Туннельные диоды

Изготовление туннельного диода из германия или арсенида галлия с высокой концентрацией примеси. Электронно-дырочный переход в вырожденном полупроводнике. Диффузионное перемещение. Туннельный переход электронов с энергией меньшей потенциального барьера.

Подобные документы

  • Генерация рентгеновских и гамма лучей за счет томсоновского рассеяния. Показано, что в такой схеме при использовании современных лазеров возможна генерация аттосекундных рентгеновских и гамма пучков с максимальной энергией в единицы МэВ и высокой яркостью

    статья, добавлен 03.11.2018

  • Сравнение двоичного и троичного аналого-цифрового преобразователя. Описание метода кодировки цветов с помощью троичной логики на основе многоканального объемного органического RGB диода, позволяющего выполнять несколько троичных операций одновременно.

    статья, добавлен 02.04.2019

  • Преобразование энергии в зоне действия пучка. Объяснение принципа работы электронно-лучевого испарителя, отражение некоторых аспектов, которые необходимо учитывать при конструировании электронно-лучевого испарителя и расчет траектории электронного пучка.

    статья, добавлен 18.01.2021

  • Моделирование вольт-амперных характеристик диода Шоттки на карбиде кремния 4H-SiC c контактом Шоттки из титана (Ti), с использованием программы TCAD. Максимальная напряженность электрического поля для карбида кремния, график обратной характеристики.

    статья, добавлен 03.11.2018

  • Суть электрического тока. Функция распределения Ферми-Дирака. Электропроводность в металлах, диэлектриках и полупроводниках. Зависимость концентрации электронов от энергии. Эффективная плотность состояний в валентной зоне. Рекомбинация электронов и дырок.

    лекция, добавлен 26.10.2013

  • Взаимодействие движущихся электронов с электрическим полем как основной процесс во всех электронных приборах. Характеристика движения электронов в вакууме в электрическом и магнитном полях, в ускоряющем и тормозящем поле, и в однородном поперечном поле.

    контрольная работа, добавлен 18.04.2015

  • Принцип работы P-N перехода в полупроводниковых приборах, как слоя с пониженной электропроводностью, образующийся на границе областей с электронной и дырочной проводимостью в единой структуре при диффузии доноров или акцепторов. Зонные диаграммы.

    контрольная работа, добавлен 18.08.2010

  • Особенности донорных полупроводников, процесс образования свободного электрона. Характеристика и специфика энергетических уровней примесей, сущность электрического поля и причины его возникновения. Описание движения неосновных носителей зарядов.

    реферат, добавлен 08.06.2016

  • Возникновение ЭВМ на радиолампах. Исследование влияния полупроводниковых диодов. Переход от точечной и сплавной технологий создания транзисторов к диффузионной. Сущность процесса фотолитографии. Этапы изготовления микросхемы. Интенсивность ее отказов.

    лекция, добавлен 01.09.2013

  • История открытия сверхпроводимости, ее физические основы. Джозефсоновский переход, сверхчувствительные приемники. СКВИД-датчик. Сверхчувствительные магнитометры. Сканирование слабонамагниченных объектов. Радиоэлементы на основе сверхпроводящих пленок.

    реферат, добавлен 12.09.2019

  • Понятие полевого транзистора, его типы и способы управления. Особенности работы системы и зависимости основных показателей. Входные и выходные характеристики и схема ключа на приборе с p-n переходом и каналом n-типа. Сущность изолированного затвора.

    реферат, добавлен 01.05.2009

  • История развития телефонии. Переход от аналогового сигнала к цифровому. Концепция передачи голоса по сети с помощью персонального компьютера. Применение мультиплексирования каналов. Методы устранения взаимного влияния подканалов и ошибок кодирования.

    контрольная работа, добавлен 18.06.2014

  • Фотоприемник, в котором повышение квантовой эффективности реализуется за счет внутреннего усиления в обратносмещенном p-n переходе. Материал и особенности конструкции фотодиодов. Принцип действия лавинного и р-i-n фотодиодов как широкополосных приемников.

    презентация, добавлен 02.02.2021

  • Приборы непосредственной оценки и приборы сравнения. Принцип действия электронно-счетных частотомеров. Подсчет количества импульсов, сформированных входными цепями из периодического сигнала произвольной формы. Аналоговые стрелочные частотомеры.

    курсовая работа, добавлен 02.12.2010

  • Использование электронно-лучевой технологии для процессов нанесения тонкопленочных слоев. Исследование особенностей современных полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Схема применения электронно-лучевого нагрева при вакуумном напылении.

    контрольная работа, добавлен 26.05.2012

  • Анализ аутентификации абонентов. Защита PIN кодом и установление подлинности в сети GSM. Рассмотрение алгоритмов шифрования. Исследование принципов атак на сетевой трафик. Применение методов криптозащиты данных. Переход на стандарты CDMA и UMTS.

    реферат, добавлен 15.06.2016

  • Изучение активных полупроводниковых приборов, управляемых электрическим полем. История создания полевых транзисторов и их классификация. Исследование приборов с управляющим p-n-переходом и изолированным затвором. Схемы включения и область применения.

    реферат, добавлен 14.05.2015

  • Постановка задачи синтеза электрического фильтра, основные требования к нему, принцип работы, преимущества и недостатки использования. Переход к фильтру низких частот и нормирование частот. Расчет и построение денормированных частотных характеристик.

    курсовая работа, добавлен 08.09.2013

  • Метод вычисления статических характеристик джозефсоновского перехода, взаимодействующего с внешней электромагнитной резонансной системой. Компьютерная программа, реализующая алгоритм решения стохастических дифференциальных уравнений с помощью формулы Ито.

    статья, добавлен 03.11.2018

  • Структурная теория автоматов, изучающая общие приёмы построения структурных схем на основе элементарных автоматов. Порядок работы абстрактного автомата. Условия преобразования информации в детерминированных автоматах. Матрица переходов RS-триггера.

    реферат, добавлен 15.12.2019

  • Разработка методов построения аппаратуры цифровой обработки сигналов для радиолокационных станций (РЛС) обзорного типа. Получение стабильных характеристик РЛС в широком диапазоне условий эксплуатации. Переход к программируемым цифровым устройствам.

    статья, добавлен 26.04.2014

  • Классификация изделий электронно-оптической техники по конструктивно-технологическим признакам. Пленочные элементы, конденсаторы и резисторы. Формирование легированных слоев, герметизация кристаллов. Основные методы производства волоконных световодов.

    учебное пособие, добавлен 25.06.2013

  • Политическая и экономическая ситуация в России в начале 20-х годов. Реформы как необходимость преодоления последствий Гражданской войны и разрухи. Переход к новой экономической политике. Обострение мирового кризиса, начало Второй мировой войны.

    реферат, добавлен 14.05.2009

  • Электронно-лучевой осциллограф – прибор, который предназначен для исследования формы и измерения амплитудных и временных параметров электрических сигналов. Изучение его структурной схемы и принципа действия. Проведение осциллографических измерений.

    лабораторная работа, добавлен 27.09.2021

  • Рассмотрение видов датчиков, применяющихся для измерения угловых перемещений. Проведение анализа влияния внешних факторов, таких как солнечный свет. Разработка макета датчика, позволяющего измерять угловое перемещение; его математическое моделирование.

    дипломная работа, добавлен 01.12.2019

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.