Физические основы полупроводников
Основы теории электропроводности полупроводников. Дрейфовый, диффузионный ток. Контактные явления. Электронно-дырочный переход в состоянии равновесия. Полупроводниковые диоды, стабилитроны и стабисторы. Анализ принципа действия биполярного транзистора.
Подобные документы
Проведение исследования характеристик фотодиода: вольт-амперной характеристики, коэффициента полезного действия. Физические основы внутреннего фотоэффекта. Применение фотодиода в оптоэлектронике. Фотоэлектрические явления в полупроводниках и диэлектриках.
реферат, добавлен 15.03.2021Системы малосигнальных параметров биполярного транзистора. Входная, выходная и переходная статическая характеристика для схемы. Рабочая точка транзистора и его усилительные свойства. Порядок включения данного устройства, принцип его работы и структура.
лекция, добавлен 10.03.2016Взаимодействие заряженных тел. Сущность закона Кулона. Понятие напряженности электрического поля. Расчет количества теплоты на проводнике с сопротивлением. Вольтамперная характеристика диода. Классификационные признаки проводимости полупроводников.
краткое изложение, добавлен 14.11.2010Графические зависимости напряжения и тока входной цепи (входные вольт-амперные характеристики) и выходной цепи (выходные или коллекторные вольт-амперные характеристики). Эмиттерный переход транзистора. Эквивалентная схема биполярного транзистора.
контрольная работа, добавлен 30.11.2016Физические свойства жидкостей. Основы гидростатики, кинематики и динамики жидкости. Гидравлический удар в трубах, классификация трубопроводов. Основы теории подобия, моделирования, анализа размерностей, движения грунтовых вод и двухфазных потоков.
учебное пособие, добавлен 05.10.2014Движение электронов в вакууме в режиме объемного заряда. Особенности электронной оптики и электронно-лучевых приборов. Элементарные процессы в плазме и газе. Физические основы полупроводниковых приборов. Основы квантовой и оптической электроники.
учебное пособие, добавлен 27.02.2012Характеристика элементарных и первичных механических преобразователей. Особенность нахождения рычага в состоянии равновесия при отсутствии входного сигнала. Различия жесткости пружин различного назначения. Анализ принципа действия пружинного манометра.
реферат, добавлен 10.10.2019Основные физические процессы, лежащие в основе работы полевого транзистора с управляющим электронно-дырочным переходом. Расчет выходного дифференциального сопротивления. Особенности использования полевых и биполярных транзисторов разных диапазонов частот.
лабораторная работа, добавлен 27.06.2015Физические основы принципа действия расходомера: скорость, сила, движение жидкости, расход. Особенности структурной схемы аппарата и измерения массового расхода. Конструкции трубок и принцип действия, особенности применения, рекомендации по установке.
реферат, добавлен 21.02.2011Свойства полупроводников, характеристика аномального и квантового эффектов Холла. Гальваномагнитные явления в монокристаллах и их применение. Сущность магнетосопротивления и история открытия эффекта Томсона. Понятие термогальваномагнитных эффектов.
курсовая работа, добавлен 13.04.2012Ток как направленное движение заряженных частиц, его сила, вектор плотности. Электродвижущая сила, правила Кирхгофа. Закон Ома для замкнутого проводника или для электрической цепи. Электропроводность металлов и полупроводников, термоэлектрические явления.
реферат, добавлен 21.10.2013Возникновение мощных диффузионных потоков носителей заряда в момент образования контакта. Контактная разность потенциалов р-n-перехода. Оценка плотности тока неосновных носителей заряда. Дифференциальное сопротивление обратно смещенного р-n-перехода.
статья, добавлен 04.12.2018Понятие о квантовой теории. Рассмотрение классической теории электропроводности металлов, её характеристика. Закон Ома в квантовой теории электропроводности металлов. Основные выводы теории. Выявление зависимости области pазмытия от темпеpатуpы.
реферат, добавлен 10.11.2014Знакомство с входными и выходными характеристиками транзистора. Анализ причин роста тока эмиттера. Особенности транзисторов, работающих при высокой плотности тока. Основные причины роста коллекторного напряжения. Этапы расчета транзисторных схем.
реферат, добавлен 21.07.2013Решение задач по кинематике, динамике, законам сохранения. Основы молекулярной физики и термодинамики, молекулярно-кинетической теории. Понятие электрического и магнитного полей, суть явления электромагнитной индукции. Основы теории относительности.
учебное пособие, добавлен 23.12.2010Анализ физических принципов работы транзистора. Характеристики энергетической диаграммы для одномерной модели в состоянии равновесия. Выбор концентрации примеси в эпитаксиальном слое коллектора. Расчет удельных сопротивлений базового и эмиттерного слоёв.
дипломная работа, добавлен 24.12.2011Появление носителей заряда в полупроводниках. Термоэлектрические явления в полупроводниках, эффект Холла. Перераспределение основных носителей заряда в полупроводнике. Эффект Пельтье и эффект Томпсона. Изготовление термоэлементов охлаждающих устройств.
отчет по практике, добавлен 04.10.2019Внутреннее устройство и принцип действия биполярного транзистора, его функциональные особенности и сферы практического использования. Схемы включения и перспективы дальнейшего развития. Статические характеристики транзисторов с индуцированным каналом.
контрольная работа, добавлен 21.03.2016Понятие электропроводности, ее значение при взаимодействии металлов с электромагнитным полем. Сущность закона Ома. Уравнение энергетического баланса процесса электропроводности в металлах. Деформационная поляризация под действием электрического тока.
реферат, добавлен 03.11.2012Большая продолжительность воздействия электрического поля на жидкий диэлектрик. Величинп напряжения, при котором происходит пробой диэлектрика. Влияние электрического поля на электропроводность полупроводников. Магнитные потери, причины их возникновения.
контрольная работа, добавлен 06.01.2016Принцип действия биполярного транзистора. Процесс рассмотрения составляющих тока п-р-п типа. Необходимость использования усилителей по напряжению. Выходные характеристики ВАХ на коллекторе. Сущность режима насыщения, его основные задачи, принцип расчета.
лекция, добавлен 29.10.2013Рассмотрение биполярного транзистора как основы элементов биполярных интегральных схем. Изучение преимуществ и недостатков конструктивно-технологических вариантов изготовления интегральных схем с диэлектрической и с комбинированной изоляцией элементов.
учебное пособие, добавлен 08.09.2015Классификация опор (реакции связей). Изучение условий равновесия статически определимых систем. Определение скорости и ускорения точки. Определение скоростей точек плоской фигуры, совершающей плоскопараллельное движение. Основы теории механизмов и машин.
курс лекций, добавлен 08.01.2018Характеристика принципов наименьшего и стационарного действия. Анализ особенностей принципа наименьшего действия в классической механике, в квантовой теории поля. Характеристика классической механики Ньютона. Описание уравнения теории относительности.
реферат, добавлен 10.04.2018Определение мощности рассеиваемой на транзисторе. Расчет выходного сопротивления коллектора. Частотные параметры транзистора и график зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты. Приращение напряжения на затворе электрической схемы.
контрольная работа, добавлен 16.03.2017