Природа та структура парамагнітних дефектів у кристалах GaAs, SiC і кремнієвих матеріалах з наноструктурами
Огляд фізичних властивостей домішок Mn у GaAs, домішкових і вакансійних дефектів у політипах SiC і парамагнітних дефектів у поруватому кремнії і кремнієвих матеріалах, в яких утворюються нанокристаліти. Електронна структура домішок і дефектів у кристалах.
Подобные документы
- 51. Динамічна теорія розсіяння рентгенівських променів в циліндрично вигнутих кристалах з мікродефектами
Аналітичні вирази для коефіцієнтів відбиття і проходження когерентних, квазідифузних та дифузних хвиль у випадку циліндрично вигнутих монокристалів, які містять однорідно розподілені дефекти кулонівського типу. Вплив вигину для менших радіусів дефектів.
автореферат, добавлен 29.08.2014 Методика аналізу порошкових дифрактограм для визначення кількісних характеристик структури одномірно розвпорядкованих полікристалів. Визначення типу і густини ансамблю планарних дефектів, густини дислокацій та розміру областей когерентного розсіяння.
автореферат, добавлен 28.06.2014Встановлення закономірностей впливу електромагнітного поля на характер перебудови пружних і електричних полів дефектів структури кристалів CdZnTe і ZnSe:Te та розробка засобів для її стимуляції. Спосіб стабілізації електрофізичних характеристик кристалів.
автореферат, добавлен 29.07.2015Дослідження оптичних властивостей кремнієвих, германієвих, квантових точок та вуглецевих кластерів в SiO2-матриці, прихованих шарів SiO2, SiC, SixGe1-x в кремнії, що формувалися за допомогою іонної імплантації та наступного високотемпературного відпалу.
автореферат, добавлен 23.11.2013Роль конкуруючих потоків точкових дефектів на дислокації в повзучості навантажених матеріалів під опроміненням. Причини появи згинів і перегинів на дозовій залежності швидкості повзучості. Умови виникнення просторово-періодичного розподілу мікротвердості.
автореферат, добавлен 28.09.2014Вивчення питань створення ефективних плівкових і кристалічних люмінесцентних матеріалів на основі оксидів, нітридів і галогенідів шляхом дослідження в них механізмів рекомбінації за участю складних дефектів, а також процесів стабільності люмінофорів.
автореферат, добавлен 27.04.2014Дослідження впливу складу і домішок на ефективність акумуляції дефектів у магній-алюмінієвій шпінелі, встановлення типу кристалічної ґратки її метастабільної фази. Розробка методик аналізу поверхневих шарів прозорих кристалів, модифікованих іонами.
автореферат, добавлен 25.02.2014Вплив модифікації монокристалів Li6Gd(BO3)3:Ce натрієм і магнієм на процеси дефектоутворення під впливом іонізуючого випромінювання. Встановлення природи радіаційно-індукованих дефектів у монокристалах твердих розчинів Li6Gd1-xEux(BO3)3, Li6Y1-xEux(BO3)3.
автореферат, добавлен 23.08.2014- 59. Удосконалення методів виявлення дефектів ізоляції приєднань 6-10кВ кабель-двигун в робочих режимах
Вдосконалення способу визначення вектора струму нульової послідовності. Аналіз провідності ізоляції відносно землі фаз приєднань кабель-двигун. Вивчення параметрів дефектів ізоляції в робочих режимах. Алгоритм знаходження відстані до місця їх виникнення.
автореферат, добавлен 12.07.2015 Дослідження азимутальних залежностей нормованої повної інтегральної інтенсивності монокристалу з дефектами у випадку динамічної дифракції за Бреггом. Шляхи створення комбінованих методів кількісної діагностики характеристик дефектів декількох типів.
автореферат, добавлен 14.07.2015- 61. Вплив лазерного опромінення на поведінку домішок і дефектів у Ві-заміщених ферит-ґранатових плівках
Дослідження та характеристика впливу лазерного опромінення на структуру неімплантованих ферит-ґранатових плівок. Виявлення змін дефектності з товщиною порушеного шару плівки-підкладки за допомогою рентґенодифрактометричних експериментальних досліджень.
автореферат, добавлен 28.07.2014 Механізм формування підсистеми дефектів структури, обумовлених дією опромінення, легування та термічної обробки та її вплив на електричні властивості тонких моно- і полікристалічних плівок. Електрофізичні властивості тонких плівок халькоґенідів плюмбуму.
автореферат, добавлен 13.08.2015Дослідження спектрів інфрачервоного поглинання монокристалічного кремнію з домішкою германію після опромінення нейтронами реактора. Зберігання рівномірності у розподілі ростових дефектів (дислокацій). Залежність концентрації дивакансій від домішки кисню.
статья, добавлен 07.10.2013Визначення пружних властивостей масиву вуглецевих нанотрубок і їх порівняння з відповідними властивостями терморозширеного графіту. Аналіз впливу різних типів дефектів на перерозподіл носіїв заряду і концентрацію квазівільних електронів в нанотрубках.
автореферат, добавлен 14.07.2015Дискретний та квазістаціонарний стан донорних домішок у двошарових квантових точках та антиточках. Вплив домішок на електрон-діркові спектри. Тризонна модель для дірок і акцепторних домішок в одношарових та двошарових сферичних наногетероструктурах.
автореферат, добавлен 27.07.2015Дослідження закономірностей формування енергетичних станів рідкісноземельних домішкових центрів в діелектричних кристалах оксиортосилікатів з метою визначення їх змін під дією міжцентрової взаємодії. Розробка методу отримання діелектричних нанокристалів.
автореферат, добавлен 14.09.2014Аналіз електронно-польової емісії з кремнієвих структур типу Si-SiO2-d(Si)-SiO2 і Si-SiO2-d (Cs), вкритих плівками з дельта-легованим шаром. Емісійні властивості кремнієвих вістрійних емітерних матриць вкритих багатошаровими та алмазо-подібними плівками.
автореферат, добавлен 07.03.2014Технологія отримання і властивості масивних кристалів. Методика отримання монокристалів CdTe і CdTe:Cl. Вивчення дефектів структури у масивних кристалах. Процеси електропровідності монокристалів, вирощених методом фізичного транспорту через газову фазу.
автореферат, добавлен 12.07.2015Характеристика структурної досконалості кисневомістких кристалів кремнію. Головна особливість дослідження кінетики змін розмірів та концентрацій дефектів, що виникають під час відпалу. Вивчення впливу попереднього нейтронного опромінення на цей процес.
автореферат, добавлен 30.07.2015Влив температури нітридизації, величини поруватості підкладок GaAs на кристалографічні, оптичні (комбінаційне розсіювання світла) властивості гетероепітаксійних плівок GaN. Залежність між величиною поруватості підкладок і типом кристалічної гратки плівок.
автореферат, добавлен 29.09.2014Морфологія, структура та хімічний склад одержаних зразків залежно від фізико-технологічних умов конденсації для з’ясування впливу цих особливостей плівок на їх електрофізичні характеристики. Порівняння експериментальних даних з результатами моделювання.
автореферат, добавлен 28.09.2015Механізми, які обумовлюють спостережений експериментально ріст та еволюцію функції розподілу за радіусами ниткоподібних кремнієвих кристалів, вирощуваних у процесі газотранспортних реакцій. Розробка математичної моделі процесу формування пор у кремнії.
автореферат, добавлен 25.06.2014- 73. Дефекти структури оксидних кристалічних матеріалів зі спеціальними електро-фізичними властивостями
Встановлення природи, локальної структури та загальних закономірностей утворення різних дефектних станів в ряді кристалічних оксидних матеріалах зі структурою шеєліта та перовскіта. Вплив цих дефектів на електро-фізичні властивості даних матеріалів.
автореферат, добавлен 01.08.2014 Процеси генерації, розсіювання і розповсюдження хвиль намагніченості в матеріалах (що містять дислокації, дефекти анізотропії) та у магнонних кристалах (матеріалах з періодичною модуляцією параметрів). Кінетика магнітних неоднорідностей в надпровідниках.
автореферат, добавлен 27.08.2014Розрахунок залежності положення рівня Фермі та концентрації вільних носіїв заряду в високоомному кремнії від дози опромінення нейтронами. Визначення зсуву вольт-амперних характеристик кремнієвих структур та розподіл електричного поля в стрип-детекторах.
автореферат, добавлен 07.01.2014