Акустична емісія в світловипромінюючих структурах на основі сполук GaP, GaAs та GaN
Дослідження акустичної емісії в напівпровідникових світловипромінюючих структурах при протіканні постійного електричного струму та акустичного відгуку в монокристалах GaAs та CdTe при дії на їх поверхню наносекундного імпульсного лазерного випромінювання.
Подобные документы
Побудова математичної моделі протікання струму і тепловиділення в багатошарових світловипромінюючих структурах з урахуванням нелінійних властивостей p-n переходу. Визначення температур струмового розігріву в інфрачервоних InAsSbP/InAsSb світлодіодах.
автореферат, добавлен 26.09.2015Встановлення закономірностей фізичних процесів, що протікають у детекторах гамма-випромінювання на основі напівпровідникових сполук CdTe і CdZnTe. Методи поліпшення характеристик детекторів, створення на їхній основі дозиметричних блоків детектування.
автореферат, добавлен 22.07.2014Фізичні властивості низькорозмірних напівпровідникових гетероструктур. Дослідження морфологічного переходу від двомірного псевдоморфного росту до трьохмірного в InxGa1-xAs/GaAs наноструктурах. Комбінаційне розсіювання світла в InAs/Al(Ga)Sb структурах.
автореферат, добавлен 30.10.2015Дослідження ефектів, що виникають в напівпровідникових структурах при протіканні струмів екстремальна великої густини. Характеристика дослідження механічного руйнування через невідповідність коефіцієнтів теплового розширення плівки і підкладинків.
автореферат, добавлен 12.02.2014Розробка методики вимірювань параметрів напівпровідникових кристалів кремнію в умовах контрольованого ультразвукового навантаження. Дослідження температурної залежності поперечної акустоелектричної напруги в шаруватій системі п’єзоелектрик-напівпровідник.
автореферат, добавлен 23.02.2014Дослідження електричних, гальваномагнітних, оптичних, фотоелектричних властивостей монокристалів CdTe. Вивчення та аналіз електричних та фотовольтаїчних процесів у поверхнево-бар’єрних структурах, створених на основі телуриду кадмію, легованого ванадієм.
автореферат, добавлен 06.07.2014Процеси фазоутворення на поверхні Cu, GaAs, ZnSe в атмосфері хлору, стимульованих впливом УФ випромінювання. Дослідження залежності квантового виходу фотореакцій від тиску активного газу, температури підкладки, часу експозиції та енергії фотонів.
автореферат, добавлен 12.07.2014Електронна польова емісія у вакуумі з кремнієвих і вуглецевих нанокомпозитних напівпровідникових структур на Si і GaAs. Локальна передпробійна формовка напівпровідникових і діелектричних плівок електричним полем. Покращення емісійних параметрів катодів.
автореферат, добавлен 14.09.2015Швидкісна реєстрація відбивних властивостей опромінюваної мішені, застосування активного елементу ЛПМ. Кореляція між динамікою іонної емісії та зміною в часі відбивних властивостей резонансної взаємодії лазерного випромінювання з поверхнею алюмінію.
автореферат, добавлен 23.11.2013Механизмы формирования механических напряжений в пленках и структурах контактов. Механизмы повышения воспроизводимости и стабилизации параметров приборных структур на основе GaAs, GaP и InP с барьером Шоттки, сформированным аморфными пленками TiBx.
автореферат, добавлен 23.05.2018Дослідження фізичних процесів, що визначають електричні та оптичні характеристики діодних структур на основі телуриду ртуті-індію. Властивості напівпровідникового детектора випромінювання. Фотоелектричні процеси в діодних структурах на основі Hg3In2Te6.
автореферат, добавлен 14.09.2014Електронна та домішково-дефектна структура монокристалічних сполук ZnSe і CdTe при гетеровалентному заміщенні компонентів. Розробка моделі неоднорідного напівпровідника для твердих розчинів ZnSe-GaAs, механізми рентгенолюмінесценції і рентгеночутливості.
автореферат, добавлен 22.04.2014Експериментальне дослідження та обґрунтування електричних та фотоелектричних характеристик SiC діодів Шотткі на монокристалах та епітаксійних шарах SiC з використанням різних металів. Перенос заряду в CdTе поверхнево-бар’єрних структурах різного типу.
автореферат, добавлен 10.08.2014Процеси взаємодії гамма-квантів і нейтронів з шаруватими структурами, які призводять до нелінійного електричного відклику системи. Формування профілів розподілу домішок, що дифундують в напівпровідникових структурах. Утворення шару метал-діелектрик.
автореферат, добавлен 29.09.2014Pозробка фізико-математичних моделей та аналіз термодинаміки процесу нітридизації GaAs. Дослідження морфології, фотолюмінесцентних та структурних властивостей нанопоруватих підкладок. Створення гетероструктур на основі монокристалічних і поруватих сполук.
автореферат, добавлен 27.08.2014- 16. Роль макродефектів в електронних та іонних процесах в кристалах і епітаксійних шарах сполук А2В6
Вплив декорованих дислокацій на люмінесцентні та оптичні характеристики кристалів CdS. Роль лінійних дефектів на спектри фотолюмінесценції епітаксійних шарів ZnTe/GaAs, ZnSe/GaAs та дослідження розподілу точкових та лінійних дефектів по товщині шарів.
автореферат, добавлен 21.11.2013 Вивчення основних можливостей створення низькоенергозатратних і дешевих за ціною джерел випромінювання світла, основою яких є органічні світловипромінюючі пристрої (OLED), які ефективно випромінюють світло при протіканні електричного струму через них.
статья, добавлен 30.01.2017Створення апаратурних засобів відбору та опрацювання сигналів акустичної емісії та пристроїв для випробувань матеріалів. Аналіз основних аспектів побудови методологічної бази та створення сучасних засобів відбору та опрацювання діагностичної інформації.
статья, добавлен 16.11.2017Розробка методики синхронної реєстрації сигналів акустичної емісії та динаміки дислокацій, що двійникують. Особливості механізмів гальмування дислокацій у магнетиках, у тому числі поблизу точок фазових перетворень, з урахуванням доменної структури.
автореферат, добавлен 15.11.2013Закономірності мікропластичної деформації ковалентних кристалів при індентації і одноосьовому стисканні в температурній області крихкого руйнування. Розробка методики деформування приповерхневих шарів за допомогою імпульсного лазерного опромінення.
автореферат, добавлен 28.12.2015Біоефекти при дії постійного та змінного електричного струму. Особливості його використання в медичних цілях. Діатермія (наскрізне прогрівання) як отримання теплового ефекту в тканинах, які лежать достатньо глибоко. Суть електрофорезу лікарських речовин.
контрольная работа, добавлен 07.12.2012Розрахунки температурного поля, розподілу деформації і термічних напружень у зоні лазерної плями на опроміненій поверхні GaAs. Порогова густина оптичної енергії лазерного випромінювання. Розподіл інтенсивності опромінювання при дифракції від екранів.
автореферат, добавлен 29.08.2015Дослідження перебудови домішково-дефектних станів у сполуках під дією високочастотного електромагнітного випромінювання. Вивчення модифікації структури напівпровідників. Вплив випромінювання на спектр дефектних станів напівпровідникових кристалів.
автореферат, добавлен 29.09.2015Створення теоретико-експериментальних основ і на їх підставі методик і засобів для оцінки об’ємної пошкодженості (мікро- та макродефектів) твердих тіл за сигналами акустичної емісії в умовах дії квазістатичного навантаження та робочого середовища.
автореферат, добавлен 22.07.2014Питання збудження швидких реакцій у конденсованих середовищах, які здібні до екзотермічних перетворень. Розробка напрямків у хімічній фізиці, які ґрунтуються на використанні лазерного імпульсу як ініціюючого фактора збудження вибухових речовин та сполук.
автореферат, добавлен 06.07.2014