропровідність в сильних електричних полях. Взаємодія світла з речовиною. Оптичні характеристики кристалів.
методичка, добавлен 26.08.2013Кремнієві фотоперетворювачі на основі p-n переходу. Керування рекомбінаційними та транспортними ефектами на межі поділу за допомогою зовнішніх факторів. Вплив газової адсорбції та магнітного поля на процеси струмозбирання в структурах з гетеро шарами.
автореферат, добавлен 27.09.2014Існування у низькосиметричних сегнетоелектриках-напівпровідниках заряджених, нахилених до вектора поляризації, доменних границь. Аналіз кристалічної структури, аномалії діелектричних властивостей, суперіонної провідності, швидкості поширення ультразвуку.
автореферат, добавлен 27.08.2014- 40. Математичні моделі процесів модуляційної нестійкості хвиль в середовищах з кубічною нелінійністю
Створення ефективних математичних моделей та процесів розвитку модуляційної нестійкості хвиль намагніченості у антиферомагнітних обмежувачах потужності. Процеси розповсюдження хвиль великої амплітуди та явища їхньої самомодуляції у антиферомагнетиках.
автореферат, добавлен 17.07.2015 Вплив анізотропії фононної та плазмової підсистем на властивості поверхневих фононних та плазмон-фононних поляритонів у полярних, оптично-анізотропних напівпровідниках ZnO і 6H-SiC. Розщеплення низькочастотної та високочастотної областей прозорості.
автореферат, добавлен 23.02.2014Програма розрахунку кінетичних коефіцієнтів напівпровідників. Енергетичне положення міжвузлового типу дефектів у забороненій зоні кремнію. Параметри кластерів дефектів, утворених нейтронами, протонами, 50 МеВ електронами в бінарних напівпровідниках.
автореферат, добавлен 28.08.2015Дослідження впливу електричного поля. Структуроутворення та релаксаційні властивості гнучколанцюгових полімерів. Вплив теплового тиску фононів на величину внутрішньої енергії пластифікованих систем. Розрахунок межі міцності на стиск композиту в матриці.
автореферат, добавлен 28.07.2014Дослідження критичних випадків одночасного руху електрона в електричному і магнітному полях. Експериментальне визначення питомого заряду електрона методом магнетрона. Обчислення похибки вимірювань. Побудова залежності та встановлення критичного струму.
лабораторная работа, добавлен 16.07.2017Аналіз просторових хвильових процесів в пружних циліндричних тілах скінченних розмірів і розповсюдження хвиль в складених хвилеводних структурах. Оцінка впливу граничних умов на закономірності формування частотного спектра, розповсюдження хвиль.
автореферат, добавлен 15.11.2013Динаміка заселеності енергетичних рівнів у напівпровідниках під дією електромагнітного випромінювання, вплив часу життя рівнів і механізму релаксації. Розрахунок модуляційних спектрів оптичного поглинання для інтерпретації спектрів п'єзофотопровідності.
автореферат, добавлен 04.03.2014Визначення механізму та створення моделі релаксаційних процесів в гетеропереході CdS-Cu2S. Застосування ефекту модуляції струму короткого замикання за допомогою короткохвильового підсвічування поверхні. Побудова характеристичної кривої сенсора зображень.
автореферат, добавлен 24.08.2015Вивчення основних підходів до визначення параметрів глибоких рівнів у напівпровідниках та приладах на їх основі. Розробка автоматизованого релаксаційного спектрометра глибоких рівнів, орієнтованого на дослідження сучасних напівпровідникових приладів.
автореферат, добавлен 21.11.2013Встановлення взаємодії лазерного випромінювання та оптимізації режимів і умов лазерного опромінення для ціленапрямленої модифікації. Дослідження впливу променів на поверхневі функціональні групи та зміна електронної підсистеми різної модифікації.
автореферат, добавлен 28.08.2015- 50. Вплив лазерного опромінення на поведінку домішок і дефектів у Ві-заміщених ферит-ґранатових плівках
Дослідження та характеристика впливу лазерного опромінення на структуру неімплантованих ферит-ґранатових плівок. Виявлення змін дефектності з товщиною порушеного шару плівки-підкладки за допомогою рентґенодифрактометричних експериментальних досліджень.
автореферат, добавлен 28.07.2014