Вплив зовнішніх факторів на електрофізичні властивості приповерхневого шару базисних граней кристалів CdS
Особливості дефектної структури CdS та їхньої кристалічної ґратки при збудженні електронної підсистеми. Методики експериментальних досліджень монокристалічних зразків. Аномальна емісія електронів з поверхні кристалів CdS та вплив зовнішніх факторів.
Подобные документы
Кремнієві фотоперетворювачі на основі p-n переходу. Керування рекомбінаційними та транспортними ефектами на межі поділу за допомогою зовнішніх факторів. Вплив газової адсорбції та магнітного поля на процеси струмозбирання в структурах з гетеро шарами.
автореферат, добавлен 27.09.2014Внутрішня будова та зовнішня форма кристалів. Внутрішній пристрій кристала. Поняття і сутність елементів симетрії, що характерні для кристалів: площина, центр і вісь симетрії. Священна сімка сингоній (систем). Поняття ідеального і реального кристалів.
реферат, добавлен 11.05.2014Виявлення і дослідження зміни мікромеханічних, електрофізичних характеристик і наноструктури кристалів кремнію при впливі магнітного поля. Аналіз особливостей зміни мікротвердості кристалів кремнію при довготривалій дії слабких постійних магнітних полів.
автореферат, добавлен 30.07.2015Опис енергетичного спектра електронів, магнітного впорядкування та електропровідності в моделі Хаббарда, роль електронних кореляцій у структурно-фазових перетвореннях перехідних металів та їх сплавів. Опис кінетичних властивостей діаграми кристалів.
автореферат, добавлен 07.03.2014Головні фотоелектричні, фотолюмінісцентні, фотомагнітні та електрофізичні властивості кристалів з різними значеннями складу х і ступеня компенсації. Причини низькотемпературних особливостей характеристик. Зміни механізмів власної міжзонної рекомбінації.
автореферат, добавлен 27.07.2014Встановлення фізичних закономірностей впливу особливостей структури композиційних матеріалів терморозширений графіт-полімер на їх механічні та електрофізичні властивості. Вплив опромінення електронами та квантами випромінювання на електроопір зразків.
автореферат, добавлен 27.08.2014Розгляд сегнетоелектричних фазових переходів і визначення тензорів спонтанних п’єзоелектричних, пружних коефіцієнтів для кожного з орієнтаційних станів. Комбінації зовнішніх електричних полів, феробіеластичні та фероеластоелектричні переключення доменів.
автореферат, добавлен 12.02.2014Дослідження оптичних, магнітних та кінетичних властивостей кристалів напівпровідникових твердих розчинів (3HgSe)1-x(Al2Se3)x, легованих марганцем і залізом. Побудова схеми зонної структури напівпровідника. Властивості термообробки твердих розчинів.
автореферат, добавлен 19.07.2015- 59. Вплив H, C, N і Si на електронну структуру та фізичні властивості кристалів на основі сполук Fe і Cr
Спін-поляризований розрахунок енергетичної зонної структури і рентгенівських емісійних спектрів нітрида заліза Fe4N. Релятивістський розрахунок цементиту Fe3C. Обчислення енергетичної зонної структури і енергії когезії сплавів CrNiFe2Hx (x = 0, 2, 4).
автореферат, добавлен 18.11.2013 Вплив розмірних і температурних ефектів, складу, структурно-фазового стану, умов термообробки на електрофізичні та гальваномагнітні властивості одношарових плівок. Розробка методики одержання плівкових сплавів у широкому діапазоні концентрацій компонент.
автореферат, добавлен 30.07.2015Аналіз впливу термічної обробки монокристалічних напівпровідникових матеріалів. Характеристика дислокаційно-домішкових структур та розсіянь рентгенівських променів. Дослідження анізотропії полів напруг кремнію з впорядкованою дислокаційною конструкцією.
автореферат, добавлен 29.08.2014Дослідження ефекту структурної надпластичності, її механізмів деформації і особливостей локалізації, механізмів росту пор, імовірних причин часткового плавлення зразків деяких досліджених сплавів в умовах високотемпературної структурної надпластичності.
автореферат, добавлен 15.07.2014Дослідження рівноважних характеристик монокристалічного CdTe:V, вирощеного методом Бріджмена, при двох концентраціях домішки у розплаві см-3 та різних режимах охолодження злитків. Встановлення залежності властивостей кристалів від швидкості охолодження.
статья, добавлен 30.10.2016Симетрійний опис структури валентної зони надґраток (GaAs)N/(AlAs)N та (Si)M/(Ge)M у концепції мінімальних комплексів зон. Метод обвідної функції для одержання мінізонного спектру надґраток з довільною просторовою залежністю матеріальних параметрів.
автореферат, добавлен 14.09.2014Вплив легування різними концентраціями активних домішок на деякі оптичні, електричні і термоелектричні властивості керамік. Моделі, які пояснюють природу центрів люмінесценції в ZnSe і механізми впливу на структурні дефекти легуючих домішок літію і міді.
автореферат, добавлен 27.04.2014Дослідження впливу складу і домішок на ефективність акумуляції дефектів у магній-алюмінієвій шпінелі, встановлення типу кристалічної ґратки її метастабільної фази. Розробка методик аналізу поверхневих шарів прозорих кристалів, модифікованих іонами.
автореферат, добавлен 25.02.2014Спектральні і температурні залежності показників заломлення, двопроменезаломлення і п’єзооптичних констант діелектричних кристалів. Розрахунок параметрів ефективних ультрафіолетових і інфрачервоних осциляторів, електронної поляризованості та рефракції.
автореферат, добавлен 10.08.2014Дослідженню впливу фонових домішок і структурних дефектів на формування та фізичні властивості розбавлених твердих розчинів. Основні мови виникнення аномалій фізичних властивостей. Вивчення процесів одержання слабколегованих шарів кремнієвих композицій.
автореферат, добавлен 15.11.2013- 69. Рідкі кристали
Поняття, типи та фізичні властивості рідких кристалів. Специфічність агрегатного стану речовини. Порядок орієнтації молекул в рідкокристалічному зразку. Застосування кристалів в окулярах для космонавтів та пілотів. Історія їх впровадження в електроніку.
реферат, добавлен 08.12.2020 Дослідження електронної і магнітної структури вихідних і імплантованих іонами монокристалічних ферит-гранатових плівок. Вплив концентрації радіаційних дефектів на електронну структуру магнітного розупорядкування в імплантованих приповерхневих шарах.
автореферат, добавлен 12.02.2014Дослідження температурних залежностей властивостей сегнетоелектричних кристалів тригліцинсульфату, диметиламонійалюмінійсульфату, калія селенату та амонія гідроселенату. Ступень анізотропії показника заломлення та коефіцієнта лінійного розширення.
автореферат, добавлен 23.11.2013- 72. Фізичні процеси в гетеропереходах на основі шаруватих кристалів халькогенідів галію, індію та олова
Опис топології шаруватих кристалів і можливостей її модифікації в процесі термічного окислення кристала. Вплив тунельно-прозорих шарів діелектриків на фотоелектричні характеристики гетеропереходів. Поведінка спектральної фоточутливості гетеропереходів.
автореферат, добавлен 29.08.2015 Аналіз залежності від електричного поля діелектричної проникності кристалів при різних значеннях температури вимірювання. Дослідження специфічних особливостей процесів переполяризації кристалічних матеріалів в синусоїдальних та імпульсних полях.
автореферат, добавлен 28.07.2014Розгляд засад чисельно-експериментального дослідження кінетичної залежності швидкості росту кристала від переохолодження фронту при вирощуванні оксидних кристалів. Аналіз температурних умов на фронті кристалізації за допомогою радіаційного теплообміну.
автореферат, добавлен 29.01.2016Розробка експериментальних пристроїв для вивчення статичних і резонансних магнітних характеристик. Вплив зовнішніх чинників: магнітного поля, температури, одновісних тисків, високочастотних магнітних полів, діамагнітних заміщень на досліджувані об’єкти.
автореферат, добавлен 07.03.2014