Твердотельная электроника
Обсуждение физических принципов и параметров работы твердотельных полупроводниковых приборов, использующих как явление инжекции носителей через p-n-переходы, так и явления, связанные с эффектом поля. Физика поверхности полупроводников и МДП-структур.
Подобные документы
Создание криоэлектронных информационно-измерительных приборов на основе высокотемпературных сверхпроводников. Разработка технологии формирования многокомпонентных пленок и слоистых структур, используемых в ВТСП с учетом свойств исходных материалов.
автореферат, добавлен 27.03.2018- 102. Методика измерения параметров объектов телекоммуникаций на основе технологии виртуальных приборов
Анализ методики измерения параметров объектов телекоммуникаций ОТК на основе технологии виртуальных приборов которая опирается на методику выполнения прямых измерений с многократными независимыми наблюдениями и основные положения обработки результатов.
статья, добавлен 15.08.2020 Изучение проблем, связанных с видеоматериалами на магнитной ленте. Ретроспектива профессиональных ручных видеокамер. Понятие твердотельных накопителей; их интеграция в аналоговые камеры. Технико-экономические преимущества новой технологии видеозаписи.
дипломная работа, добавлен 26.05.2018Особенности систематизации силовых полупроводниковых преобразователей. Назначение, область применения, состав и классификация судовых полупроводниковых преобразователей. Характеристика и влияние полупроводниковых преобразователей на судовую сеть.
курс лекций, добавлен 08.04.2016Виды и принцип работы и режимы биполярных транзисторов. Конкретизация применения полупроводниковых материалов в современной электронике. Рассмотрение ключевых параметров и характеристик биполярных транзисторов, их функций в схемах усиления и коммутации.
презентация, добавлен 25.03.2024Вольт-амперная характеристика кремниевого диода. Иллюстрация графического метода определения тока через диод и напряжения на нем. Условное графическое обозначение стабилитрона - диода, сконструированного для работы в режиме электрического пробоя.
учебное пособие, добавлен 26.05.2014Изучение конструкции и принципов работы полупроводниковых туннельных и обращенных диодов. Предельно допустимые значения токов, напряжений и мощностей в цепях отдельных электродов прибора. Определение дифференциального сопротивления туннельного диода.
лабораторная работа, добавлен 28.06.2015Обзор различных типов датчиков, их классификация, описание принципов работы и области их применения. Фундаментальные явления, лежащие в основе работы оптических химических сенсоров. Применение интегральных оптических датчиков в микроэлектронике.
статья, добавлен 07.11.2018Значение физической величины и ее измерение. Группы мер и измерительных приборов. Погрешности прямых многократных измерений. Основные положения метрологического обеспечения. Классификация электрорадиоизмерительных приборов. Измерение тока и напряжения.
курс лекций, добавлен 06.02.2014Режимы работы МДП-структуры. Свойства и особенности режимов работы приборов с зарядовой связью. Устройство ПЗС с поверхностным каналом передачи. Образование скрытого канала переноса заряда. Основные схемы ПЗС-матриц. Сфера применения сенсора Super CCD.
реферат, добавлен 29.08.2015Результаты строгого численного решения двухмерной задачи рассеяния поля цилиндрической волны идеальной линзой Веселаго конечных размеров. Расчет продольной и поперечной структуры поля в области фокуса линзы. Изменение амплитуды поля на поверхности линзы.
статья, добавлен 04.11.2018Расчет температурной зависимости концентрации равновесных носителей заряда и уровня Ферми в собственном полупроводнике. Особенности нахождения высоты потенциального барьера равновесного р-n перехода. Вычисление коэффициента диффузии для электронов, дырок.
курсовая работа, добавлен 13.11.2013Основные свойства полупроводников, распространённость в природе, применение. Механизм проведения электрического тока полупроводниками. Собственная и примесная фотопроводимости. Взаимодействие излучения с полупроводником. Использование в оптоэлектронике.
реферат, добавлен 13.01.2014Методика расчёта дискретного биполярного транзистора с использованием пакета программ MathCad. Расчёт параметров биполярного транзистора с учётом эффектов высокого уровня легирования, инжекции и Кирка. Выбор топологии кристалла. Проверка базы на прокол.
учебное пособие, добавлен 29.10.2013- 115. Цифровые видеокамеры
Понятие и классификация цифровых видеокамер. Характеристика и проблемы камер, использующие ПЗС-матрицы. Характеристика и преимущество цифровых видеокамер, использующих КМОП-матрицу. Преимущества и недостатки носителей кассеты miniDV, DVD, жёсткого диска.
презентация, добавлен 12.11.2015 - 116. Оценка частоты гармонических сигналов на основе анализа амплитудно-частотной характеристики процесса
Оценки параметров входных сигналов. Характеристики дискретного преобразования Фурье. Иллюстрация параметров, связанных с эффектом просачивания. Алгоритм обнаружения гармонических составляющих. Сравнение спектральных окон, имитационное моделирование.
статья, добавлен 30.09.2012 Анализ работы однофазного источника питания, определение коэффициента полезного действия, расчет стабилизаторов выходного напряжения и выбор элементов микросхемы. Характеристика параметров трансформатора и выпрямителя на полупроводниковых диодах.
курсовая работа, добавлен 09.11.2014Арсенид галлия как полупроводниковый материал. Расчет собственной концентрации носителей заряда. Определение концентрации основных и неосновных носителей заряда. Расчет проводимости и величины токов. Построение энергии Ферми от концентрации примеси.
курсовая работа, добавлен 11.03.2020Ознакомление с принципами устройства полупроводниковой электроники. Классификация и особенности применения аналоговых, импульсных и цифровых устройств. Специфика технологических этапов проектирования радиоэлектронных средств коммуникации и связи.
учебное пособие, добавлен 17.12.2013Рассмотрение основных способов определения дифференциального сопротивления RCT стабилитрона. Общая характеристика особенностей полупроводниковых приборов. Знакомство с формулой, по которой рассчитывается дифференциальное сопротивление стабилитрона.
контрольная работа, добавлен 13.01.2020Физические процессы в базе дрейфового транзистора при низком уровне инжекции. Влияние неравномерного распределения примесей в базе на концентрацию и движение электронов. Определение параметров аппроксимации электрического заряда. Скорость передачи тока.
реферат, добавлен 21.03.2015Типы носителей аналоговой фонограммы. Характерные особенности устройств механической записи-воспроизведения аналоговых фонограмм. Значения параметров механической записи на грампластинки. Ранг шумов и помех, которые вносят искажения в аудиофрагмент.
статья, добавлен 30.07.2016Основные физические явления, используемые в квантовых приборах. Населенности энергетических уровней при термодинамическом равновесии. Переходы микрочастиц между энергетическими уровнями. Квантовые парамагнитные усилители. Квантовые стандарты частоты.
учебное пособие, добавлен 10.12.2013Обзор информативных параметров ЭП. Способы измерения состава и структуры материалов. Термоэлектрическая обработка информации. Исследование конструктивных параметров преобразователя. Принцип действия трибоэлектрических и электростатических приборов.
реферат, добавлен 07.11.2013Возникновение и основные этапы развития электроники как науки о взаимодействии заряженных частиц с электромагнитными полями и о методах создания электронных приборов и устройств, используемых в основном для передачи, обработки и хранения информации.
контрольная работа, добавлен 18.08.2010