Твердотельная электроника
Обсуждение физических принципов и параметров работы твердотельных полупроводниковых приборов, использующих как явление инжекции носителей через p-n-переходы, так и явления, связанные с эффектом поля. Физика поверхности полупроводников и МДП-структур.
Подобные документы
Способы обнаружения загрязнителей атмосферного воздуха. Разработка мультисенсорных систем типа "электронный нос". Исследования газоадсорбционных характеристик процесса сорбции. Преимущества применения твердотельных сенсоров для анализа концентрации газов.
статья, добавлен 30.07.2017Создание криоэлектронных информационно-измерительных приборов на основе высокотемпературных сверхпроводников. Разработка технологии формирования многокомпонентных пленок и слоистых структур, используемых в ВТСП с учетом свойств исходных материалов.
автореферат, добавлен 27.03.2018- 103. Методика измерения параметров объектов телекоммуникаций на основе технологии виртуальных приборов
Анализ методики измерения параметров объектов телекоммуникаций ОТК на основе технологии виртуальных приборов которая опирается на методику выполнения прямых измерений с многократными независимыми наблюдениями и основные положения обработки результатов.
статья, добавлен 15.08.2020 Изучение проблем, связанных с видеоматериалами на магнитной ленте. Ретроспектива профессиональных ручных видеокамер. Понятие твердотельных накопителей; их интеграция в аналоговые камеры. Технико-экономические преимущества новой технологии видеозаписи.
дипломная работа, добавлен 26.05.2018Особенности систематизации силовых полупроводниковых преобразователей. Назначение, область применения, состав и классификация судовых полупроводниковых преобразователей. Характеристика и влияние полупроводниковых преобразователей на судовую сеть.
курс лекций, добавлен 08.04.2016Виды и принцип работы и режимы биполярных транзисторов. Конкретизация применения полупроводниковых материалов в современной электронике. Рассмотрение ключевых параметров и характеристик биполярных транзисторов, их функций в схемах усиления и коммутации.
презентация, добавлен 25.03.2024Вольт-амперная характеристика кремниевого диода. Иллюстрация графического метода определения тока через диод и напряжения на нем. Условное графическое обозначение стабилитрона - диода, сконструированного для работы в режиме электрического пробоя.
учебное пособие, добавлен 26.05.2014Изучение конструкции и принципов работы полупроводниковых туннельных и обращенных диодов. Предельно допустимые значения токов, напряжений и мощностей в цепях отдельных электродов прибора. Определение дифференциального сопротивления туннельного диода.
лабораторная работа, добавлен 28.06.2015Обзор различных типов датчиков, их классификация, описание принципов работы и области их применения. Фундаментальные явления, лежащие в основе работы оптических химических сенсоров. Применение интегральных оптических датчиков в микроэлектронике.
статья, добавлен 07.11.2018Значение физической величины и ее измерение. Группы мер и измерительных приборов. Погрешности прямых многократных измерений. Основные положения метрологического обеспечения. Классификация электрорадиоизмерительных приборов. Измерение тока и напряжения.
курс лекций, добавлен 06.02.2014Режимы работы МДП-структуры. Свойства и особенности режимов работы приборов с зарядовой связью. Устройство ПЗС с поверхностным каналом передачи. Образование скрытого канала переноса заряда. Основные схемы ПЗС-матриц. Сфера применения сенсора Super CCD.
реферат, добавлен 29.08.2015Результаты строгого численного решения двухмерной задачи рассеяния поля цилиндрической волны идеальной линзой Веселаго конечных размеров. Расчет продольной и поперечной структуры поля в области фокуса линзы. Изменение амплитуды поля на поверхности линзы.
статья, добавлен 04.11.2018Расчет температурной зависимости концентрации равновесных носителей заряда и уровня Ферми в собственном полупроводнике. Особенности нахождения высоты потенциального барьера равновесного р-n перехода. Вычисление коэффициента диффузии для электронов, дырок.
курсовая работа, добавлен 13.11.2013Основные свойства полупроводников, распространённость в природе, применение. Механизм проведения электрического тока полупроводниками. Собственная и примесная фотопроводимости. Взаимодействие излучения с полупроводником. Использование в оптоэлектронике.
реферат, добавлен 13.01.2014Методика расчёта дискретного биполярного транзистора с использованием пакета программ MathCad. Расчёт параметров биполярного транзистора с учётом эффектов высокого уровня легирования, инжекции и Кирка. Выбор топологии кристалла. Проверка базы на прокол.
учебное пособие, добавлен 29.10.2013- 116. Цифровые видеокамеры
Понятие и классификация цифровых видеокамер. Характеристика и проблемы камер, использующие ПЗС-матрицы. Характеристика и преимущество цифровых видеокамер, использующих КМОП-матрицу. Преимущества и недостатки носителей кассеты miniDV, DVD, жёсткого диска.
презентация, добавлен 12.11.2015 - 117. Оценка частоты гармонических сигналов на основе анализа амплитудно-частотной характеристики процесса
Оценки параметров входных сигналов. Характеристики дискретного преобразования Фурье. Иллюстрация параметров, связанных с эффектом просачивания. Алгоритм обнаружения гармонических составляющих. Сравнение спектральных окон, имитационное моделирование.
статья, добавлен 30.09.2012 Анализ работы однофазного источника питания, определение коэффициента полезного действия, расчет стабилизаторов выходного напряжения и выбор элементов микросхемы. Характеристика параметров трансформатора и выпрямителя на полупроводниковых диодах.
курсовая работа, добавлен 09.11.2014Арсенид галлия как полупроводниковый материал. Расчет собственной концентрации носителей заряда. Определение концентрации основных и неосновных носителей заряда. Расчет проводимости и величины токов. Построение энергии Ферми от концентрации примеси.
курсовая работа, добавлен 11.03.2020Ознакомление с принципами устройства полупроводниковой электроники. Классификация и особенности применения аналоговых, импульсных и цифровых устройств. Специфика технологических этапов проектирования радиоэлектронных средств коммуникации и связи.
учебное пособие, добавлен 17.12.2013Рассмотрение основных способов определения дифференциального сопротивления RCT стабилитрона. Общая характеристика особенностей полупроводниковых приборов. Знакомство с формулой, по которой рассчитывается дифференциальное сопротивление стабилитрона.
контрольная работа, добавлен 13.01.2020Физические процессы в базе дрейфового транзистора при низком уровне инжекции. Влияние неравномерного распределения примесей в базе на концентрацию и движение электронов. Определение параметров аппроксимации электрического заряда. Скорость передачи тока.
реферат, добавлен 21.03.2015Типы носителей аналоговой фонограммы. Характерные особенности устройств механической записи-воспроизведения аналоговых фонограмм. Значения параметров механической записи на грампластинки. Ранг шумов и помех, которые вносят искажения в аудиофрагмент.
статья, добавлен 30.07.2016Основные физические явления, используемые в квантовых приборах. Населенности энергетических уровней при термодинамическом равновесии. Переходы микрочастиц между энергетическими уровнями. Квантовые парамагнитные усилители. Квантовые стандарты частоты.
учебное пособие, добавлен 10.12.2013Обзор информативных параметров ЭП. Способы измерения состава и структуры материалов. Термоэлектрическая обработка информации. Исследование конструктивных параметров преобразователя. Принцип действия трибоэлектрических и электростатических приборов.
реферат, добавлен 07.11.2013