Микропроцессоры. Транзисторы Intel Silicon Debug
Микропроцессоры как основа современной компьютерной техники. Экспансия и следствия закона Мура. Транзисторы, их основные виды. Отладка кристаллов микросхем, их бесконтактная диагностика, анализ структур и электрические испытания. Кремниевая нанохирургия.
Подобные документы
Сущность способов контроля и диагностика радиоэлектронной аппаратуры. Выявление технологических операций регулировки и настройки. Описание и отличительные черты испытаний радиоэлектронной аппаратуры. Способы поиска неисправностей, ремонт и отладка плат.
статья, добавлен 15.11.2018Информация и ее свойства. Архитектура информационно-вычислительных систем. Выбор и подключение ПК к электросети. Программное обеспечение компьютера. Микропроцессоры и системные платы. Системы и каналы передачи данных. Телефонная и радиотелефонная связь.
учебное пособие, добавлен 02.12.2013Конструкция полевых транзисторов с р-п переходом. Определение коэффициента усиления усилителя. Переходная и выходная характеристики полупроводника (кремний, германий) р-типа электропроводности. Зависимость тока стока от напряжения на затворе и стоке.
лекция, добавлен 01.09.2013Устройство и характеристики транзистора. Его типы, функции и технология изготовления. Назначение областей и электродов полупроводника. Выбор режима трёхполюсника. Схемы включения и принцип работы усилительного каскада. Уменьшение пробивного напряжения.
контрольная работа, добавлен 04.06.2014Устройство, принцип действия и характеристики полевого транзистора с электронно-дырочным переходом, их достоинства и недостатки. Определение максимального падения напряжения на замкнутом ключе. Расчёт сопротивления изоляции между затвором и каналом.
реферат, добавлен 22.02.2015Свойства полевого транзистора с изолированным затвором (МОSFЕТ), его преимущества и отличие от биполярного транзистора. Характеристика и особенности применение полевых транзисторов. Процессы, происходящие в транзисторе при его управлении и переключении.
реферат, добавлен 30.08.2010Физические основы полупроводниковой электроники. Поверхностные и контактные явления в полупроводниках. Полупроводниковые диоды и резисторы, фотоэлектрические полупроводниковые приборы. Биполярные и полевые транзисторы. Аналоговые интегральные микросхемы.
учебное пособие, добавлен 06.09.2017Отличия автоматов с памятью от комбинационных схем по составу и логике их работы. Значение выходного сигнала для комбинационной схемы. Отличия структур автоматов Мили и Мура. Зависимость выходного сигнала автомата Мура от предыстории входных сигналов.
контрольная работа, добавлен 06.02.2016Анализ вольтамперных характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером. Изучение выходных характеристик полевого транзистора в схеме с общим истоком. Режимы работы полупроводниковых приборов. Порядок входного сопротивления транзисторов.
лабораторная работа, добавлен 21.11.2017Понятие биполярного транзистора, его структура и общие принципы работы. Характеристика главных параметров, их расчеты и изменения. Особенности схем включения с общим эмиттером, коллектором, базой, их ключевых режимов и соотношения данных в них.
реферат, добавлен 01.05.2009Составление и расчет структурной схемы передатчика радиопередающего устройства, типовые гальванические батареи и аккумуляторы. Генератор с внешним возбуждением: малосигнальные усилители и транзисторы, типы ламп, режимы работы с избирательными цепями.
курсовая работа, добавлен 18.03.2011Применение полупроводниковых приборов в различной радиоэлектронной аппаратуре. Преимущества транзисторов по сравнению с электронными лампами. Электронно-дырочный p-n переход. Устройство и принцип действия биполярных транзисторов, схемы их включения.
реферат, добавлен 22.03.2010Классификация и система обозначений полупроводниковых диодов: стабилитрон, туннельный, варикап, фотодиод и диод Шотки. Устройство биполярного транзистора, его частотные и усилительные свойства. Статические характеристики полевых транзисторов, их схема.
курсовая работа, добавлен 19.04.2014Срок службы полупроводниковых триодов и их экономичность. Преимущества транзисторов по сравнению с электронными лампами. Чувствительность к повышению температуры, электрическим перегрузкам. Устройство полевого транзистора, схемы включения и параметры.
реферат, добавлен 10.03.2016Изучение активных полупроводниковых приборов, управляемых электрическим полем. История создания полевых транзисторов и их классификация. Исследование приборов с управляющим p-n-переходом и изолированным затвором. Схемы включения и область применения.
реферат, добавлен 07.07.2016Сущность и классификация транзисторов как радиоэлектронных компонентов из полупроводникового материала. Устройство биполярного транзистора. Эпитаксиальные транзисторы. Материалы для изготовления полупроводниковых приборов. Особенности расчёта транзистора.
курсовая работа, добавлен 21.02.2018Изучение влияния ионизирующего излучения на МОП-транзисторы. Генерация электронно-дырочных пар. Измерение и анализ характеристик схем после воздействия ионизирующего излучения. Описание среды моделирования LTSpice. Анализ характеристик транзисторов.
дипломная работа, добавлен 01.12.2019Характеристики полупроводниковых приборов, имеющих два p-n перехода, пригодных для усиления мощности электрических сигналов. Принцип инжекции носителей в базу транзистора. Свойства коллекторного перехода. Отличия кремниевого и германиевого транзисторов.
реферат, добавлен 24.04.2017Исследование статического коэффициента передачи по току в схеме с общим эмиттером от тока коллектора, порядок нахождения отношения тока коллектора к току базы. Принципиальная электрическая схема устройства - микросхемы К155ЛН1, его устройство и функции.
контрольная работа, добавлен 08.08.2013Понятие полевого транзистора, его типы и способы управления. Особенности работы системы и зависимости основных показателей. Входные и выходные характеристики и схема ключа на приборе с p-n переходом и каналом n-типа. Сущность изолированного затвора.
реферат, добавлен 01.05.2009Схемотехника интегральных перемножителей. Выходное напряжение четырехквадрантного перемножителя. Транзисторы в диодном включении. Предыскажения входного сигнала. Разность падений напряжений на диодах. Получение несимметричного низкоомного выхода.
лекция, добавлен 04.10.2013Принцип действия, типы и схемы включения биполярных транзисторов. Причины инжекции электронов из эмиттера в базу. Определение коэффициента усиления по току и напряжению. Усиление света в полупроводниках. Квантовые генераторы и светоизлучающие диоды.
реферат, добавлен 04.12.2018Расчёт полосы пропускания приёмника, промежуточной частоты, параметров транзисторов. Коэффициент усиления высокочастотной части приёмника. Изучение основных достоинств и недостатков супергетеродинного приёмника. Обеспечение минимума коэффициента шума.
курсовая работа, добавлен 13.04.2014Биполярные транзисторы с улучшенными малосигнальными параметрами. Разработка и эксплуатация полупроводниковых приборов. Выбор концентрации примеси в эпитаксиальном слое коллектора. Расчет граничной частоты, напряжения насыщения и импульсных характеристик.
курсовая работа, добавлен 19.11.2014Построение вольт-амперной характеристики идеализированного кремниевого диода в пределах изменения напряжения и принципиальной схемы усилителя. Принципы работы и параметры фотодиода. Определение величины сопротивления ограничительного резистора.
контрольная работа, добавлен 17.12.2011