Разработка и создание установки одноосного сжатия и исследования состояния кластеров примесных атомов марганца при одноосном сжатии
Влияние всестороннего давления на свойства полупроводниковых материалов и на состояния примесных атомов в кремнии. Выбор методики получения высоких давлений при низких температурах. Изучение методов измерения фоточувствительности и магнетосопротивления.
Подобные документы
Изучение физических процессов, возникающих в структурах металл-диэлектрик-полупроводник при деформации. Разработка полупроводниковых тензопреобразователей с улучшенными метрологическими характеристиками для систем неразрушающего контроля НДС материалов.
автореферат, добавлен 01.09.2018Методы измерений биполярных транзисторов. Влияние температуры и частоты на свойства транзисторов и полупроводниковых приборов. Обоснование алгоритма экстракции SPICE-параметров модели. Разработка интерфейса и вычислительного ядра программного модуля.
магистерская работа, добавлен 01.12.2019Учение о строении атомов и молекул. Сведения о полиморфных превращениях углерода, о наноуглеродных трубках и способах их получения. Свойства растворов неэлектролитов и электролитов. Физико-химические свойства металлов, полупроводников и диэлектриков.
учебное пособие, добавлен 19.08.2017Свойства и виды (простые и сложные) полупроводниковых материалов. Основные методы промышленного получения монокристаллов соединений: метод Чохральского, направленная кристаллизация. Классификация и общая характеристика полупроводниковых соединений.
доклад, добавлен 15.10.2011Установки для получения высоких переменных напряжений. Испытания изоляции высоковольтного электрооборудования. Наиболее широко применяемые электростатические вольтметры. Изучение распределения напряжения по элементам гирлянды подвесных изоляторов.
реферат, добавлен 08.04.2017История, методики и устройства исследования офтальмотонуса, своевременная диагностика развития нарушений работы зрительного аппарата. Тонометрия, эластотонометрия, тонография; принципы работы приборов инструментального измерения внутриглазного давления.
реферат, добавлен 08.11.2012Методика исследования вольтамперных характеристик диодов. Анализ результатов измерения стабилитрона. Типовые схемы включения полупроводниковых диодов и области их применения. Порядок определения параметров исследованных полупроводниковых приборов.
лабораторная работа, добавлен 22.05.2022Разработка структурной схемы системы контроля физического состояния водителя. Основной выбор автономного источника питания. Избрание датчиков температуры и давления. Основные технические характеристики микроконтроллера. Подбор модуля беспроводной связи.
курсовая работа, добавлен 22.02.2019Понятие отказа и неполадок. Обзор неразрушающих методов испытания элементов РЭА. Прогнозирование надежности ППП по уровню собственных шумов. Методы измерения НЧ шумов. Автоматизация измерения НЧ шумов полупроводниковых приборов и интегральных схем.
реферат, добавлен 15.08.2011Создание учебной автоматизированной экспериментальной установки для измерения вольтамперной характеристики фотодиода при различной освещенности. Разработка программного обеспечения, управляющего данной установкой при помощи платы сбора данных NVL-08.
курсовая работа, добавлен 20.04.2013Определение величины сопротивления ограничительного резистора. Расчет напряжения холостого хода перехода диода. Температурная зависимость удельной проводимости примесного полупроводника. Рассмотрение структуры и принципа работы диодного тиристора.
контрольная работа, добавлен 26.09.2017Разработка прибора для неинвазивного измерения мгновенных значений давления крови на стенки сосудов и пульсовой волны. Функциональное назначение и реализация устройства. Описание микроконтроллерной части компьютерного прибора, графики измерения давления.
статья, добавлен 25.12.2016Разработка структурной схемы системы управления измерителем влажности и давления, выбор элементной базы, микроконтроллера, датчика давления и влажности. Выбор индикатора и контроллера ЖК-экрана. Проектирование алгоритма работы и разработка программы.
курсовая работа, добавлен 13.11.2014Влияние внешних, внутренних факторов на метрологические характеристики полупроводниковых измерительных преобразователей с интегрированным чувствительным элементом. Разработка алгоритмических методов уменьшения погрешностей измерительных преобразователей.
автореферат, добавлен 10.12.2013Выбор и обоснование применяемых материалов и компонентов конструкции. Конструктивный расчет терморезистора и термонезависимого сопротивления. Разработка топологии кристалла. Разработка технологического процесса изготовления чувствительных элементов.
курсовая работа, добавлен 21.10.2012Классификация интегральных тензопреобразователей давления. Изучение технологических этапов изготовления интегральных тензопреобразователей. Принципы размещения тензорезисторов на мембранах полупроводниковых интегральных тензопреобразователей давления.
курсовая работа, добавлен 30.07.2015Характеристика конструкции узлов системы поверки, тестирования и настройки средств измерения давления. Разработка принципов и алгоритма ее функционирования на основе использования эталонного датчика давления МИДА-15-Э с цифровым интерфейсом обмена.
статья, добавлен 30.09.2020Исследование специфики воздействий высокоширотной ионосферы на условия распространения декаметровых радиоволн в приполярных областях. Выбор аппаратуры для наклонного зондирования ионосферы. Создание каналов для передачи, приема и обработки информации.
автореферат, добавлен 15.04.2018Виды измеряемых давлений и манометров. Выбор чувствительного элемента датчика давления (мембрана). Расчет толщины металлизации электродов емкостных датчиков, толщины слоя диффузии и жесткости, обеспечиваемой электростатическими силами цепи обратной связи.
курсовая работа, добавлен 24.05.2014Анализ современных методов контроля уровня жидкости и сыпучих материалов. Основные задачи измерения уровня. Принцип работы уровнемеров. Классификация и анализ методов измерения уровня. Анализ характеристик современных средств и различных систем контроля.
реферат, добавлен 12.10.2019Понятие криоэлектроники, которая изучает особенности поведения радиоэлектронных компонентов и материалов при очень низких температурах. Перспективы применения структур на основе контактов сверхпроводников с полупроводниками в криогенной микроэлектронике.
реферат, добавлен 29.09.2012Физические основы полупроводниковых приборов. Строение полупроводниковых материалов. Понятие дырочной проводимости. Характеристика основных носителей заряда. Причины появления электрического тока в полупроводнике. Влияние примесной электропроводности.
презентация, добавлен 31.10.2020Создание новых типов полупроводниковых приборов, их функции. Разработка, моделирование и экспериментальное исследование нового интегрального позиционно-чувствительного полупроводникового фотоприемника с отрицательной дифференциальной проводимостью.
автореферат, добавлен 14.04.2018Строительство волоконно-оптических линий передачи. Прокладка оптических кабелей в грунт, в каналы кабельной канализации и полимерные трубопроводы, подвеска на опорах линий высокого напряжения, на опорах контактной сети электрифицированных железных дорог.
автореферат, добавлен 08.08.2013Сжатие методом кодирования длин повторений. Установление связи между пунктами сети IP-телефонии. Определение состояния оборудования. Опрос текущего состояния. Эффективность сжатия изображений большего размера и содержащих повторяющиеся элементы.
контрольная работа, добавлен 11.03.2017